发光多孔硅的X射线光电子能谱深度剖析

用X射线光电子能谱测量了经电解腐蚀后硅片表面的发光物质.发现发光膜中与发光有关的物质为硅氧化合物,其成分与二氧化硅接近,但O/Si小于2,并含有约百分之一数量级的氟,由氩离子刻蚀条件估算发光膜的厚度为微米数量级.随氩离子束的轰击,发光膜的发光强度下降,波长红移. 关键词：     

化学汽相沉积法生长微晶过程中的旋涡现象

本文报道了用高分辨电子显微术(HREM)观察辉光放电汽相淀积制备的Si:H薄膜,和热化学气相合成法制备的超细SiC粉末时发现的原子密排面呈旋涡状排列的旋涡现象,描述了这种旋涡现象的结构特点,分析了旋涡结构的形成原因,及其能保留下来的条件,讨论了这种旋涡现象与微晶形核生长过程的联系。 关键词：     

样品表面层有微观应变梯度时Warren-Averbach方法的修正

本文讨论了样品表面层有微观应变梯度时X射线衍射线形分析的方法.设样品表面层微观应变随深度t的变化满足关系式<ε_L²>=∑a_m(L)t^m,从而改进了Warren-Averbacb方法,使之可以应用到表面层存在微观应变梯度的情形.若<ε_L²>=a₀(L)+a₁(L)t,则分析二种波长不同的X射线同一衍射方向的衍射线形,可以得到微观应变随深度的变化规律. 关键词：