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本文采用椭圆偏振光谱法研究了剂量为1×1016—3×1012cm-2的As+注入硅,及其在700℃退火后的光学性质。得出:当As+注入剂量增大到某一程度后,便呈非晶特性。低于临界剂量的样品,其n-λ,ε2-λ关系曲线随剂量的增大而往下方移动,呈有规律变化;退火后,在大于4000?波段,n-λ与ε2-λ曲线基本恢复到单晶硅状态。但在小于4000?的紫外区却未完全恢复,注入剂量越大,偏离单晶硅就越大。并指出,紫外光区是离子注入硅的信息敏感区;用有效质量模型计算出注入剂量与损伤度的关系。计算结果与实验符合得较好。
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金属-半导体界面与肖特基势垒 总被引:1,自引:0,他引:1
本文主要评述关于肖特基势垒、半导体表面态和金属-半导体界面的实验研究和近年来的进展。第一部分介绍肖特基势垒的基本理论,实验方法和测量结果。第二部分介绍半导体表面态的实验研究,主要是用光电子能谱获得的成果。第三部分介绍近年来关于肖特基势垒和金属-半导体界面的一些研究进展。文中着重介绍美Stanford大学Spicer研究组的一系列贡献。 相似文献
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本文研究了贵金属-CaAs(110)界面形成过程中hν=21.2eV和40.8eV的价带光电子谱的演化,在小于0.5单原子层淀积金属时,观察到所谓原子样Ag5s和Au6s态。大约从10埃到几十埃的淀积金属范围内,发现贵金属价带发射极大值现象。用金属原子团的形成、岛状生长与界面反应相关的观点讨论了实验结果。
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分数微积分是一种正在发展的数学工具,在物理研究中还没有广泛应用,我们在本文中首先给一通俗介绍,然后介绍我们把分数微积分引入半导体物理,对带间跃迁光谱进行分析的工作.着重描述所导出的带间跃迁介电函数的分数微积分表达式,以及一种叫做分数微分谱的新型谱.这种谱可用于测定能带临界点参数和维度分析,也可用于分数维度的场合. 相似文献
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We report the ellipsometric spectrum studies on a new kind of conducting polymers, polyaniline. In the UV-visible range (1.4-4.8eV photon energy region) the absorption coef-ficient, the complex dielectric function and the refractive index of polyaniline as functions of photon energy are obtained. The spectra of nonconducting and fully conducting polyaniline have been analyzed and discussed. The experimental results show that the emeraldine base form of polyaniline has a large energy gap (Eg~3.6eV) and its absorption spectrum shows a broad exciton absorption peak centered at 2 eV. The absorption spectrum of emeraldine salt after protonation have four absorption peaks centered at 1.5, 1.83, 3.0 and 3.88eV. We also investigated the spectrum evolution of the samples from nonconducting (σ<10-9Ω-1·cm-1) to conducting (σ≈10+1Ω-1·cm-1) states, and give the dielectric function and the refractive index of the samples. 相似文献
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