桉树杂交种与其亲本的近红外光谱判别

研究桉树控制授粉后目标性状的基因作用方式是探索其基因重组规律的重要内容。常规的数量统计分析精度往往不高,而DNA分析的专业要求高,且费时费力。该研究利用近红外光谱(NIRs)研究不同基因型桉树杂交种、亲本及杂交种与亲本间近红外光谱信息的关系,探索NIRs用于桉树杂交种与其亲本判别的可行性和准确性。以控制授粉的桉树亲本及其杂交F1代材料为对象,每种基因型从各自田间试验分别选取10个单株,采集树冠中上部新鲜健康叶片。用手持式近红外仪Phazir Rx(1624)采集桉树杂交种与其亲本叶片的NIRs信息。每单株选10片完全生理成熟的健康叶片,避开叶脉扫描其正面光谱5次,以50条NIRs信息的均值代表单个叶片的NIRs信息,最终每个基因型获得10条NIRs信息。对原始NIRs采用二阶多项式S.G一阶导数预处理。预处理后的NIRs用于多元统计分析,首先对桉树杂交亲本和子代样本进行主成分分析(PCA),直观展示不同基因型的分类情况。然后运用簇类独立软模式(SIMCA)和偏最小二乘判别分析(PLS-DA)两种有监督的判别模式验证NIRs用于桉树杂交种与其亲本树种的分类判别效果。PCA结果显示,不同的亲本间、杂交种间及杂交种与亲本间样本的主因子得分可以清晰地将各基因型分开。SIMCA模式判别分析中,桉树杂交种样本到亲本PCA模型的样本距离显示,待判别样本能够形成单独的聚类,且能直观反映两者的遗传相似。PLS-DA判别结果显示,桉树杂交亲本的PLS模型能通过预测其杂交子代的响应变量将其与亲本准确分开。结果表明,桉树叶片的NIRs信息可以准确地反映桉树杂交子代遗传信息的传递规律,NIRs判别模型可以准确地将各种基因型予以区分。因此,NIRs信息不仅可用于桉树杂交种和纯种的定性判别,还可以分析桉树基因重组过程中加性遗传效应的大小,从而为桉树遗传基础分析及其育种改良研究提供理论支撑。     

(■)与三段论

如何用数理逻辑的观点表述三段论,这是值得我们探讨的问题,现就自己的肤浅体会叙述如下: 一、逻辑依据: 在推理中,三段论是重要的推理形式,应用很广泛。那么,什么是三段论推理的逻辑依据呢?这在形式逻辑中是通过三段论公理表达的。三段论公理的内容为“凡是肯定了(或否定了)     

强场物理与快点火靶的制备

采用本体聚合技术合成全氘代聚苯乙烯（DPS），所得聚合物分子量约250000，分散度约3，氘代率为98．7％。采用热诱导相分离技术制备全氘代聚苯乙烯泡沫。在室温溶解DPS于溶剂中，然后转入轴向冷却模具，进行单向冷却，直到溶剂完全冷冻，最后取出冷冻样置于冷冻干燥仪中进行冷冻干燥，待溶剂完全脱出后即得泡沫。通过对二恶烷／环己烷混合溶剂相图，以及PS一混合溶剂体系的相图的测定，     

含芘苯乙烯/二乙烯苯共聚物的光物理研究

本文首次用稳态光谱法研究了含芘苯乙烯/二乙烯苯共聚物的光物理行为。结果表明,当共聚物中芘基的摩尔百分数低于0.006％时,其荧光光谱仅呈现芘基的单体荧光,并伴随以0—0发射谱带强度降低和精细振动结构的部分消失;当芘基的含量高于0.3％时,共聚物的荧光相继出现在420,440和475nm处的发射谱带。这一结果可归因于芘基各种基态和激发态聚集体的形成,集中地反映了交联共聚物凝聚态的非均匀性。     

一种利用Gabor小波特征的目标跟踪方法

小波特征跟踪是一种新的目标跟踪方法。这种方法利用Gabor小波提取目标的边界特征来组成特征模板,并由小波滤波器系数组成特征向量。在跟踪过程中不断优化特征模板的旋转、尺度及平移等几何变形参数,使得小波特征向量值在最小平方和的意义上与初始值相匹配,从而实现目标旋转、尺度及平移等几何变形时的自动跟踪。实验表明,该方法能够有效地跟踪飞机、车辆等目标,并且能够抵抗全局亮度的变化和局部遮挡的干扰。     

用函数记录仪描绘LRC电路暂态过程

引言现有的普通物理实验教材中,对RC、RL和LRC电路暂态过程的描绘,多采取用方波发生器代替直流电源,用示波器观察或用照相法摄取暂态曲线,RC电路的暂态过程,也可以用电压表和秒表逐点测量来描绘曲线。这些方法或只能观察,定量分析不便,或虽能定量分析,但实验过程复杂,效果都不理想。本文介绍用函数记录仪直接描绘RC、RL和LRC电路的暂态过程曲线,实验方法简便,而且利用图象进行定量分析和计算都很方便。     

离轴光学系统中象散和焦点的纵向漂移

在许多激光应用中,用光学系统对只部分地通过系统孔径的离轴光束进行聚焦。本文在衍射理论的基础上得出了若干分析表达式,对于因象散和纵向焦点偏移象差而受损的光学系统中的均匀和高斯离轴光束而言,这些公式给定了衍射焦点、归一化峰值强度以及容限条件。其结果可用在激光束聚焦系统的设计中。     

Field Emission from Silicon Nanocrystallite Films with Compact Alignment and Uniform Orientation

Patterned silicon nanocrystallite (SINC) films were fabricated on (100) orientation p-type boron-doped sificon wafer by the hydrogen ion implantation technique and the anodic etching method. The efficient field emission with low turn-on field of about 3.5V/μm at current density of 0.1μA/cm^2 was obtained. The emission current density from the SiNC films reached 1mA/cm^2 under a bias field of about 9.1V/μm. The experimental results demonstrate that there are great potential applications of the SiNC films for fiat panel displays. A surface treatment with hydrogen plasma was performed on the SiNC films and a significant improvement of emission properties was achieved.     

声光调制器在激光腔倒空技术中的应用

本文介绍了以36°Y切铌酸锂为换能器,以熔石英为声光互作用介质,驱动频率为389。5MHz的声光调制器的设计;计算并选定了换能器的各镀层厚度,研制成了用于激光腔内的中心频率389.5MHz声光脉冲调制器;叙述了该器件在同步泵浦染料激光器腔倒空技术中的应用。实验表明,当驱动平均功率约0.2W时,用该器件所实现的激光腔倒空的倒空比约40％。