自掺杂TiO2纳米管：液相制备及光催化性能

采用水合肼（N₂H₄·H₂O）作为还原剂,在液相环境中制备了自掺杂TiO₂纳米管阵列（NTs）。利用FE-SEM、EDS、XPS、XRD、Raman、UV-Vis/NIR分光光度法以及半导体特性分析系统（Keithley 4200 SCS）分别对样品的形貌,晶体结构,光学特性以及电学性能进行了表征。结果表明：通过这种方法制备的自掺杂TiO₂NTs在带隙中引入了大量的氧空位,创造了氧空位能级,从而提高了样品的电导率,有效提高光生电子-空穴对的产生、分离和传输。此外,由于氧空位的作用,使得TiO₂NTs的带隙变窄,增强了可见光吸收能力,致使样品具有较高的光催化活性,并通过降解甲基橙溶液对样品的光催化活性进行评估。结果显示当光照150min后,自掺杂TiO₂NTs对甲基橙溶液的降解率达73%,并且这种催化剂便于回收和重复使用。     

四轮轮毂电动汽车横摆角速度自抗扰控制

汽车的横摆角速度对汽车稳定性和安全性有较大影响,针对汽车行驶控制时的抗干扰能力,目前还没有特别有效的汽车横摆角速度控制策略;创新性设计了基于自抗扰控制理论的用于四轮轮毂电动汽车横摆角速度的高性能控制策略;首先分析了汽车横摆角速度控制的动态模型,并通过数学变换,将其转换为二阶自抗扰控制器被控对象的标准形式;再设计双层控制结构,包括直接横摆力矩制定层和转矩分配层;在直接横摆力矩制定层,利用二阶自抗扰控制器计算出控制汽车横摆角速度所需的附加横摆力矩;在转矩分配层,设计了转矩分配算法,利用附加横摆力矩得到4个车轮的指令转矩,进而控制电动汽车横摆角速度;最后,通过Matlab/Simulink和汽车动力学仿真软件CarSim联合仿真验证了所设计控制策略的有效性。     

生物化学中酶促"不可逆"反应及其相关问题辨析

在生物化学教学和研究中,一些酶促反应被归类为不可逆反应。然而,此处的"不可逆"与物理化学中的"不可逆"有所不同,这一表述本身常导致学生的困惑。不仅如此,"不可逆"的实际含义及其衍生的观念可能进一步使学生产生很多对基本生化反应过程的严重误解。本文以物理化学所定义的"不可逆"为准,重新讨论生物化学中所指"不可逆"的准确含义,并举例讨论了包括"速控步""限速酶""高能磷酸键"在内的若干因生物化学中"不可逆"的不准确定义造成的认知误区。     

自掺杂TiO_2纳米管:液相制备及光催化性能

采用水合肼(N2H4·H2O)作为还原剂,在液相环境中制备了自掺杂TiO2纳米管阵列(NTs)。利用FE-SEM、EDS、XPS、XRD、Raman、UV-Vis/NIR分光光度法以及半导体特性分析系统(Keithley 4200 SCS)分别对样品的形貌,晶体结构,光学特性以及电学性能进行了表征。结果表明:通过这种方法制备的自掺杂TiO2NTs在带隙中引入了大量的氧空位,创造了氧空位能级,从而提高了样品的电导率,有效提高光生电子-空穴对的产生、分离和传输。此外,由于氧空位的作用,使得TiO2NTs的带隙变窄,增强了可见光吸收能力,致使样品具有较高的光催化活性,并通过降解甲基橙溶液对样品的光催化活性进行评估。结果显示当光照150 min后,自掺杂TiO2NTs对甲基橙溶液的降解率达73%,并且这种催化剂便于回收和重复使用。     

两个埃博霉素生物合成中间体修饰化合物的合成

为了使用前体定向生物合成技术研究埃博霉素的生物合成过程并对其进行分子改造, 选定了两个中间体修饰化合物2-甲基噻唑-4-羧酸2-乙酰氨基乙硫基硫酯和(E)-2-甲基-3-(2-甲基噻唑-4-基)丙烯酸2-乙酰氨基乙硫基硫酯进行了化学全合成的研究. 合成方法比已有的合成方法更易操作, 经济性更好. 所有化合物经红外光谱、质谱、核磁共振谱及元素分析确证了结构.     

