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首次报道了射频磁控溅射CaS:TmF3薄膜的蓝色交流电致发光,电致发光谱包含位于480、653、703和803nm的四组发光峰,分别对应着三价Tm^3+离子的G4→^3H6、G4→^3H4、^3F3→^3H6和^3F4→^3H6的电子跃迁发光。通过对CaS:TmF3粉末的激发光谱的研究,我们发现由于蓝峰和红外峰的激发峰的能量不同导致没能量的光子激发下的光的研究,谱的红外/蓝峰的哟度比有较大的不同, 相似文献
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用磁控溅射方法在玻璃基底上制备了非晶Si/SiO2超晶格.利用透射电子显微镜 (TEM) 和X射线衍射技术对其结构进行了分析,结果表明,超晶格中Si层大部分区域为非晶相,局域微区呈现有序结构,其厚度由1.8—3.2nm变化,SiO2层厚度为4.0nm.并采用多种光谱测量技术,如吸收光谱、光致发光光谱和Raman光谱技术,对该结构的光学性质进行了系统研究.结果表明,随纳米Si层厚度的减小,光学吸收边以及光致荧光峰发生明显蓝移,Raman峰发生展宽,即观测到明显的量
关键词: 相似文献
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复合绝缘层交流薄膜电致发光显示屏的综合设计 总被引:2,自引:1,他引:1
本文从交流薄膜电致发光(ACTFEL)显示屏的稳定性与可靠性角度出发,兼顾其发光亮度以及驱动电路对屏的RC响应的要求,对ACTFEL矩阵屏的结构进行了综合优化设计.从理论上分析了复合绝缘层SiO2/Ta2O5击穿方式的转变条件并计算了其合理的厚度比例及ZnS:Mn发光层的厚度和衬底ITO方块电阻的取值范围.通过实验对理论结果进行了验证,并在理论设计的指导下研制了640×480(10英寸)ZnS:MnACTFEL单色计算机终端显示器. 相似文献
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自从Canham[1]在1990年报道了多孔硅的光致发光以来,人们便开始了多孔硅的发光特性及其发光机理的研究[2,3].我们在获得多孔硅材料的基础上,曾首次报道了多孔硅光电压的滞后衰减现象[4].在本文中主要对如上实验结果进行了分析和探讨. 相似文献
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用磁控溅射方法在玻璃基底上制备了非晶Si/SiO2超晶格.利用透射电子显微镜 (TEM) 和X射线衍射技术对其结构进行了分析,结果表明,超晶格中Si层大部分区域为非晶相,局域微区呈现有序结构,其厚度由1.8-3.2nm变化,SiO2层厚度为4.0nm.并采用多种光谱测量技术,如吸收光谱、光致发光光谱和Raman光谱技术,对该结构的光学性质进行了系统研究.结果表明,随纳米Si层厚度的减小,光学吸收边以及光致荧光峰发生明显蓝移,Raman峰发生展宽,即观测到明显的量子尺寸效应. 相似文献
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多孔硅中的蓝色发光谱带 总被引:1,自引:1,他引:0
采用YAG:Nd激光器的1.06μm谱线的三倍频355nm激光激发多孔硅样品时,观测到一个峰值位于465nm的发光谱带,通过样品的发光光谱、透射光谱、以及时间分辨光谱的测量,初步探讨了新谱带的起源. 相似文献
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