Si-SiO_2界面的粗糙度

利用椭偏反射光谱不但验证了Si-SiO_2界面是一祖糙面,而且在恰当的模拟形貌下,把这界面粗糙层等效为若干子层,用有效介质理论处理。分别得到各自的介电特性。通过多相椭偏光反射光谱的理论计算值ψ_(cal),△_(cal)与实验值ψ_(exp),△_(exp)的比较,把粗糙的高度H及相关长度L确定,把不同条件下制备的样品的粗糙度和它们的电气性能相对比,发现两者之间的趋势十分一致。同时发现,在界面上Si的介电常数具有轻度的各向异性。     

椭偏光谱对复数折射率薄膜的研究——ITO膜光学常数的色散和生长规律

本文提出一个利用椭偏光谱测量复数折射率薄膜的方法。由于引入一个新的目标函数,把搜索的参量空间的维数减至四维,因此不但可以测得薄膜的光学常数和厚度,并且可同时确定衬底的光学常数。我们应用这个方法对射频溅射在硅衬底上生长的ITO膜光学常数的色散和生长规律进行了初步研究,发现硅衬底的表观光学常数也发生了变化 关键词：     

Si-SiO2膜的椭圆偏振光谱

我们建立了椭圆偏振光谱仪装置,提出一种较简便的测定方法(测I_max,I_min,θ_min,算(ψ,Δ)-λ),并对具有不同厚度氧化硅膜的硅样品进行了测量。还在理论上计算了光谱曲线,与实验结果基本相符。最后,对比了测定膜厚的偏振光谱法与消光法。 关键词：     

射频溅射无定形硅的总空位体积分数

本文叙述了借助于有效介质理论,利用椭圆偏振光谱测算a-Si的总空位体积分数的方法。不同氩压力条件下射频溅射制备的a-Si薄膜的电学性质和光学性质的变化借助于它们的总空位体积分数的变化可以得到满意的解释。这说明测定a-Si薄膜的总空位体积分数是有意义的。测量结果表明,总空位体积分数与氩原子占据的体积分数一致。 关键词：     

椭偏光谱对复数折射率薄膜的研究 ITO膜光学常数的色散和生长规律

本文提出一个利用椭偏光谱测量复数折射率薄膜的方法。由于引入一个新的目标函数,把搜索的参量空间的维数减至四维,因此不但可以测得薄膜的光学常数和厚度,并且可同时确定衬底的光学常数。我们应用这个方法对射频溅射在硅衬底上生长的ITO膜光学常数的色散和生长规律进行了初步研究,发现硅衬底的表观光学常数也发生了变化     

Si-SiO2界面的粗糙度

利用椭偏反射光谱不但验证了Si-SiO₂界面是一祖糙面,而且在恰当的模拟形貌下,把这界面粗糙层等效为若干子层,用有效介质理论处理。分别得到各自的介电特性。通过多相椭偏光反射光谱的理论计算值ψ_cal,△_cal与实验值ψ_exp,△_exp的比较,把粗糙的高度H及相关长度L确定,把不同条件下制备的样品的粗糙度和它们的电气性能相对比,发现两者之间的趋势十分一致。同时发现,在界面上Si的介电常数具有轻度的各向异性。 关键词：     

Si-SiO_2膜的椭圆偏振光谱

我们建立了椭圆偏振光谱仪装置,提出一种较简便的测定方法(测I_(max),I_(min),θ_(min),算(ψ,Δ)-λ),并对具有不同厚度氧化硅膜的硅样品进行了测量。还在理论上计算了光谱曲线,与实验结果基本相符。最后,对比了测定膜厚的偏振光谱法与消光法。     

Pt/Si界面的椭圆偏振光谱研究

本文应用椭圆偏振光谱法,研究未经热处理的Pt/(n-Si)界面.在350O(?)～650O(?)的光谱范围内,对椭圆偏振光谱的测量数据进行分析计算,以确定界面的光学响应.结果表明,Pt/(n-Si)界面存在着一界面层,其厚度d_2-30±1(?).本工作同时得到了该界面层的表观光学常数谱和介电函数谱.应用有效介质理论对界面层的介电函数谱进行拟合分析,结果指出,界面层存在着富硅的氧化物(其平均效果是SiO_(1.54)),界面区是Pt、Si和富硅氧化物的物理混合和化学混合区.     

分子束外延

分子束外延是七十年代初在真空蒸发外延的基础上发展起来的一种新的外延技术.它是把要蒸发的外延物质,放在喷射炉中,在10-10托以上超高真空的喷射室内加热,使物质蒸发.蒸气分子从喷射炉的小孔射出,成为分子束,直接在保持有一定温度的衬底上淀积(见图1). 从分子一个一个地粘附在衬底表面形成外延淀积这一点来看,分子束外延与真空蒸发外延本质上相同.但普通真空蒸发系统的真空度为10-6托左右,系统内残留的气体分子有相当一部分会掺入到外延层.因此,要求有较高的淀积速度,以免残留气体严重掺入.分子束外延在10-10托以上的超高真空下进行,除统内…