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1.
用充氧气的气凝硅胶作仲态电子偶素源,用192Ir精密γ能量作标准,以时间选择能谱仪和滑动比较法改进测量仲态电子偶素2γ湮没能量,得到hv=510995.34±0.69eV.经电子偶素结合能修正,得正、负电子对静止质量,与电子质量比较,表明正、负电子质量在1.4ppm内一致.  相似文献   
2.
192Ir的γ射线的能量准确值作为比较标准,用高纯锗γ谱仪测出正电子在充氧气的气凝硅胶中湮没γ射线能量的平均值,与在真空气凝硅胶中湮没γ能量相比较,定出仲态电子偶素湮没γ能量,经对电子偶素运动的相对论效应及电子偶素结合能等修正,得出电子静止质量m0c2=510998.80±0.74eV.实验结果与电子静止质量的最近调节值在误差内一致.  相似文献   
3.
以~(192)Ir γ-射线能量准确值为标准对高纯锗γ-谱仪进行滑动扫描刻度,通过比较测定放射性核γ-射线能量,得到:477603.18±0.44eV(~7Be)、511852.70±0.58eV(~(106)Ru)、514004.87±0.52eV(~(85)Sr)、520399.01±0.63eV(~(83)Rb)、529594.48±0.69eV(~(83)Rb)和552551.14±0.68eV(~(83)Rb)。用这一结果校正以往的实验,得到电子质量值510998.6±1.1eV,它与电子质量的近期调节值良好符合。  相似文献   
4.
192Ir γ-射线能量准确值为标准对高纯锗γ-谱仪进行滑动扫描刻度,通过比较测定放射性核γ-射线能量,得到:477603.18±0.44eV(7Be)、5.11852.70±0.58eV(106Ru)、514004.87±0.52eV(85Sr)、520399.01±0.63eV(83Rb)、529594.48±0.69eV(83Rb)和552551.14±0.68eV(83Rb).用这一结果校正以往的实验,得到电子质量值510998.6±1.1eV,它与电子质量的近期调节值良好符合.  相似文献   
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