La0.8Ca0.2MnO3纳米线的制备及表征

利用Sol-gel法结合氧化铝模板技术制备了La0.8Ca0.2MnO3纳米线, 并研究了两种热处理方法对 La0.8Ca0.2MnO3纳米线结构和形貌的影响. 快速升温到800 ℃得到的La0.8Ca0.2MnO3纳米线较粗, 其直径大于氧化铝模板的孔径, 而经过缓慢升温到400 ℃预处理再升温到800 ℃得到的La0.8Ca0.2MnO3纳米线, 其直径和氧化铝模板的孔径相当, 都约为35 nm. X射线衍射和透射电镜分析结果表明, 两种方法得到的 La0.8Ca0.2MnO3纳米线都是具有钙钛矿结构的属于单斜晶系的多晶材料.     

低起始温度的线性升温热处理对直拉硅中氧沉淀的影响

研究了直拉硅片从不同的温度线性升温(Ramping)到750℃，然后在750℃退火64 h过程中的氧沉淀行为. 结果表明，Ramping对硅片中氧沉淀的形成有明显的促进作用，且起始温度越低促进作用越强. 这是因为在Ramping处理中，低温(450—650℃)热处理阶段氧的扩散速率显著增强，促进了氧沉淀核心的形成，且较低的Ramping升温速率有利于氧沉淀核心的稳定和继续长大. 进一步的实验结果还表明，低起始温度的Ramping处理可应用于硅片的内吸杂工艺，能促进氧沉淀的生成提高硅片的内吸杂能力，减少热预     

TiO_2薄膜的硼掺杂对TiO_2/p~+-Si异质结器件电致发光的增强

利用磁控溅射在重掺硼硅(p+-Si)衬底上分别沉积TiO2薄膜和掺硼的TiO2(Ti O2∶B)薄膜,并经过氧气氛下600℃热处理,由此形成相应的TiO2/p+-Si和TiO2∶B/p+-Si异质结。与Ti O2/p+-Si异质结器件相比,TiO2∶B/p+-Si异质结器件的电致发光有明显的增强。分析认为:TiO2∶B薄膜经过热处理后,B原子进入TiO2晶格的间隙位,引入了额外的氧空位,而氧空位是TiO2/p+-Si异质结器件电致发光的发光中心,所以上述由B掺杂引起的氧空位浓度的增加是TiO2∶B/p+-Si异质结器件电致发光增强的原因。     

发光多孔硅的X射线光电子能谱深度剖析

用X射线光电子能谱测量了经电解腐蚀后硅片表面的发光物质.发现发光膜中与发光有关的物质为硅氧化合物,其成分与二氧化硅接近,但O/Si小于2,并含有约百分之一数量级的氟,由氩离子刻蚀条件估算发光膜的厚度为微米数量级.随氩离子束的轰击,发光膜的发光强度下降,波长红移. 关键词：     

脉冲激光沉积法制备的ZnO薄膜的低阈值电抽运紫外随机激射

分别采用直流反应溅射法和脉冲激光沉积法在硅衬底上沉积ZnO薄膜, 用X射线衍射、扫描电镜、光致发光谱等手段对两种方法沉积的ZnO薄膜的结晶状态、 表面形貌和光致发光等进行了表征. 进一步对比研究了以上述两种方法制备的ZnO薄膜作为发光层的金属-绝缘体-半导体结构器件的电抽运紫外随机激射. 结果表明, 与以溅射法制备的ZnO薄膜作为发光层的器件相比, 以脉冲激光沉积法制备的ZnO薄膜为发光层的器件具有更低的紫外光随机激射阈值电流和更高的输出光功率. 这是由于脉冲激光沉积法制备的ZnO薄膜中的缺陷更少, 从而显著地减少了紫外光在光散射过程中的光损耗. 关键词： 随机激射 ZnO薄膜 脉冲激光沉积 溅射     

Oxygen Precipitation within Denuded Zone Founded by Rapid Thermal Processing in Czochralski Silicon Wafers

Oxygen precipitation within the magic denuded zone （MDZ） founded by rapid thermal processing in Czochralski silicon （CZ-Si） wafers is investigated. After the standard MDZ process, the CZ-Si wafers are further subjected to two specific oxygen precipitation annealing, respectively. It is found that the MDZs in CZ-Si wafers shrunk notably because oxygen precipitation occurs within the MDZs. However, a width of substantial DZ still remains within the wafer. Therefore, it is believed that the outer region of the MDZs, which corresponds to the oxygen denuded zone formed in the course of rapid thermal process and high temperature annealing, is a substantial defect-free zone which acts as the active area for semiconductor devices.     

微氮直拉硅单晶中氧化诱生层错透射电镜研究

利用透射电镜研究了热氧化过程中含氮（NCZ）和不含氮（CZ）直拉硅单晶的氧化诱生缺陷.研究表明，NCZ中的氧化诱生层错的尺寸随着湿氧氧化时间的延长而减小，并有冲出型位错产生.而在CZ中，生成了大量的多面体氧沉淀，并且随着热氧化时间的延长，层错的尺寸逐渐增大. 关键词： 直拉硅 透射电镜 氧化诱生层错     

La0.8Ca0．2MnO3纳米线的制备及表征

利用Sol—gel法结合氧化铝模板技术制备了La0.8Ca0.2MnO3纳米线，并研究了两种热处理方法对La0.8Ca0．2MnO3纳米线结构和形貌的影响．快速升温到800℃得到的La0．8Ca0.2MnO3纳米线较粗，其直径大于氧化铝模板的孔径，而经过缓慢升温到400℃预处理再升温到800℃得到的La0.8Ca0.2MnO3纳米线，其直径和氧化铝模板的孔径相当，都约为35nm．X射线衍射和透射电镜分析结果表明，两种方法得到的La0.8Ca0.2MnO3纳米线都是具有钙钛矿结构的属于单斜晶系的多晶材料．     

单晶硅片中的位错在快速热处理过程中的滑移

研究了单晶硅片中维氏压痕诱生的位错在不同气氛下高温快速热处理中的滑移行为.研究表明: 在快速热处理时, 位错在压痕残余应力的弛豫过程中能发生快速滑移; 当快速热处理温度高于1100℃时, 在氮气氛下处理的硅片比在氩气氛下处理的硅片有更小的位错滑移距离. 我们认为这是由于氮气氛下的高温快速热处理在压痕处注入的氮原子钉扎了位错, 增加了位错的临界滑移应力, 从而在相当程度上抑制了位错的滑移. 可以推断氮气氛下的高温快速热处理注入的氮原子增强了硅片的机械强度. 关键词： 快速热处理 位错滑移 机械性能 单晶硅     

直拉硅中氮在高温退火过程中对氧沉淀的影响

研究了掺氮直拉硅单晶（NCZ）中氮在高温退火过程中对氧沉淀的影响.通过不同温度高温退 火后，测量氧沉淀的生成量和观察硅片体内微缺陷（BMD）密度与高温形核时间的变化关系 ，同时用透射电子显微镜(TEM)观察氧沉淀及相关缺陷的微观结构.实验结果表明高温退火后 氮对硅中氧沉淀形核有明显的促进作用，在相同退火条件下NCZ硅中BMD密度要远远高于相应 的普通直拉硅.这是由于氮在高温下与氧反应形成氮氧复合体（N-V-O）促进了氧沉淀的形核 ，而且TEM的结果表明氧沉淀的形态都是平板状，周围存在应力场. 关键词： 直拉硅 掺氮 氧沉淀