全文获取类型
收费全文 | 1678篇 |
免费 | 535篇 |
国内免费 | 700篇 |
专业分类
化学 | 1411篇 |
晶体学 | 45篇 |
力学 | 97篇 |
综合类 | 54篇 |
数学 | 213篇 |
物理学 | 1093篇 |
出版年
2024年 | 4篇 |
2023年 | 22篇 |
2022年 | 57篇 |
2021年 | 68篇 |
2020年 | 51篇 |
2019年 | 47篇 |
2018年 | 47篇 |
2017年 | 90篇 |
2016年 | 64篇 |
2015年 | 84篇 |
2014年 | 116篇 |
2013年 | 175篇 |
2012年 | 169篇 |
2011年 | 202篇 |
2010年 | 190篇 |
2009年 | 215篇 |
2008年 | 199篇 |
2007年 | 203篇 |
2006年 | 160篇 |
2005年 | 141篇 |
2004年 | 106篇 |
2003年 | 72篇 |
2002年 | 74篇 |
2001年 | 84篇 |
2000年 | 62篇 |
1999年 | 46篇 |
1998年 | 17篇 |
1997年 | 18篇 |
1996年 | 13篇 |
1995年 | 12篇 |
1994年 | 12篇 |
1993年 | 11篇 |
1992年 | 14篇 |
1991年 | 6篇 |
1990年 | 13篇 |
1989年 | 18篇 |
1988年 | 10篇 |
1987年 | 4篇 |
1986年 | 6篇 |
1985年 | 1篇 |
1984年 | 3篇 |
1983年 | 2篇 |
1982年 | 2篇 |
1981年 | 1篇 |
1979年 | 1篇 |
1971年 | 1篇 |
排序方式: 共有2913条查询结果,搜索用时 203 毫秒
1.
在EAST装置上安装了X模极化W波段多道相关反射仪,用于测量等离子体芯部密度涨落。该诊断利用低损耗(<3dB)多工器将4个不同频率(79.2GHz,85.2GHz,91.8GHz和96GHz)的微波耦合在一起,通过同一个天线发射。反射波由两个极向分离(~5cm)的天线接收,通过下变频技术实现外差测量。通过对两个极向天线接收的信号进行相关分析,获得芯部湍流垂直速度。对2018年低约束模式(L模)放电进行分析发现,在电子回旋共振加热(ECRH)等离子体中,芯部湍流垂直速度在电子逆磁漂移方向。而在注入同向中性束(co-NBI)后,芯部湍流垂直速度变为离子逆磁漂移方向。 相似文献
2.
3.
4.
5.
建立了一个四组分一维混合模型,对电子束注入大气产生大尺度等离子体的过程进行了数值模拟.结果表明了能量为140keV、流强为50mA/cm2的注入电子束,可以产生线度为0.5m,密度为1012cm-3量级的大气环境下等离子体.电子束所伴随的空间电荷效应由于等离子体的产生会很快消失,不影响后续的等离子体产生过程.电子束注入流强主要影响产生等离子体的密度,而电子束能量则同时影响其空间线度和密度.
关键词:
电子束
碰撞
电离 相似文献
6.
7.
本文采用椭圆偏振光谱法研究了剂量为1×1016—3×1012cm-2的As+注入硅,及其在700℃退火后的光学性质。得出:当As+注入剂量增大到某一程度后,便呈非晶特性。低于临界剂量的样品,其n-λ,ε2-λ关系曲线随剂量的增大而往下方移动,呈有规律变化;退火后,在大于4000?波段,n-λ与ε2-λ曲线基本恢复到单晶硅状态。但在小于4000?的紫外区却未完全恢复,注入剂量越大,偏离单晶硅就越大。并指出,紫外光区是离子注入硅的信息敏感区;用有效质量模型计算出注入剂量与损伤度的关系。计算结果与实验符合得较好。
关键词: 相似文献
8.
光纤的能量传输特性及应用 总被引:5,自引:0,他引:5
着重分析了影响光纤传输能量以及光纤传输中造成能量损耗的因素。这些因素主要包括光纤材料、构造、光纤的折射率分布、光纤的长度和芯径、光纤的数值孔径和热效应以及耦合等。同时 ,结合激光二极管点火的实例 ,分析探讨了其背景和应用价值。结论是 :为了尽可能减少能量损耗、提高光纤输出的激光功率和激光功率密度 ,应当选取合适的激光工作波长、较小的光纤长度、较小的芯径和较小的数值孔径 ,应采用渐变折射率分布光纤 ,应减少弯曲与耦合 相似文献
9.
10.
We have studied the interracial reactions between amorphous LaAlO3 thin films and Si substrates, using high- resolution transmission electron microscopy and x-ray photoelectron spectroscopy. It has been shown that the interracial layer between LaAlO3 film and Si substrate chemical states show that the ratio of La 4d3/2 to Al 2p is SiLaxAlyOz. The depth distributions of La, Si and Al of the interfacial layer remains unchanged with the depth compared to that of the LaAlO3 film. Moreover, the Si content, in the interracial layer gradually decreases with increasing thickness of the interracial layer. These results strongly suggest that the Al element is not deficient in the interracial layer, as previously believed, and the formation of a SiLaxAlyOz interracial layer is mainly due to the diffusion of Si from the substrate during the LaAlO3 film deposition. With the understanding of the interracial layer formation, ones can control the interface characteristics to ensure the desired performances of devices using high-k oxides as gate dielectrics. 相似文献