关于消失平均振动的一个注记

本文得到了极大算子的几个不等式,并从这些结果推广了函数f∈L_(loc)~1(R,dx)属于VMO(R,dx)的一个必要条件。     

等电荷态离子与He原子碰撞中的转移电离过程研究

采用位置灵敏探测和飞行时间技术测量了等电荷态离子C^q 、N^q 、O^q 、Ne^q (q=4，5，6，7)与He原子碰撞中，转移电离截面与单电子俘获截面的比值Ro研究了相同q入射的情况下，R与入射离子核电荷数Z的依赖关系。在统计蒸发模型的基础上对实验结果进行了解释。     

用紧耦合方法研究C4+和O6+与He原子碰撞

用双中心原子轨道紧耦合方法计算了C4+-He以及O6+-He碰撞的单俘获总截面,入射离子的能量范围为10～100keV/amu,所得计算结果在实验误差范围内与实验值很好符合.对满壳层入射离子,研究了单俘获截面随入射离子电荷态的变化,并讨论了原子轨道展开波函数数目对计算结果的影响.p     

Na离子和Cl离子引起He原子直接多重电离过程的研究

利用2～8 MeV的Naq+、Clq+(q=2,3,4,5)轰击氦原子,对碰撞的直接多重电离过程进行研究.实验采用反冲离子-散射离子飞行时间符合技术,通过反冲离子飞行时间谱区分不同价态反冲离子;利用静电偏转和位置灵敏探测技术区分不同电荷态散射离子;结合CAMAC-PC多参数获取系统得到一定价态散射离子所对应的反冲离子电荷态分布谱;经分析该谱得到直接多重电离截面与直接单电离截面之比R21.讨论了R21随入射离子速度和电荷态的变化关系.     

HPLC-ECD检测羟自由基方法的研究

采用高效液相色谱结合库仑阵列多电极检测器体系(HPLC-ECD)建立了一套操作简便、高效、快速测定羟自由基的方法,并探究了检测的灵敏性,浓度和响应因子之间的线性关系,系统的稳定性等.2,3-二羟基苯甲酸(2,3-DHBA)、 2,5-二羟基苯甲酸(2,5-DHBA)以及水杨酸(SA)的相关系数分别为0.9999、 0.9996、 0.9968.2,3-DHBA和2,5-DHBA的检出限都低于0.1 ng/mL,SA的检出限均低于10 ng/mL,各种物质的方法回收率为100.5%～102.9%.     

一类数列的极限

对一道数学考研题作出推广,给出一类极限的求法.     

2-甲基-4,5-二硝基三唑-1-氧化物的合成及其结构表征

以乙二醛、甲基肼和盐酸羟胺为起始原料,经缩合、肟化得到中间体肟基甲腙;该中间体不经分离直接加入到硫酸铜-吡啶-水体系中,经缩合环化得到2-甲基三唑-1-氧化物(MTO);随后用混酸(硝酸+硫酸)硝化得到目标产物2-甲基-4,5-二硝基三唑-1-氧化物(DNMTO);初步探讨了环化反应的机理,研究了反应温度与时间等因素对硝化反应的影响,确定了最佳硝化反应条件.与此同时,利用红外光谱、核磁共振、质谱及元素分析等分析了中间产物和DNMTO的组成和结构.结果表明,目标产物的总收率为16%,纯度为99%;最佳硝化反应温度为100℃,最佳硝化反应时间为0.5h.     

氧离子与氦、氖原子碰撞中转移电离过程的研究

采用位置灵敏探测和散射离子-反冲离子飞行时间测量技术,测量了氧离子与氖和氦原子碰撞过程中转移电离截面与单电子俘获截面之比.通过比较发现测量结果与文献结果的趋势一致,并对测量结果进行了讨论.     

X-Ray Emission from Zr, Mo, In and Pb Targets Bombarded by Slow Highly Charged Ar^q＋（q = 13, 14, 15, 16） Ions

We study the L x-ray emission from Zr, Mo and In targets and M x-ray emission from Pb target under bombardment of low energy Ar^q (q = 13, 14, 15, 16) ions. The relative x-ray yields were measured in the projectile kinetic energy range 210-360 keV. It is found that the relative x-ray yields from Zr, Mo and Pb targets increase with the increasing projectile kinetic energy for Ar^14 and Ar^16 projectiles and depend on the potential energy of the projectile remarkably.     

光激电流谱的测试

用光激瞬态电流谱ＯＴＣＳ（ｏｐｉｔａｌｔｒａｎｓｉｔｉｏｎｃｕｎｅｎｔｓｐｅｃｔｒｏｓｃｏｐｙ）方法对ＩｎＰ∶Ｆｅ进行了初步测试。目的是研究半绝缘ＩｎＰ∶Ｆｅ中的深能级，了解其作为光电器件、高速器件衬底的稳定性。在低温下，用强光发现半绝缘ＩｎＰ∶Ｆｅ中存在两深能级，分别是ＥＴ＝０．３４ｅＶ的电子陷阱和ＥＴ＝１．１３ｅＶ的空穴陷阱。