含苯并咪唑和异噁唑结构席夫碱的合成及其抑菌活性

根据活性亚结构拼接原理,以取代苯甲醛、盐酸羟胺、N-氯代丁二酰亚胺和2-苯并咪唑基乙腈等为原料,经肟化、氯代、环化及缩合反应,合成了一系列新型的含苯并咪唑和异噁唑结构的席夫碱化合物(5a~5h),收率60%~75%,其结构经~1H NMR,~(13)C NMR,IR和HR-MS表征。采用菌丝生长速率法测试了化合物对番茄灰霉菌和生菜菌核菌的抑菌活性。结果表明:在用药量为100μg·m ~(-1)时,苯环上含有氟原子或甲氧基的席夫碱(5c,5d和5e)对生菜菌核菌显示出较好的活性,抑制率为71.3%~76.1%。     

高效液相色谱法测定百草枯染毒后小鼠脑组织中8种单胺类神经递质的含量变化

应用高效液相色谱法测定小鼠脑组织中8种单胺类神经递质(去甲肾上腺素、肾上腺素、左旋多巴、多巴胺、二羟基苯乙酸、5-羟色胺、5-羟基吲哚乙酸和高香草酸)的含量,并研究其含量随百草枯中毒时间的长短而产生的变化情况。取小鼠36只,分为6组,每组6只。其中一组为对照组,其余5组的小鼠均按30mg·kg-1的剂量给予灌服百草枯,对照组小鼠灌服同体积的生理盐水。按给毒后达到6,12,24,48,72h时,用1%戊巴比妥钠溶液先后将其麻醉并在低温条件下取其脑组织。按1g∶7.5mL的比例在每份脑组织中加入组织匀浆液并匀浆30s,在4℃高速离心2次,每次15min,取其上清液供色谱分析。在Hypeisil GOLD aQ色谱柱(4.6 mm×250 mm,5μm)上,用不同比例的甲醇和30mmol·L~(-1)磷酸二氢钾-磷酸缓冲溶液(pH 4.6)的混合液为流动相进行梯度洗脱,并用荧光检测器测定各组分的峰面积,用外标法定量。上述8种单胺类神经递质的线性范围均在1 000μg·L~(-1)以内,其检出限(3S/N)在0.34～5.26μg·L~(-1)之间。对样品重复测定5次,测得8组分测定值的相对标准偏差(n=5)在0.58%～4.2%之间,加标回收试验得出其回收率在90.8%～106%之间。同时测得了在百草枯染毒后3d内8种单胺类神经递质含量的变化情况,为进一步研究提供可靠依据。     

利用子域全息复杂度探测约化保真率性质

正20世纪70年代,贝肯斯坦与霍金发现黑洞熵正比于黑洞视界面积,这促使Susskind和t'Hooft提出了量子引力的一个一般性原理:一个引力系统的全部信息储存在其更低一维的表面,即全息原理。1997年,Maldacena从弦理论出发提出的反德西特     

SrTiO3金属-绝缘体-半导体结构的介电与界面特性

采用金属有机分解法在p型Si衬底上制备了SiTiO3(STO)薄膜.研究了STO薄膜金属-绝缘体-半导体(MIS)结构的介电和界面特性.结果表明,STO薄膜显示出优异的介电性能,在10kHz处的介电常数约为105,损耗低于0.01,这来源于多晶结构和良好的结晶性;MIS结构中的固定电荷密度Nf和界面态密度Dit分别约为1.5×1012cm-2和(1.4-3.5)×1012 cm-2 eV-1,这主要与Si/STO界面处形成的低介电常数界面层有关.     

