多介质流体界面不稳定性程序

研制了二维多介质流体程序，主要包括单介质内高精度流体力学计算，多介质混合网格内各种介质输运过程和压力驰豫平衡过程计算、实际状态方程的黎曼解计算。流体计算分别采用高分辨两步PPM（Parabolic Piecewise Method）算法、TVD（Total Variation Diminishing）算法和FCT（Flux Corrected—Transport）算法，流体界面追踪采用VOF（Volume-of-Fluid）。数值求解可压缩多流体方程组和可压缩VOF方程。二维界面追踪分别采用一阶精度Youngs方法和二阶精度Elivira方法，三维界面追踪采用一阶精度Youngs方法，     

二维不可压流体瑞利-泰勒不稳定性的非线性阈值公式

分析了二维情况下平面几何、柱几何和球几何中瑞利-泰勒不稳定性发生非线性偏离的阈值问题，给出了三种几何中密度扰动振幅的定义，以及与界面扰动振幅的关系.由此得到了三种几何中密度扰动的非线性阈值公式，用高精度流体程序对三种几何中的不稳定性进行了数值模拟，验证了得到的非线性阈值公式. 关键词： 瑞利-泰勒不稳定性 非线性阈值 密度振幅     

直接驱动柱内爆流体力学不稳定性数值模拟

 给出了LARED-S程序对直接驱动柱内爆流体力学不稳定性模拟的物理方程，介绍了一种直接驱动柱内爆靶的结构，给出了模拟中使用活动网格追踪和其他一些需要注意的问题。对OMEGA激光器直接驱动柱内爆实验物理模型进行了简化处理：使用理想气体状态方程，假设烧蚀层、标识层和内部填充材料为同一介质，只在密度上有差别；采用全电离和单温近似，在内爆过程中仅考虑热传导过程而忽略辐射和非局域电子热传导等过程的影响。模拟结果表明：LARED-S程序与LASNEX程序的计算结果基本上符合。     

混合驱动中直驱激光焦斑尺寸对点火性能的影响

研究针对混驱点火模型,保持直驱激光能量不变,针对1 200,1 400和1 500μm直驱光焦斑尺寸,采用数值模拟,研究其对点火性能的影响。研究表明：直驱光焦斑尺寸是影响混驱点火性能的敏感因素。1 500μm焦斑尺寸可实现近一维点火。1 400μm焦斑尺寸放能接近一维放能的40%。1 200μm焦斑尺寸点火失败,仅仅处于燃烧等离子体状态。分析表明,1 200μm焦斑尺寸条件下点火失败的原因是：其产生的局部强光强和高驱动不对称性,会导致燃料熵增加及燃料面密度扰动增加。燃料熵的增加将会降低燃料压缩性,不利于创造高温高压点火条件,形成的燃烧波较弱。燃料面密度扰动增加会导致燃烧后壳层不稳定性剧烈增长。推断在小焦斑尺寸条件下,弱燃烧波及高燃料面密度扰动增长,会导致高密度尖钉难以被有效点燃,无法形成升温与燃烧的正反馈。同时,燃料区域内界面不稳定性发展产生的尖钉结构将降低热斑温度,产生的气泡结构将引起热斑体积迅速变大,导致热斑快速降温乃至点火失败。     

“问题情境”下电学实验的系统误差分析

多年来电学实验系统误差分析一直是物理实验教学所关注的难点和高考实验命题的重要方向.在该方面,学生普遍实践经验少,缺乏自主探究的基础,教师往往急于传授知识,仅增加训练来突破难点.但是笔者认为学生能否进行自主探究,关键在于教师有没有给学生创设一种探究的氛围和一种探究的情境. 中学物理电学实验中的系统误差一般专指实验设计原理不完善而带来的误差,特点是同一实验无论重复多少次,系统误差总是一直维持偏大或偏小.具体而言,因为电压表、电流表和电源存在内阻,从而,对相关电压和电流的测量带来一定影响所致.     

