Hydrogen Passivation Effect on Enhanced Luminescence from Nanocrystalline Si/SiO2 Multilayers

Nanocrystalline Si/SiO2 multilayers are prepared by thermally annealing amorphous Si/SiO2 stacked structures. The photoluminescence intensity is obviously enhanced after hydrogen passivation at various temperatures. It is suggested that the hydrogen trapping and detrapping processes at different temperatures strongly influence the passivation effect. Direct experimental evidence is given by electron spin resonance spectra that hydrogen effectively reduces the nonradiative defect states existing in the Si nanocrystas/SiO2 system which enhances the radiative recombination probability. The luminescence characteristic shows its stability after hydrogen passivation even after aging eight months.     

Efficient two-photon sensitized luminescence of europium （Ⅲ） complex based on hypersensitive transitions

Red frequency-upconversion fluorescence emission is observed in europium(Ⅲ) complex with encapsulating polybenzimidazole tripodal ligands, pumped with 930- and 1070-nm picosecond laser pulses. The lumines- cence of transition 5D0 →7F2 (612 nm) is induced by two-photon absorption of hypersensitive transitions 7F0 →5D2 (465 nm) and 7F1 →5D1 (535 nm). Analysis results suggest that the two-photon excitation strength of these hypersensitive transitions is increased dramatically owing to the C3 symmetry of the coordination field.     

纳米Si/SiO2多层膜的结构表征及发光特性

采用等离子体化学气相沉积系统生长非晶硅薄膜并用原位等离子体氧化的方法制备出具有不同子层厚度的非晶Si/SiO₂多层膜,然后利用限制性晶化原理使非晶硅层晶化生成纳米硅。利用Raman、TEM等手段对薄膜结构进行了系统表征,在室温下观测到了光致发光信号,其发光峰峰位在750nm附近。进而在样品上下表面蒸镀电极,构建了电致发光原型器件并观测到了室温下的电致发光谱,开启电压约为6V,有两个明显的发光带,分别位于在650nm和520nm处。初步探讨了纳米硅及纳米硅/二氧化硅界面态对发光特性的影响。     

基于椭偏光谱仪的石英波片光轴方位探测

波片的光轴方向是波片应用中最重要的参数之一。在椭偏光谱仪透射模式下,利用琼斯矩阵对波片旋转过程中P和S两方向上位相的变化进行分析,设计了一种判断石英波片光轴方向的新方法。应用此方法判断光轴方向,具有光路结构简单,检测速度快的特点,且具有很好的实用性。     

基于电光补偿测量的光相位延迟拓展测量法

在激光电光调制补偿测量光相位延迟量过程中,加入交流调制电压形成倍频接收信号,获得消光的精确定位,能提高测量精确度。通过调制信号形状变化与相关参量之依赖关系,可拓展测量范围,解决在某些点附近无法测量波片相位的"盲区"问题。根据接收到的调制光信号形状变化趋势与待测波片样品方位、延迟量、旋转方向等条件的联系,在待测波片快轴选定后,通过波片旋转影响信号形状变化规律的观测,可敏锐地甄别在半波点或全波长点附近波片的正负偏差特性,从而解决了一般偏振干涉补偿测量相位无法解决的测量盲区问题。不改变测量系统结构也不需添加任何器件,适应于最小延迟偏差≥λ/360的情况。     

发光纳米硅/二氧化硅多层膜的特性与氢气氛退火的影响

利用等离子体增强化学气相沉积法制备了氢化非晶硅/二氧化硅多层膜，通过两步热退火的方法获得了尺寸可控的纳米硅/二氧化硅多层结构，晶粒尺寸约为4nm，在室温下观察到了较强的光致可见发光，其发光峰位于750nm.在此基础上，发现合适的氢气氛退火能有效地提高材料的发光强度.电子顺磁共振实验表明氢气氛退火有效地降低了纳米硅中的非辐射复合中心而导致发光效率的提高.     

Zr掺杂TiO_2薄膜的光学性能和光催化性能

为了研究TiO2禁带宽度和光吸收系数对其光催化性能的影响,利用电子束沉积方法在玻璃基底上制备了TiO2薄膜及Zr掺杂TiO2薄膜。采用拉曼光谱仪和分光光度计对膜的结构和吸收光谱进行了表征。研究结果表明:当退火温度为773K时,沉积得到的TiO2薄膜为锐钛矿结构薄膜;掺杂使TiO2禁带宽度变窄,吸收波长红移,在350~450nm附近光吸收系数增大,增强了TiO2的光催化活性。     

借助功能阳离子实现敏化发光的铕配合物的溶剂效应的研究

在离子缔合型铕配合物Eu(tta)₄·DEASPI中,借助功能阳离子DEASPI的电荷转移激发态可以实现对铕离子的单光子与双光子的敏化发光,其能量传递遵循Förster机制。将Eu(tta)₄·DEASPI溶解于多种有机溶剂中(丙酮、DMF、乙醇和乙腈),发现溶剂效应对于该能量传递体系的影响非常显著。借助光谱测量,发现在乙腈溶液中能量传递效率远高于其他三种溶剂。本文对造成溶剂效应的多种因素进行了详细的分析。     

尺寸可控的纳米硅的生长模型和实验验证

基于经典热力学理论，对a-SiN_x/a-Si:H/a-SiN_x三明治结构或a-Si:H/a-SiN_x多层膜结构中纳米硅成核，以及从球形到鼓形的生长过程进行了研究. 建立了限制性晶化理论模型：在纳米硅生长过程中，由于界面能增大将导致生长停止，给出限制性晶化条件——a-Si:H子层厚度小于34 nm. 在激光晶化和常规热退火两种方法形成的a-SiN_x/nc-Si/a-SiN_x三明治结构和nc-Si/a-SiN_x多层膜结构中验证了该理论模型. 关键词： 非晶硅 纳米硅 激光辐照 结晶     

激光干涉结晶技术制备二维有序分布纳米硅阵列

利用结合移相光栅掩模 (PSGM) 的激光结晶技术在超薄a-SiN_x/a-Si:H/ a-SiN _x三明治结构样品中制备出二维有序分布的纳米硅阵列.原始样品是用等离子体 增强化学气相淀积法生长.a-Si:H层厚为10nm，a-SiN_x 为50nm，衬底材料为SiO ₂/Si或 熔凝石英.原子力显微镜、剖面透射电子显微镜、高分辨透射电子显微镜对样品表面形貌和 微结构的观测结果表明，采用该方法可以在原始淀积的a-Si:H层中得到位置可控的晶化区域 ：每个晶化区域直径约250nm，具有同PSGM一致的2μm周期；晶化区域内形成的纳米硅 颗粒尺寸接近原始淀积的a-Si:H层厚，且晶粒的择优取向为<111>. 关键词： 纳米硅 激光结晶 定域晶化 移相光栅