Universal Quantum Gates Based on Both Geometric and Dynamic Phases in Quantum Dots

A large-scalable quantum computer model,whose qubits are represented by the subspace subtended by the ground state and he single exciton state on semiconductor quantum dots,is proposed.A universal set of quantum gates in this system may be achieved by a mixed approach,composed of dynamic evolution and nonadiabatic geometric phase.     

直流磁控溅射磁性γ′-Fe4N膜生长机理研究

采用直流磁控溅射法研究了磁控溅射沉积氮化铁薄膜的生长机制,并归属了其生长普适类型.结果表明,磁控溅射法生长的薄膜表面具有自仿射分形特性,而且表面存在一定数量的空位或孔洞,粒子呈现悬臂沉积生长现象.γ′-Fe4N单相薄膜的生长指数β≈0.61±0.02,静态标度指数α≈0.57±0.20,各指数之间的关系为α+α/β≈2,薄膜生长属于KPZ普适类型.     

高分辨率量子点图案化技术

由于量子点优异的材料特性,包括可调的能带间隙、高量子产率、高稳定性和可低成本地溶液加工等,其在显示领域引发了浓厚的兴趣和研究热潮。近年来,随着全世界对高质量显示的需求日益增长,特别是随着虚拟/增强现实（VR/AR）等近眼显示技术的兴起,对高亮度、高分辨率、高效率以及低功耗的显示技术提出了更高的要求。本文全面探讨了高分辨率量子点图案化技术,深入解析它们的工艺流程,并详细阐述它们在量子点显示器件中的各种应用。此外,还概述了高分辨率量子点图案化技术在实际应用中所面临的主要挑战。我们认为,要将高分辨率量子点图案化技术真正地应用到实际设备中,必须全面考虑各种因素,不仅包括从图案化技术出发,同时还涉及到从材料选择和器件结构设计等多个角度的深入思考和策划。本综述可为高分辨率量子点图案化技术行业的发展和研究提供有价值的参考。     

直流磁控溅射氮化铁薄膜生长的动力学标度

利用直流磁控溅射方法,以Ar/N2作为放电气体,通过改变放电气体中N2的流量(N2流量比分别为5%,10%,30%,50%)及溅射时间(160,30,20,10,5min),在玻璃衬底上沉积了FexN薄膜。用X射线光电子能谱(XPS)方法确定了不同N2流量下薄膜的成分;X射线衍射(XRD)方法分析了不同N2流量下的FexN薄膜结构,当N2流量比为5%时获得了FeN0 056相,10%时为ε Fe3N相,30%和50%流量比下均得到FeN相。利用原子力显微镜(AFM)和掠入射X射线散射(GIXA)方法研究了膜表面的粗糙度和形貌,发现随着N2流量的增加,薄膜表面光滑度增加,薄膜表面呈现自仿射性质。动力学标度方法定量分析表明:薄膜表面因不同N2流量的影响而具有不同的动力学指数,当氮气流量比为5%时,静态标度指数α≈0 65,生长指数β≈0 53±0 02,薄膜生长符合基于Kolmogorov提出的能量波动概念的KPZ模型指数规律。     

RNA聚合酶体外转录PSTV cDNA的研究

酵母RNA聚合酶Ⅱ虽能在体外忠实转录PSTV,但不能转录相应的cDNA。大肠杆菌RNA聚合酶不仅能转录PSTV,还可转录其cDNA。根据对转录产物的聚丙烯酰胺凝胶电泳分析,Southern分子杂交以及非转录反应的排除实验确证:大肠杆菌RNA聚合酶转录PSTV cDNA 属于忠实性转录。本文首次提出 PSTVcDNA可以构成一个转录单位,其中含有能指导特异性转录起始的启动子区。证明此启动子区在Avall酶切后的132bp小片断上,很可能在5′端BamHl切点附近。