提高三正丁基膦合成收率方法的研究

过渡金属钴-羰基-烷(芳)膦络合物催化烯烃-1低压氢甲酰化合成丁(辛)醇的新工艺路线,近年来获得了迅速的发展。但是,仍需要进一步解决降低成本、提高活性、改进分离、便于循环、弄清机理、消除沉积等一系列问题。三烷(芳)膦配位体合成方法的改进与研究,极为有益。目前,三正丁基膦(n-Bu_3P)的合成主要是乙醚溶剂中的格氏试剂法,其原理为     

High-power SiC MESFET using a dual p-buffer layer for an S-band power amplifier

A silicon carbide (SiC) based metal semiconductor field effect transistor (MESFET) is fabricated by using a standard SiC MESFET structure with the application of a dual p-buffer layer and a multi-recessed gate to the process for an S-band power amplifier. The lower doped upper-buffer layer serves to maintain the channel current, while the higher doped lower-buffer layer is used to provide excellent electron confinement in the channel layer. A 20-mm gate periphery SiC MESFET biased at a drain voltage of 85 V demonstrates a pulsed wave saturated output power of 94 W, a linear gain of 11.7 dB, and a maximum power added efficiency of 24.3% at 3.4 GHz. These results are improved compared with those of the conventional single p-buffer MESFET fabricated in this work using the same process. A radio-frequency power output greater than 4.7 W/mm is achieved, showing the potential as a high-voltage operation device for high-power solid-state amplifier applications.     

一个简化的积累率优化模型

为了保证国民经济持续稳定的发展，国民收入中必须取出一个部分用于积累。而重要的问题是决定每年的国民收入中应分配多少份额用于积累才能使一个长期内的国民总收入的增量达到最大。本文使用统计模型方法讨论了这个问题，建议了一个简单的统计模型，对我国国民经济的宏观控制，提出了几点供参考的意见。     

单轮电机失效时四轮轮毂电动汽车各驱动模式转向特性研究

本文在对轮胎侧偏特性和轮胎力研究的基础上,提出了四轮轮毂电动汽车四种驱动模式的转向力矩分配问题。通过数学分析,将此问题转化为一个有约束条件的最优化求解问题,接着使用MATLAB优化工具箱,并采用有效集算法对此优化问题进行求解,最终解决了单轮电机失效时四种驱动模式的选择问题,为改善单轮电机失效时四轮轮毂电动汽车的转向特性,防止车辆侧滑失稳提供了理论依据。最后采用汽车动力学仿真软件TESIS DYNAware对所提理论的正确性进行了仿真验证。     

High-power SiC MESFET using dual p-buffer layer for S-band power amplifier

Silicon carbide (SiC) based metal semiconductor field effect transistor (MESFET) is fabricated by using a standard SiC MESFET structure with the application of a dual p-buffer layer and a multi-recessed gate to the process for S-band power amplifier. The lower doped upper-buffer layer serves to maintain the channel current, while the higher doped lower-buffer layer is used to provide excellent electron confinement in the channel layer. A 20-mm gate periphery SiC MESFET biased at a drain voltage of 85 V demonstrates a pulsed wave saturated output power of 94 W, a linear gain of 11.7 dB, and a maximum power added efficiency of 24.3% at 3.4 GHz. These results are improved compared with those of the conventional single p-buffer MESFET fabricated in this work using the same process. A radio-frequency power output greater than 4.7 W/mm is achieved, showing the potential as a high-voltage operation device for high-power solid-state amplifier applications.