Direct visualization of structural defects in 2D semiconductors

Direct visualization of the structural defects in two-dimensional (2D) semiconductors at a large scale plays a significant role in understanding their electrical/optical/magnetic properties, but is challenging. Although traditional atomic resolution imaging techniques, such as transmission electron microscopy and scanning tunneling microscopy, can directly image the structural defects, they provide only local-scale information and require complex setups. Here, we develop a simple, non-invasive wet etching method to directly visualize the structural defects in 2D semiconductors at a large scale, including both point defects and grain boundaries. Utilizing this method, we extract successfully the defects density in several different types of monolayer molybdenum disulfide samples, providing key insights into the device functions. Furthermore, the etching method we developed is anisotropic and tunable, opening up opportunities to obtain exotic edge states on demand.     

一类数列的极限

对一道数学考研题作出推广,给出一类极限的求法.     

Curie温度附近稀磁半导体(Ga,Mn)As的电学噪声谱性质

建立了自发噪声谱测量系统来研究稀磁半导体（Ga,Mn）As的电学噪声性质.通过测量（Ga,Mn）As材料的自发噪声谱，发现（Ga,Mn）As的自发涨落会随温度升高而逐渐增大，同时，外加磁场会降低（Ga,Mn）As的自发涨落，这来源于外加磁场导致的（Ga,Mn）As磁畴部分有序化.此外，不同频率的噪声随温度的变化规律有很大差异：当频率低于30 kHz的时候，噪声谱和温度的变化关系和热噪声很相似，但数值上明显大于热噪声的值；当频率在30 kHz左右的时候，噪声大小和温度成线性关系；当频率大于30 kHz以后，在相变点附近噪声大小和温度的关系出现了明显的转折，高频高温噪声的大小和热噪声的理论值非常接近.这些结果有助于深入理解（Ga,Mn）As磁性起源的物理机制. 关键词： 自旋电子学 稀磁半导体 自发涨落谱     

2-甲基-4,5-二硝基三唑-1-氧化物的合成及其结构表征

以乙二醛、甲基肼和盐酸羟胺为起始原料,经缩合、肟化得到中间体肟基甲腙;该中间体不经分离直接加入到硫酸铜-吡啶-水体系中,经缩合环化得到2-甲基三唑-1-氧化物(MTO);随后用混酸(硝酸+硫酸)硝化得到目标产物2-甲基-4,5-二硝基三唑-1-氧化物(DNMTO);初步探讨了环化反应的机理,研究了反应温度与时间等因素对硝化反应的影响,确定了最佳硝化反应条件.与此同时,利用红外光谱、核磁共振、质谱及元素分析等分析了中间产物和DNMTO的组成和结构.结果表明,目标产物的总收率为16%,纯度为99%;最佳硝化反应温度为100℃,最佳硝化反应时间为0.5h.     

Cryptanalysis of fair quantum blind signatures

We investigate the fair quantum blind signature scheme proposed by Wang and Wen [Wang T Y and Wen Q Y 2010 Chin.Phys.B 19 060307],which uses the fundamental properties of quantum mechanics and the availability of a trusted arbitrator.However,in this paper,we find that the protocol cannot satisfy the property of non-forgeability even under the condition that the trusted arbitrator is totally credible.Moreover,a simple feasible suggestion for improving the protocol is proposed.     

光激电流谱的测试

用光激瞬态电流谱ＯＴＣＳ（ｏｐｉｔａｌｔｒａｎｓｉｔｉｏｎｃｕｎｅｎｔｓｐｅｃｔｒｏｓｃｏｐｙ）方法对ＩｎＰ∶Ｆｅ进行了初步测试。目的是研究半绝缘ＩｎＰ∶Ｆｅ中的深能级，了解其作为光电器件、高速器件衬底的稳定性。在低温下，用强光发现半绝缘ＩｎＰ∶Ｆｅ中存在两深能级，分别是ＥＴ＝０．３４ｅＶ的电子陷阱和ＥＴ＝１．１３ｅＶ的空穴陷阱。     

一个模糊层次分析法在方案排序中的应用

给出了一个模糊层次分析法(FAHP).该方法的决策矩阵的元素为三角模糊数.结合三角模糊数比较的可能度理论,提出了一个基于模糊层次分析法的有限方案决策方法,最后的实例说明方法的有效性和合理性.     

二硫化钼的电子能带结构和低温输运实验进展

二硫化钼是一种层状的过渡金属硫族化合物半导体,它在二维自旋电子学、谷电子学及光电子学领域有很多的应用.本综述以二硫化钼为代表,系统介绍其单层、双层及转角双层的堆垛和能带结构;介绍了转角双层莫尔超晶格的制备方法、以及低温电学输运方面的实验进展,例如超导和强关联现象;分析了转角过渡金属硫化物莫尔超晶格在优化接触和样品质量等方面存在的一些挑战,并展望该领域未来的发展.     

等电荷态离子与He原子碰撞中的转移电离过程研究

采用位置灵敏探测和飞行时间技术测量了等电荷态离子C^q 、N^q 、O^q 、Ne^q (q=4，5，6，7)与He原子碰撞中，转移电离截面与单电子俘获截面的比值Ro研究了相同q入射的情况下，R与入射离子核电荷数Z的依赖关系。在统计蒸发模型的基础上对实验结果进行了解释。     

用紧耦合方法研究C4+和O6+与He原子碰撞

用双中心原子轨道紧耦合方法计算了C4+-He以及O6+-He碰撞的单俘获总截面,入射离子的能量范围为10～100keV/amu,所得计算结果在实验误差范围内与实验值很好符合.对满壳层入射离子,研究了单俘获截面随入射离子电荷态的变化,并讨论了原子轨道展开波函数数目对计算结果的影响.p