一维六方准晶压电材料中幂函数型曲线裂纹的反平面问题

依据一维六方准晶压电材料反平面问题的基本方程,利用复变函数方法,通过引入适当的保角映射,研究了一维六方准晶压电材料中幂函数型曲线裂纹的反平面问题,并利用Cauchy积分理论,得到电不可通和电可通边界条件下的应力场和位移场的复表示以及裂纹尖端场强度因子的解析表达式.     

Identification and elimination of inductively coupled plasma-induced defects in AlxGa1 - xN/GaN heterostructures

By using temperature-dependent Hall,variable-frequency capacitance-voltage and cathodoluminescence (CL) measurements,the identification of inductively coupled plasma (ICP)-induced defect states around the Al x Ga 1-x N/GaN heterointerface and their elimination by subsequent annealing in Al x Ga 1-x N/GaN heterostructures are systematically investigated.The energy levels of interface states with activation energies in a range from 0.211 to 0.253 eV below the conduction band of GaN are observed.The interface state density after the ICP-etching process is as high as 2.75×10 12 cm 2 ·eV 1.The ICP-induced interface states could be reduced by two orders of magnitude by subsequent annealing in N 2 ambient.The CL studies indicate that the ICP-induced defects should be Ga-vacancy related.     

GC-MS法测定发酵食品中氨基甲酸乙酯的含量

建立了发酵食品中氨基甲酸乙酯的GC-MS测定方法.样品经饱和NaCl溶液溶解,超声提取,提取液经硅藻土固相萃取小柱净化,二氯甲烷洗脱,以氨基甲酸丁酯作为内标物,使用GC-MS联用仪选择离子监测模式对其定性定量测量.氨基甲酸乙酯在21 ～ 846ng/mL范围内线性关系良好,相关系数r=0.9999.最低检出限为5.0n...     

GC-MS法快速测定食品接触材料油墨中16种多环芳烃

以正己烷超声提取,弗罗里硅土固相萃取柱净化,以正己烷-二氯甲烷溶液(体积比1:1)洗脱,用GC-MS联用仪SIM模式外标法定量测定食品接触材料油墨中16种多环芳烃.在优化条件下,16种多环芳烃的浓度在0.1～4.0 μg/mL范围内与色谱峰面积呈良好的线性关系,线性相关系数大于0.995,检出限为0.12～3.24 ng/L.加标回收率为77.24％～ 104.76％,测定结果的相对标准偏差为1.05％～1.69％(n=6).该方法适用于食品接触材料油墨中PAHs的日常检测.     

MgF2对Mn4+掺杂锗酸盐红色荧光粉发光的影响

3.5MgO·0.5MgF₂·GeO₂∶Mn⁴⁺作为优异热稳定性和良好发光性能的红色荧光粉而被市场应用,然而,该粉体中MgF₂的作用影响机理尚不明晰,阻碍其性能进一步优化和发展。采用高温固相法制备了系列Mn⁴⁺激活的锗酸盐荧光粉,通过对比加入MgF₂、H₃BO₃(助熔剂),研究了该粉体的结构、形貌、发光性能等变化规律,阐明了MgF₂的发光影响作用。研究表明,加入MgF₂、H₃BO₃和不加任何助熔剂时的样品,其最佳烧结温度分别为1 150、1 250和1 350 ℃,上述温度下发光强度均为最佳值,其中加入MgF₂、H₃BO₃的样品在最佳温度处生成了纯相。MgF₂的添加,一方面同H₃BO₃一样作为助熔剂对生成纯相、提高样品结晶度起了积极的作用;另一方面,通过研究分析,确认F^-离子成功掺杂进入晶格,促使样品生成的晶体结构为Mg₁₄Ge₅(O,F)₂₄。加入MgF₂、H₃BO₃在最佳烧结温度的样品的荧光寿命分别为0.93和0.75 ms。     

MgF2对Mn4+掺杂锗酸盐红色荧光粉发光的影响

3.5MgO·0.5MgF₂·GeO₂：Mn⁴⁺作为优异热稳定性和良好发光性能的红色荧光粉而被市场应用,然而,该粉体中MgF₂的作用影响机理尚不明晰,阻碍其性能进一步优化和发展。采用高温固相法制备了系列Mn⁴⁺激活的锗酸盐荧光粉,通过对比加入MgF₂、H₃BO₃（助熔剂）,研究了该粉体的结构、形貌、发光性能等变化规律,阐明了MgF₂的发光影响作用。研究表明,加入MgF₂、H₃BO₃和不加任何助熔剂时的样品,其最佳烧结温度分别为1 150、1 250和1 350 ℃,上述温度下发光强度均为最佳值,其中加入MgF₂、H₃BO₃的样品在最佳温度处生成了纯相。MgF₂的添加,一方面同H₃BO₃一样作为助熔剂对生成纯相、提高样品结晶度起了积极的作用;另一方面,通过研究分析,确认F^-离子成功掺杂进入晶格,促使样品生成的晶体结构为Mg₁₄Ge₅（O, F）₂₄。加入MgF₂、H₃BO₃在最佳烧结温度的样品的荧光寿命分别为0.93和0.75 ms。     

半导体模型中退化漂移—扩散问题解的存在性

研究半导体物理中出现的漂移—扩散模型,这是一个关于带电粒子浓度n,p,静电位ψ的抛物—椭圆耦合方程组,并带有混合初边值条件.对初值在L2+(Ω)时弱解的存在性展开讨论,利用正则化方法和适当的函数变换,使抛物型方程的解具有正下界n,p≥ε>0,同时得到一系列先验估计.然后通过紧性引理和Schauder不动点定理,得到初值在L2+(Ω)时弱解的存在性.     

从一道学生有争议的极限题说起

从一道学生有争议的极限计算,引出利用带皮亚诺余项的麦克劳林展开式计算极限的便利     

Thermal annealing behaviour of Al/Ni/Au multilayer on n-GaN Schottky contacts

Recently GaN-based high electron mobility transistors (HEMTs) have revealed the superior properties of a high breakdown field and high electron saturation velocity. Reduction of the gate leakage current is one of the key issues to be solved for their further improvement. This paper reports that an Al layer as thin as 3 nm was inserted between the conventional Ni/Au Schottky contact and n-GaN epilayers, and the Schottky behaviour of Al/Ni/Au contact was investigated under various annealing conditions by current--voltage (I--V) measurements. A non-linear fitting method was used to extract the contact parameters from the I--V characteristic curves. Experimental results indicate that reduction of the gate leakage current by as much as four orders of magnitude was successfully recorded by thermal annealing. And high quality Schottky contact with a barrier height of 0.875 eV and the lowest reverse-bias leakage current, respectively, can be obtained under 12 min annealing at 450°C in N₂ ambience.     

麦克斯韦速率分布演示仪的精确设计

本文提供了一个精确设计麦克斯韦速率分布演示仪的理论方法,可以精确计算出伽尔顿模板底部的滑行曲线.以铊原子蒸汽的麦克斯韦速率分布为实例设计演示仪,给出滑行曲线的解析式.