纳米MOSFET迁移率解析模型

从玻尔兹曼方程出发，重新计算了纳米MOSFET沟道内的载流子所服从的分布函数，特别是考虑了纳米MOSFET横向电场和纵向电场之间的相互作用，并且以得到的非平衡状态下的分布函数为基础，考虑载流子寿命和速度的统计分布，给出了纳米MOSFET载流子迁移率的解析表达式.通过与数值模拟结果进行比较和分析，该迁移率解析模型形式简洁、物理概念清晰，且具有相当精度. 关键词： 玻尔兹曼方程 纳米MOSFET 迁移率 沟道有效电场     

考虑量子化效应的MOSFET阈值电压解析模型

根据改进后的三角势阱场近似，并考虑量子化效应，提出了一种基于物理的阈值电压解析模型，给出了MOSFET的阈值电压解析表达式，并与经典理论和数值模拟结果进行了比较. 关键词： 量子效应 阈值电压 反型层 表面势     

乙烯酮自由基(HCCO·)与氧气(O2)反应势能面的理论研究

在G2(B3LYP／MP2／CC)水平上对反应HCCO O2进行了计算,得到了反应势能面,提出了3种可能的反应机理：(1)四元环反应机理得到产物P1(HCO CO2);(2)三元环反应机理得到产物P2(CO HCO2);(3)O-O键断裂反应机理得到产物P3(O OCC(O)H)和P4(O CO HCO)．由反应势能面推测产物P1(HCO CO2)为主要产物,产物P2(CO HCO2),P3(O OCC(O)H)P4(O CO HCO)为次要产物．     

双笼羰基化合物C120CO的理论研究

用INDO系列方法对双笼化合物C₁₂₀CO进行了理论研究,结果表明,C₁₂₀CO中O具有较大的电负性,在此位置可形成氢键.分子内电荷转移较大,非线性光学系数可能较大.C₁₂₀CO的电子光谱与C₁₂₀CH₂和C₁₂₀O的相似.     

过渡金属复合氧化物电子组态与表面光伏响应的关系(Ⅰ)──M(Ⅱ)铁酸盐(M=Cu,Co,Ni)的研究

利用表面光电压谱及场诱导表面光电压谱研究了部分过渡金属复合氧化物的电子组态与其光伏响应的关系.结果表明,在过渡金属M(M＝Cu,Co,Ni)铁酸盐系列样品中,开壳层的Cu(Ⅱ)(铁酸盐)和CO(Ⅱ)(铁酸盐)的电荷转移跃迁(CT)具有双激发态的成分,其中含有较强的低能电子跃迁;与它们相比,闭壳层的Ni(Ⅱ)铁酸盐的CT跃迁则需要较大的能量.三者的FISPS证实了它们具有不同的CT跃迁性质,为其催化反应机理研究提供了微观信息.     

^29SiNMR测定含氢硅油中Si—H键含量

聚二甲基甲基氢化硅氧烷(简称含氢硅油)是一类反应性有机硅聚合物。这类聚合物中含有的si—H键十分活泼,其化学性质在有机硅工业中十分有用,如合成不同类型的硅油、有机硅树脂、硅橡胶、改性有机硅表面活性剂等。     

细胞色素p450 2s1(CYP2s1)三维结构模建及其与维甲酸分子的对接研究

利用同源模建和分子动力学模拟,模建了细胞色素P450(CYP2s1)的三维结构．在模建结构的基础上,分析了活性位点的组成和结构,并进行了与小分子(维甲酸)的分子对接研究．研究结果表明,在由维甲酸和CYP2s1形成的复合物中,非键相互作用较强,其中,GLu411和Ala414是与维甲酸相互作用能最强的两个残基,对复合物的结合起重要作用．     

SiNP分子结构及稳定性的理论研究

采用B3LYP/6-311G(d),QCISD和CCSD(T)方法,对单重态和三重态SiNP体系的异构化进行了研究.在QCISD/6-311G(d)水平下,得到了7个稳定的异构体,它们由4个过渡态所连接,其中三重态线型异构体SiNP(31,3Σ1),单重态环状异构体SiNP(14,1A')和单重态线型异构体SiNP(11,1Σ)都具有较大的热力学及动力学稳定性.     

Jahn－Teller变形后C60－的结构和电子光谱

用INDO系列方法对C₆₀^－进行几何构型优化,得到D_3d对称性的构型,表明C₆₀^－确实发生了Jahn-Teller畸变,导致单键变短,双键变长,形成10种键,6种不等同碳原子,并以此构型为基础,计算了C₆₀^－的电子光谱,与实验结果吻合;同时对光谱进行了理论指认;最后对C₆₀^－的3种构型：D_5d,D_3d,D_2h的几何构型、能量、光谱和反应特性进行了分析、比较和总结。     

孪函数N电子基向Slater多电子反对称基的展开

发展了一套孪函数多电子基向Slater行列式的展开方法,并得到展开系数的解析表达式,使得孪函数多电子基直接与Hartree-Fock从头计算相关联.