粒子分辨CCT方法中的δ电子效应

提出了切伦科夫相关时间测量(CCT)中初始粒子在辐射体里产生的δ电子的干扰问题,以及降低干扰的方法. 通过模拟计算给出了北京τ-C工厂探测器初步设计中CCT的π/K分辨本领.     

北京τ–c工厂(BTCF)快速蒙特卡罗模拟方法的开发和应用

参考国内外现有的τ-c工厂及其探测器的设计结果,给出了BTCF探测器的总体指标. 根据这些指标设计并开发了用于BTCF物理研究的快速蒙特卡罗模拟方法,并用此方法对一系列重要的物理课题进行了蒙特卡罗模拟. 文中描述了该模拟方法的设计思想、程序流程以及这种方法在BTCF可行性研究乃至预制研究阶段的优越性,同时也给出了对若干重要物理问题的模拟结果. 从而论证了建造BTCF的必要性和不可替代性.     

北京谱仪端盖簇射计数器的能量分辨及其模拟研究

利用北京谱仪Ｊ／、Ｄｓ能量下端盖簇射计数器（ＥＳＣ）内的ｅ＋ｅ－末态事例，研究了电子簇射在ＥＳＣ中单个计数管的脉冲幅度分布、击中单元总数分布和各读出层的击中单元数分布、沉积能量分布和总沉积能量的分布；得到能量分辨约为２２％在ＳＯＢＥＲ程序框架的基础上采用双高斯分布描述单计数管脉冲幅度谱，ＥＧＳ４描述电磁簇射，考虑了三维磁场分布，完成了ＥＳＣ蒙特卡罗模拟程序，模拟结果与实验数据符合很好。     

北京谱仪端盖簇射计数器的能量分辨及其模拟研究

利用北京谱仪J/ψ、ψ′、D_s能量下端盖簇射计数器(ESC)内的e⁺e^－末态事例,研究了电子簇射在ESC中单个计数管的脉冲幅度分布、击中单元总数分布和各读出层的击中单元数分布、沉积能量分布和总沉积能量的分布;得到能量分辨约为22%/E(GeV)在SOBER程序框架的基础上采用双高斯分布描述单计数管脉冲幅度谱,EGS4描述电磁簇射,考虑了三维磁场分布,完成了ESC蒙特卡罗模拟程序,模拟结果与实验数据符合很好.     

在s~(1/2)=4.03GeV的e~+e~-湮没中D_s~+单标记的研究及D_s~+D_s~-对产生截面的测定

利用北京正负电子对撞机 (BEPC)和北京谱仪 (BES) ,基于在质心系能量s=4.0 3GeV的e+ e-湮没中 ,D+ s 单标记的分析结果 ,测定了D+ s →K 0 K+ 和D+ s →K0 K+ 衰变的分支比。其结果Br(D+ s →K 0 K+ ) =(3.0 2± 0 .94±0 .91) % ,Br(D+ s →K0 K+ ) =(3.2 8± 1.2 2± 0 .94) %与世界平均值在误差范围内一致 .用π+ ,K 0 K+ ,K0 K+ 作为单标记 ,共观测到 94± 13个D+ s 事例 ,测得在e+ e-湮没中D+ s D-s 对产生的截面为σprodD+s D-s =45 1± 6 3± 118pb .     

北京谱仪积分亮度测量的新方法

介绍了利用e⁺e^－对撞中双μ产生和双γ产生两种QED过程来测量积分亮度的新思路.前者的特色在于用单根径迹选择双μ事例,后者则是首次利用双γ事例测定亮度.两种方法分别用于1998年春季北京谱仪(BES)R值扫描6个能量点的积分亮度测量,所得结果的误差分别小于8.0%和7.5%,在误差范围内与大角度巴巴事例积分亮度值一致.     

R值扫描中积分亮度的测量

在R值扫描中利用大角度Bhabha事例测量积分亮度,较之以往的同类过程积分亮度的测量,在事例选择和探测效率的确定方面都作了较大的改进. 用不同的测量方法对本文的结果进行了检查,发现几种结果在误差范围内是一致的. 但本文的测量优化了事例选择条件,所以在一定程度上改善了系统误差.