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1.
为寻求新型热障涂层用陶瓷材料,本文采用高温固相烧结法制备了(Sm0.5Gd0.2Nd0.3)2(Hf0.3Ce0.7)2O7复合氧化物。利用XRD分析了其晶体结构,SEM分析其显微组织,膨胀仪测试其热膨胀性能,激光热导仪测试其热扩散系数。结果表明,成功制备了具有单一萤石晶体结构的(Sm0.5Gd0.2Nd0.3)2(Hf0.3Ce0.7)2O7复合氧化物。其显微组织结构致密,晶界清晰无其他相存在。由于复杂的元素组成和较大的原子量,其热导率明显低于7YSZ和Sm2Ce2O7。其较低的热膨胀系数则归因于B位离子较小的离子半径,但其热膨胀系数依然满足热障涂层的要求。 相似文献
2.
本研究采用PO43-掺杂和AlF3包覆的协同改性策略制备了P-LNCM@AlF3正极材料(P=PO43- ,LNCM=Li1.2Ni0.13Co0.13Mn0.54O2),提高了LNCM的结构稳定性以及抑制了界面副反应。其中,大四面体的PO43-聚阴离子掺杂在晶格中抑制了过渡金属离子的迁移,降低体积变化,从而稳定了晶体结构,而且PO43-掺杂能够扩大锂层间距,促进Li+的扩散,从而提升材料的倍率性能。此外,AlF3包覆层能抑制材料与电解液的副反应从而提升界面稳定性。基于以上优势,P-LNCM@AlF3正极表现出了优异的电化学性能。在1C电流密度下表现出了179.2 mAh·g-1的放电比容量,循环200圈后仍有161.5 mAh·g-1的放电比容量,容量保持率可达90.12%。即使在5C的高电流密度下仍可提供128.8 mAh·g-1的放电比容量。 相似文献
3.
针对一个制造商和两个具有竞争性的零售商组成的供应链两阶段博弈模型.首先考虑下游零售商之间的Stackelberg博弈,然后又以整体最优讨论制造商为主导的Stackelberg博弈的两阶段博弈模型.数字实验结果表明:该策略不仅能提高制造商的利润,而且能改善销售商的利润,特别是对于供应链成员之间具有较高的竞争强度. 相似文献
4.
5.
6.
Model-based predictive controller design for a class of nonlinear networked systems with communication delays and data loss 下载免费PDF全文
This paper discusses the model-based predictive controller design of networked nonlinear systems with communication delay and data loss. Based on the analysis of the closed-loop networked predictive control systems, the model-based networked predictive control strategy can compensate for communication delay and data loss in an active way. The designed model-based predictive controller can also guarantee the stability of the closed-loop networked system. The simulation results demonstrate the feasibility and efficacy of the proposed model-based predictive controller design scheme. 相似文献
7.
8.
通过计算化学结合谱学实验揭示了四溴化碳与卤阴离子在质子溶剂中形成的CBr4…X-…H-C三角形的三键超分子复合物的作用模式. 卤键与氢键的强度均遵循:碘化物>溴化物>氯化物. 三键复合物中的卤键与氢键均呈现一定的协同效应. 紫外可见吸收光谱观察到四溴化碳与卤阴离子作用出现的新电荷转移峰,即卤键作用的吸收峰. 并利用Benesi-Hildebrand法确定了1:1的化学计量比、摩尔吸光系数及键合常数. 摩尔吸光系数及键合常数受溶剂的介电常数影响,在相同溶剂中遵循碘化物>溴化物>氯化物. 由键合常数表示的作用强度与理论计算的作用能相一致. 红外光谱测定的溶剂分子C-H振动频率随卤阴离子的加入有明显的红移,预示着C-H…X-氢键的形成. 实验与理论均证明这种通过共享卤阴离子的三键复合物的存在. 相似文献
9.
A three-dimensional(3D)silicon-carbide(SiC)trench metal-oxide-semiconductor field-effect transistor(MOSFET)with a heterojunction diode(HJD-TMOS)is proposed and studied in this work.The SiC MOSFET is characterized by an HJD which is partially embedded on one side of the gate.When the device is in the turn-on state,the body parasitic diode can be effectively controlled by the embedded HJD,the switching loss thus decreases for the device.Moreover,a highly-doped P+layer is encircled the gate oxide on the same side as the HJD and under the gate oxide,which is used to lighten the electric field concentration and improve the reliability of gate oxide layer.Physical mechanism for the HJD-TMOS is analyzed.Comparing with the conventional device with the same level of on-resistance,the breakdown voltage of the HJD-TMOS is improved by 23.4%,and the miller charge and the switching loss decrease by 43.2%and 48.6%,respectively. 相似文献
10.