Effect of Ag Doping on Optical and Electrical Properties of ZnO Thin Films

ZnO thin films were prepared on p-type Si (100) substrates by the sol-gel process. The influence of Ag doping at a content of 0.002% on the photoluminescence and current-voltage (I - V) characteristics of ZnO thin films has been investigated. It is found that Ag doping leads to a pronounced increase in the intensity of near band edge emission at 3.23eV and a remarkable red shift of the visible broadband at room temperature. The I - V characteristics of ZnO/p-Si heterojunctions are also changed. These results could be explained by Ag substituting for Zn in Ag doped ZnO thin films.     

管理中的Nash平衡与Braess悖论现象

本给出了交通规划、经济贸易以及其它管理中的一些Nash平衡和Braess悖论实例，分析了Nash平衡和Braess悖论现象及其本质特征，指出它们在管理工作中具有普遗性和潜在应用性。     

不等式组与变分不等式的极大熵函数方法

利用极大熵函数方法将不等式组及变分不等式的求解问题转化为近似可微优化问题，给出了不等式组及变分不等式问题近似解的可微优化方法，得到了不等式组和变分不等式问题的解集合的示性函数．     

平衡规划问题的熵函数方法及其在混合交通流中的应用

将参变极值问题的极大熵函数方法应用到求解平衡规划问题中,通过先验分布信息和Kullback熵概念,给出了平衡规划问题基于Kullback熵表示的熵函数求解方法,并将平衡规划的极大熵函数方法应用于求解混合交通平衡分配问题．     

An Estimation for the Power-Law Distribution Parameter Based on Entropy

A new estimation based on the Shannon entropy for the power-law distribution parameter is presented, The maximum likelihood estimation （MLE） of the parameter is discussed and the relation between the MLE and the moment estimation of the parameter is given out. It is shown that the minimum Shannon entropy estimation is equivalent to the MLE giving the log expectation.     

电荷能和热涨落对Josephson隧道结的位相相干性的影响

对Josephson隧道结,如果氧化层的厚度为20(?)左右,电荷能与Joscphscm耦合能相比可略去不计。随着氧化层厚度的增大,电荷能变得可与耦合能相比,不能略去不计。本文讨论电荷能和热涨落对隧道结性能的影响,给出两者同时发生作用从而破坏隧道结两侧位相相干性的临界条件。我们既从能量角度,又从位相差的均方偏差的角度出发,给出两个等价的位相相干性被破坏的临界条件。     

基于LiCo0.8M0.2O2 (M=Ni,Zr)薄膜的全固态薄膜锂电池

用射频磁控溅射结合传统退火的方法制备LiCo0.8M0.2O2 (M=Ni,Zr)阴极薄膜．X射线衍射、拉曼光谱、扫描电子显微镜等手段表征了不同掺杂的LiCo0.8M0.2O2薄膜．结果显示,700℃退火的LiCo0.8M0．2O2薄膜具有类似α-NaFeO2的层状结构．通过对不同掺杂锂钴氧阴极的全固态薄膜锂电池Li／LiPON／LiCo0.8M0.2O2的电化学性能研究表明,电化学活性元素Ni的掺杂使全固态电池具有更大的放电容量(56μAh／cm2μm),而非电化学活性元素Zr的掺杂使全固态电池具有更好的循环稳定性．     

60keV质子辐照对TiNi记忆合金薄膜马氏体相变的影响

 利用磁控溅射的方法在氧化后的单晶Si基片上制备了TiNi形状记忆合金薄膜，利用示差扫描量热法和原位X射线衍射研究了薄膜的马氏体相变特征。通过60keV质子注入（辐照）薄膜样品研究了H+离子对合金薄膜马氏体相变特征的影响，结果表明氢离子注入后引起了马氏体相变开始Ms和结束点Mf以及逆马氏体相变开始As和结束温度Af的下降，而对R相变开始Rs和结束温度Rf影响不大。掠入射X射线衍射表明H+离子注入后有氢化物形成。H⁺离子注入形成的氢化物是引起相变点的变化的主要因素。     

~(58,60,62,64)Ni25.1MeV质子非弹性散射研究及其低激发态能谱和B(E2)比率的IBA分析

使用上海原子核研究所1.4m等时性迥旋加速器提供的25.1MeV质子束,测量了偶镍同位索弹性散射和第一激发态2_~+的非弹性散射微分截面。用零程扭曲波玻恩近似(DWBA)作理论分析,得到~(58,60,62,64)Ni 2_1~+态的四极形变参数β_2分别为0.23、0.28,0.25,0.21。采用相互作用玻色子近似(IBA)计算了这些核低激发态能谱及其约化电跃迁几率B(E2)。并对IBA唯象参数作了初步的准粒子无规位相近似(QPRPA)微观计算。     

低通量慢中子对Bi系超导体的辐照效应

本文研究低通量慢中子对Bi系超导体的辐照效应。实验结果表明:(1)Bi系超导体在适量慢中子辐照后,临界电流密度J_c和零电阻温度T_c0都有不同程度提高;(2)低通量慢中子和高通量快中子对Bi系超导体具有相似的辐照效应。 关键词：