SrTiO3金属-绝缘体-半导体结构的介电与界面特性

采用金属有机分解法在p型Si衬底上制备了SrTiO3（STO）薄膜.研究了STO薄膜金属 绝缘体 半导体(MIS)结构的介电和界面特性.结果表明，STO薄膜显示出优异的介电性能，在10kHz处的介电常数约为105，损耗低于001，这来源于多晶结构和良好的结晶性；MIS结构中的固定电荷密度Nf和界面态密度Dit分别约为15×1012cm-2和(14—35)×1012cm-2eV-1，这主要与Si/STO界面处形成的低介电常数界面层有关. 关键词： SrTiO3薄膜 MIS结构 介电性能 Si/STO界面     

La掺杂浓度对PLZT薄膜红外光学性质的影响

采用溶胶-凝胶法在Pt/Ti/SiO2/Si衬底上制备了不同La掺杂浓度PLZT(x/40/60)薄膜- x射线衍射分析表明制备的PLZT(x/40/60)薄膜是具有单一钙钛矿结构的多晶薄膜- 通过红外椭圆偏振光谱仪测量了波长为2-5—12-6μm范围内PLZT薄膜的椭偏光谱，采用经典色 散模型拟合获得PLZT薄膜的红外光学常数，同时也拟合获得PLZT薄膜的厚度- 随着La掺杂浓 度的增大，折射率逐渐减小- 而消光系数除PLZT(4/40/60)薄膜外，呈现逐渐增大的趋势- 分析表明这些差异主要与PLZ 关键词： PLZT薄膜 红外光学性质 红外椭圆偏振光谱     

植物酶催化光度法测定痕量甲胺磷的初步研究

对植物酶催化酯类检测痕量有机磷农药残留量的方法进行了初步研究。在乙酸-乙酸钠的缓冲体系中,应用植物淀粉酶促进α-乙酸萘酯分解生成α-萘酚,甲胺磷农药抑制淀粉酶的活性,淀粉酶的活性随甲胺磷浓度增加而降低,α-乙酸萘酯分解生成的α-萘酚量也减少,以FeCl3指示反应,反应生成一种紫色络合物,利用该反应对甲胺磷进行定量测定。确定了反应的最佳条件,方法已应用于蔬菜表面甲胺磷残留量的分析。     

发光二极管电视、符号显示

国内外对发光二极管单片式、混合式矩阵显示装置正在进行活跃的研究。成为这种二极管显示装置的基本技术有:制备高效率p-n结;在单一晶体基板上制作多个发光元件的集成化技术;把多个发光二极管组装起来的电气联结技术以及最佳的取光结构等。 近年来,由于GaAsP、GaP发光二极管的效率显著提高;集成化技术、组装技术的进展以及结构上的巧妙设计;用发光二极管显示装置部分地取代阴极射线管显示的可能性日趋增大起来。 本文研究了发光二极管平面显示装置的电视图像显示及文字、数字——符号显示的特性;并论述了作者最近试制的GaP绿色发光二极管平面显示装置的结构、特性及在电视显示、符号显示上的应用。     

从富镓熔液里拉制生长的磷砷化镓晶体

用液封方法从富镓熔液中拉制出了GaAs_(1-X)P_X晶体。对晶体的头部进行X射线分析和光学测量得出:X(?)0.3。在室温下,进行光学测量表明:晶体是n型的,载流子浓度N=～10~(17)cm~(-3),霍尔迁移率μ_H=～500cm~2V~(-1)。     

磷化镓的一种新汽相生长方法

制做Ⅲ—V族合化物广泛采用了汽相生长方法。大多数生长方法包括两个温度过程:(a)在高温区形成挥发性的化合物,(b)在低温梯度区的衬底上化合物进行沉积。 这篇短文讨论了仅在一个高温区汽相生长GaP的过程。这种方法也适用了像GaAs,GaAs1 -xPx等其他Ⅲ-V族化合物的生长。 图1示出了这种装置和温度分布的简图。与广泛采用的方法不同的是:沉积区的温度与镓源的温度是相同的。镓和磷被分别输运到反应管,直到沉积区之前不进行混合。在沉积区,GaCl与磷反应生成GaP。