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1.
设计合成了10个4-二甲氨基黄酮衍生物,产物结构均经1H NMR,ESI-MS和元素分析确认.采用噻唑蓝(MTT)法测试了化合物对HepG2(人肝癌细胞)的抑制作用,结果表明目标化合物在30μmol/L浓度下对HepG2细胞损伤均有一定的抑制作用,大部分化合物优于对照药物槲皮素,其中化合物5c,5e,5f和5j活性最强,抑制率分别为91.0%,90.1%,95.7%和92.1%,而且化合物5f在10μmol/L浓度下对HepG2的抑制率为93.1%,具有深入研究的价值. 相似文献
2.
The enlargement of the emitting aperture is usually one of the important methods of increasing vertical- cavity surface-emitting laser (VCSEL) optical output power. However, in a VCSEL with a larger aperture, the inhomogeneity in the injected current often causes inhomogeneous or even no emission. To solve this problem and to increase VCSEL output power, as well as to improve its thermal characteristics, we develop a new type of injected VCSEL with a larger aperture and a reticular electrode, where the conventional circular injection electrode of the P side is turned into a reticular one, and the heat sink is on the N side. The tests of the new VCSEL show an improvement in homogeneity in not only the injected current but also the emission intensity. The optical output power is also considerably increased, and the device optoelectronic performance is improved. 相似文献
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8.
GaAIAs/GaAs非均匀阱宽多量子阱超辐射发光管材料制备及表征 总被引:1,自引:3,他引:1
超辐射发光二极管(SLD)具有不同于半导体激光器和普通发光二极管的优异性能。为了制备高功率半导体超辐射发光管,并且得到比较大的光谱宽度、大的单程增益和抑制电流饱和,我们研究设计了具有850nm辐射波长的GaAlAs/GaAs非均匀阱宽多量子阱超辐射发光二极管结构,采用分子束外延(MBE)方法进行了材料制备。同时利用X射线双晶衍射,变温(10~300K)光致发光(PL)等方法检测分析了外延薄膜的结构和光电特性。在光致发光谱线中我们得到了发射波长850nm的谱峰,谱峰范围跨跃800~880nm,双晶回摆曲线结果显示了设计的结构得到实现。在注入电流140mA时,器件输出光谱的半峰全宽可以达到26nm,室温下连续输出功率达到6mw。 相似文献
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