电场作用下高分子中自陷束缚激子的极化

用同时计入电场、对称破缺项t_e和电子-晶格相互作用的紧束缚模型研究了电场作用下高分子中的自陷束缚激子.发现电场使高分子中自陷束缚激子内电荷发生转移，出现极化.极化程度随场强增加，也与t_e有关.并发现t_e≤0.1 eV时，双激子态表现出反向极化特性，这一特性可根据极化的量子力学理论得到理解：对高分子的自陷束缚激子，其禁带中央附近存在两个靠得很近的定域电子态即上定域态和下定域态，用微扰论说明了上定域态是反向极化而下定域态为正向极化；双激子态即上     

BOND STRUCTURE AND ELECTRON STATES OF CHARGED C60

In the alkali-metal doped C₆₀, the charge transfer induces the distortion of the bond structure and forms the self-trapping electronic bound states. Our theory manifests: 1, the charge transfer reduces the symmetry of C₆₀ from I_h to D_5d. 2, Both the bond distortion and the self-trapping states possess layer structures and are localized in the equatorial area. 3, The carbon atoms in charged C₆₀ are divided into eight layers with an inversion center, then there exist four nonequivalent groups of carbon atoms. It makes the NMR line split into a fine structure with strength ratio 1:1:2:2. 4, The charged C₆₀ has two self-trapping bound states, one is 0.06eV above HOMO with odd parity and the other is 0.05 eV below LUMO with even parity.     

电场作用下高分子中自陷束缚激了的极化

用同时计入电场、对称破损项ｔｅ和电子－晶格相互作用的紧束缚模型研究了电场作用下高分子中的自陷束缚激子，发现电场使高分子中自吵缚激子内电荷发生转移，出现极化，极化程度随场强增加，也与ｔｅ有关，并发现ｔｅ≤０．１ｅＶ时，双激子态表现出反向极化特性，这一特性可根据极化的量子力学化理论得到理解：对高分子的自陷束缚激子，其禁带中央附近存在两上靠得很近的定域电子态即上定域态和下定域态，用微扰论说明限上定域态是     

电场中高分子的发光和激子的解离

研究了电场对高分子的发光及激子的影响.1.在强电场中，激子会解离成正负极化子对，这可定量解释最近观察到的实验：(1)电场超过1.5MV/cm时，PPP衍生物的发光强度很快减弱；(2)电场对4.5MV/cm时，发光强度减为24%；(3)电场使发光光谱向蓝色移动.2.高分子中π电子具有“离域性”，易于极化.算得高分子中激子具有很大的极化率，比氢原子大三个数量级以上. 关键词：     

强耦合一维电子-晶格体系中孤子激活能

计算了在不同电子-晶格耦合强度λ下,一维电子-晶格体系中孤子激活能ε₁(λ)及电子激发到禁带中央分立能级所需能量△(λ)。得到孤子激活能随λ增大而增大;但对不同λ,孤子激活能总是小于产生一个电子或空穴所需能量。 关键词：     

聚合物中光激发在电场作用下的转化

用动力学方法模拟了在聚合物中观察到的“场诱导电荷产生”现象,给出了聚合物链上键结构和电荷分布随时间的演变过程,并确定了激子变为极化子对的弛豫时间. 关键词：     

导电聚合物中的非线性光学效应

本文研究了导电聚合物的三阶非线性光学极化,分析了提高非线性系数的物理因素。对于三次谐波产生系数得到了与实验一致的结果。 关键词：     

发光聚合物中光激发引起磁化率改变的新现象

揭示了发光聚合物中光激发引起的一个新现象，光激发即吸收一个光子 使发光聚合物中的正双极化子分裂成两个带正电的极化子，从而使发光聚合物的磁化率改变。     

电子关联对C60激子极化子的影响

本文采用扩展的Ｈｕｂｂａｒｄ模型，在电子－晶格耦合的紧束缚近似下，研究了光激发下的Ｃ₆₀，分子的激子态和极化子态。我们发现，电子关联效应相当敏感地影响到单态和三态激子的束缚能。同时，Ｃ₆₀分子动力学晶格弛豫使激子极化子得以形成。光激发下的Ｃ₆₀分子，在电子相互作用Ｕ～５．０ｅＶ，Ｖ～２．０ｅＶ时，能够定性地解释荧光发射谱。 关键词：     

原子无序起伏对C60的影响

用高斯型分布的独立无规参数模拟起因于热涨落等原因的格点原子无序起伏，并用对大量彼此独立的原子无序起伏方式采样取平均的方法，研究了原子无序起伏对光激发和电子转移C₆₀的键长和格点电子密度分布的影响．得到了C₆₀中键长和格点电子密度相对于原子无序起伏强度、额外电荷数目和种类的分布曲线．发现：1）在C₆₀的长、短键之差等于0.0044nm，格点原子无序起伏强度为0—0.01nm时，C₆₀中的二聚化结构仍然存在．2）在格点原子 关键词：