保温层结构对感应加热制备太阳能级多晶硅影响的数值模拟研究

定向凝固技术是制备太阳能级多晶硅的主要制备技术.在该技术路线之中,优化多晶铸锭炉的热场结构和控制硅熔体的对流形态是获得高品质多晶硅的有效途径之一.本文设计了三种热场保温层,通过分析不同保温层下坩埚内硅熔体的热场、流场、固液界面、氧含量等的变化,确定了优化的保温层结构.研究发现,在传统固化碳毡保温层中引入石墨层可以使多晶炉内形成两个“热源”,提高多晶炉的热效率,使其能耗降低了38.5;;在洛伦兹力的作用下硅熔体中仅存在一个上下贯通的涡流,有利于硅中杂质原子的挥发.同时,添加石墨保温层后固液界面的形状由“W”状转变为凹状,其上的氧含量有所降低,并且V/Gn值在整个固液界面范围内均大于临界值,可以有效抑制氧沉淀.可见,在感应加热多晶硅生长系统中,采用固化碳毡+石墨保温层时,有利于降低多晶硅的生产成本并提高多晶硅的品质.     

阿维菌素在柑桔和土壤中的消解动态研究

利用高效液相色谱法,建立了阿维菌素在柑桔和土壤中的残留分析方法.研究了阿维菌素在柑桔和土壤中的残留消解动态,对影响残留分析方法的主要参数进行了优化.柑桔和土壤样品分别用乙腈和二氯甲烷提取,弗罗里硅土柱净化,高效液相色谱仪可变波长紫外检测器检测,外标法定量.结果表明,该方法在柑桔和土壤中的最低检测浓度均为0.01 mg/...     

基于数学期望的非紧致保正性数值格式

常用的有限差分法、有限元方法和有限体积法等在数值求解偏微分方程时已经非常成功,但在处理各向异性问题时数值格式的保正性还存在一些问题.基于Feynman-Kac公式,可以将抛物方程的解表示为一个条件数学期望,涉及的随机扩散过程对应于抛物方程中的扩散项.不同于常用的紧致Markov链近似,本文用有限个连续分支路径逼近原来的随机过程,在满足相容性精度的条件下计算每个分支的停时(stopping time)、停时发生的概率和停时收益,从而可以逼近条件期望.这样基于数学期望的保正性,对任意的线性抛物型方程设计了一个全新的保正性的线性相容的数值格式,这是一个大时间步长、非紧致的、稳定的显式格式.由于有底层系统的理论支撑,本文的算法能够自适应地区分及处理边界的信息,避免现有算法(如半Lagrange方法)在边界附近精度缺失的问题.     

双核SoC芯片扫描链测试设计与实现

针对芯片生产过程中可能引入短路和断路等制造缺陷的问题,实现了基于扫描链测试的双核SoC芯片可测性设计电路。根据双核SoC中DSP硬核、CPU软核特点采用不同的扫描链设计方案：利用DSP硬核中已有扫描链结构,将DSP测试端口复用到芯片顶层端口,在CPU软核和其它硬件逻辑中插入新的扫描链电路。扫描链测试支持固定型故障测试和时延相关故障测试。针对时延故障测试,设计了片上时钟控制电路,利用PLL输出高速时钟脉冲进行实速测试。采用自动测试向量生成工具产生测试向量,结果表明,芯片固定型故障的测试覆盖率可以达到97.6%,时延故障测试覆盖率可以达到84.9%,满足芯片测试覆盖率要求。     

(K,Na)NbO_3基无铅压电薄膜的制备与表征（英文）

我们采用脉冲激光沉积法,在SrTiO3(001)衬底上以La0.7Sr0.3MnO3作为底电极,制备得单相的0.95(Na0.49K0.49Li0.02)(Nb0.8Ta0.2)-0.05CaZrO3外延薄膜.采用X射线衍射、X射线光电子能谱,电滞回线和介电常数测试分别表征了LKNNT-CZ薄膜的微观结构、表面元素价态和铁电/介电性能.结果表明:(1)制备得到的LKNNT-CZ薄膜的元素组成与靶材相同;(2)在4伏到10伏内均可以获得线型良好且饱和的电滞回线,当驱动电压为10V时,薄膜的剩余极化达到12.4μC/cm2,矫顽电场为102.3kV/cm;(3)薄膜在1kHz频率下的介电常数高达1185.