反对称分子动力学模型中的冻结概念（英文）

给出了反对称分子动力学模型(AMD)计算的50 Me V/nucleon112Sn+112Sn反应的分析结果。该研究是反对称分子动力学模型中统计冻结概念的部分研究结果。利用自洽法结合修正的Fisher模型,提取了发射源的温度和密度分别为T=(6.1±0.2)Me V,ρ/ρ0=0.69±0.03。通过与AMD模型计算的系统在时间演化过程中的最大密度比较,得出碎片发射源的密度远小于系统的最大密度。利用自洽法提取的温度和密度与35 Me V/nucleon的40Ca+40Ca反应系统及40 Me V/nucleon的64Zn+112Sn反应系统所提取的温度和密度非常接近。该结果表明反对称分子动力学模型中,系统在中等质量碎片形成时刻处于统计冻结体积。     

离焦对散斑测量灵敏度的影响

本文分析了象差函数对光学传递函数的性态影响,指出在用白光主观散斑法测量曲面变形时,由于成象系统不能对曲面上各点同时对焦,各物点有不同程度的离焦,而造成光学传递函数对频率响应的下降,有效截止频率的降低,从而影响其测量灵敏度的提高。     

钼铁中钼的快速分析方法

在参照GB5059.1-85的基础上,以稀硝酸溶解试样,EDTA为掩蔽剂,在乙酸铵-乙酸（pH4.5）的缓冲溶液中,8-羟基喹啉与钼生成黄色沉淀,干燥称量无水羟基喹啉盐[MoO2(C9H6NO)2]。分别对沉淀时pH值、陈化时间、沉淀剂的用量进行选择。研究出了一种快速、准确、经济的分析方 法。分析精密度高、准确度好,完全能够满足生产分析要求。     

毛细管电泳氨类手性药物对映体拆分机理研究

手性药物及其对映体在药理上可表现出较大的差异,对它们进行研究将具有重要的理论意义和实用价值[1,2].毛细管区带电泳因其分离效率高、药品和试剂用量少、方法简单而成为目前手性拆分鉴定的重要方法之一[3].     

钛(Ⅳ)催化Meerwein-Ponndorf-Verley-Oppenauer反应

本文研究了各种Ti(Ⅳ)化合物:Ti(OR)_4(R=Et,~iPr,~nBu),TiCl_4,CP_2TiC_2,Cp_2Ti(OPh)_2对Meerwein-Ponndorf-Verley-Oppenauer反应的催化活性。试验表明Ti(O~iPr)_4对还原反应显示出极好的催化活性,还原苯甲醛,对氯苯甲醛,对硝基苯甲醛,对甲氧基苯甲醛,糠醛,巴豆醛的产率可达80％以上。Ti(OEt)_4对氧化反应有良好的催化活性,对正辛醇,2-辛醇,苯甲醇,环已醇,肉桂醇的氧化产率在69％以上。同时还考察了各种参数对反应的影响。     

Performance of a double sided silicon strip detector as a transmission detector for heavy ions

The performance of a double sided silicon strip detector （DSSSD）, which is used for the position and energy detection of heavy ions, is reported. The analysis shows that although the incomplete charge collection （ICC） and charge sharing （CS） effects of the DSSSD give rise to a loss of energy resolution, the position information is recorded without ambiguity. Representations of ICC/CS events in the energy spectra are shown and their origins are confirmed by correlation analysis of the spectra from both the junction side and ohmic side of the DSSSD.     

Self-screening of the polarized electric field in wurtzite gallium nitride along [0001] direction

The strong polarization effect of GaN-based materials is widely used in high-performance devices such as white-light-emitting diodes (white LEDs), high electron mobility transistors (HEMTs), and GaN polarization superjunctions. However, the current researches on the polarization mechanism of GaN-based materials are not sufficient. In this paper, we studied the influence of polarization on electric field and energy band characteristics of Ga-face GaN bulk materials by using a combination of theoretical analysis and semiconductor technology computer-aided design (TCAD) simulation. The self-screening effect in Ga-face bulk GaN under ideal and non-ideal conditions is studied respectively. We believe that the formation of high-density two-dimensional electron gas (2DEG) in GaN is the accumulation of screening charges. We also clarify the source and accumulation of the screening charges caused by the GaN self-screening effect in this paper and aim to guide the design and optimization of high-performance GaN-based devices.     

钛及钛合金中微量钇的光谱测定

钛及钛合金中微量钇的测定,一般采用化学法,但该法流程冗长、试剂用量大、工作量也大。若采用光谱法则能克服上述缺点。本文对光谱测定条件如:载体及载体量、电流强度、电极形状,曝光时间等进行了试验。结果表明,用选定方法,对三种钛及钛合金中加50微克钇标准(以溶液形式加入基体中)的试样进行试验,测定8次的回收率为:TC4合金80—108%,TA_2纯钛80—108%,TF_1回收率80—90%;与化学法结果对照尚为满意。另外,用含50微克钇的试样,分三块板摄取31条谱,求得相对标准偏差为:     

用直接散斑法对平面应力问题进行全场应变分布测定的实验与分析

本文通过直接散斑法和云纹法测定带小孔薄板在单向拉伸载荷作用下的应变分布,分析了激光散斑法和云纹法之间的内在关系,讨论了直接记录的散斑底片和照相记录的散斑底片各自在频率响应上所呈现出的差别,利用空间频率概念作为定量刻划散斑法和云纹法在测量应变时的灵敏度的共同标准。实验中所测应变范围较大,包括完全弹性应变、局部屈服应变以及卸载后的残余应变。得到的均是全场分布信息,实验值与计算结果符合较好。