经典瑞利-泰勒不稳定性界面变形演化的改进型薄层模型

激光惯性约束聚变(ICF)内爆靶丸通常采用多壳层组合结构设计,各壳层界面的流体力学不稳定性影响内爆加速和聚变点火,是ICF十分关心的问题.本文建立了描述任意Atwood数、任意初始界面分布Rayleigh-Taylor(RT)不稳定性界面变形及非线性演化的薄层模型.通过分析薄层中流体微团的受力,得到了运动微分方程组,并在二维情况进行数值求解.在线性阶段,薄层模型描述的界面演变规律与模拟结果符合很好;在非线性阶段,薄层模型可以描述至"蘑菇"形结构,与数值模拟的结果很接近.目前薄层的RT不稳定性非线性解析理论研究仅限于弱非线性阶段,本工作发展的薄层解析理论能很好地研究薄层非线性"气泡-尖钉"发展过程.     

Ultra-low specific on-resistance high-voltage vertical double diffusion metal–oxide–semiconductor field-effect transistor with continuous electron accumulation layer

A new ultra-low specific on-resistance(Ron,sp) vertical double diffusion metal–oxide–semiconductor field-effect transistor(VDMOS) with continuous electron accumulation(CEA) layer, denoted as CEA-VDMOS, is proposed and its new current transport mechanism is investigated. It features a trench gate directly extended to the drain, which includes two PN junctions. In on-state, the electron accumulation layers are formed along the sides of the extended gate and introduce two continuous low-resistance current paths from the source to the drain in a cell pitch. This mechanism not only dramatically reduces the Ron,sp but also makes the Ron,sp almost independent of the n-pillar doping concentration(Nn). In off-state, the depletion between the n-pillar and p-pillar within the extended trench gate increases the Nn, and further reduces the Ron,sp.Especially, the two PN junctions within the trench gate support a high gate–drain voltage in the off-state and on-state, respectively. However, the extended gate increases the gate capacitance and thus weakens the dynamic performance to some extent. Therefore, the CEA-VDMOS is more suitable for low and medium frequencies application. Simulation indicates that the CEA-VDMOS reduces the Ron,sp by 80% compared with the conventional super-junction VDMOS(CSJ-VDMOS)at the same high breakdown voltage(BV).     

掺杂对CH样品Rayleigh-Taylor不稳定性增长的影响

在神光II激光装置上进行了辐射驱动不同掺杂样品的单模Rayleigh-Taylor(RT)不稳定性实验.结果显示:与纯碳氢(CH)样品相比,掺Br的CH样品的扰动更早、更快地进入非线性区,产生二次谐波,并且掺Br比例越高,CH样品扰动进入非线性区的时间越早,相同时刻扰动的二次谐波的幅度越高.这是因为密度梯度效应抑制了二次谐波的产生,掺Br比例越高,密度梯度标长越小;同时密度梯度效应还抑制三次谐波对基模增长的负反馈,造成基模具有更大的线性增长,导致线性饱和幅值大于经典值0.1λ.     

间苯二胺的电化学及紫外-可见薄层光谱电化学研究

研究了间苯二胺(MPD)在金电极和SnO₂;F膜电极上的循环伏安行为及在SnO₂;F膜电极上的紫外-可见薄层光谱电化学性质.获得了间苯二胺在SnO₂;F膜电极上电氧化的薄层恒电势电解-吸收光谱图,采用双对数法对紫外-可见薄层光谱电化学数据进行了处理.研究了间苯二胺的光谱及电化学性质,求得了间苯二胺的动力学修饰式量电位E⁰和αn等热力学参数.     

制冷系统油循环率的测量方法

油循环率直接关系到制冷压缩机的性能评定,同时也会对制冷循环中制冷剂的热物理性质、换热器制冷剂侧的传热效果等造成影响,是制冷系统的一项至关重要的评价指标。该文系统总结了制冷系统油循环率的测量方法,并进行了详细的阐述与比对,对最新的光学测量技术也做了介绍。