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1.
2.
A temperature-dependent photoluminescence measurement is performed in CdSe/ZnSe quantum dots with a ZnCdSe quantum well.We deduce the temperature dependence of the exciton linewidth and peak energy of the zero-dimensional exciton in the quantum dots and two-dimensional exciton in the CdSe wetting layer.The experimental data reveal a reduction of homogeneous broadening of the exciton line in the quantum dots in comparison with that in the two-dimensional wetting layer,which indicates the decrease of exciton and optical phonon coupling in the CdSe quantum dots. 相似文献
3.
宽带Ⅱ-Ⅵ族半导体及其低维结构的生长和光学性质研究进展 总被引:9,自引:4,他引:5
本文系自1979年以来,宽带Ⅱ-Ⅵ族半导体研究组取得的主要研究成果的简要介绍。取得的主要研究成果可分为如下六个方面:第一,系统地研究了宽带Ⅱ-Ⅵ族半导体在电场激发下的自由激子发射;第二,创造性地提出并实 利用宽带Ⅱ-Ⅵ族超晶格的室温激子效应来实现在蓝绿区快响应的光学双稳的物理思想;第三,深入研究了宽带Ⅱ-Ⅵ族超晶格中的激子行为以及激子与元激发态的相互作用,为利用激子获得有效蓝色自发和受激发射提供物理基础和实验途径;第四,研究了ZnSe基非对称双量子阱和组合超晶格中激子的隧穿以及激子的自发和受激发射;第五,CdSe和ZnSeS自组装量子点的生长及其形成机理;第六,ZnO薄膜的生长及其紫外发射特性。 相似文献
4.
5.
氮化铝薄膜的光学性能 总被引:5,自引:4,他引:1
分别使用X衍射仪和紫外(190 nm~800 nm)分光光度仪,测量了用分子束外延法生长在SiC(001)基底面上的AIN薄膜的X衍射、透射谱和不同温度下的吸收谱.X衍射表明:实验所用的AIN薄膜在c-轴存在应变和应力,该应变和应力主要是由于AIN的晶格常量与基底SiC的晶格常量不匹配所致.透射谱表明:AIN薄膜的禁带宽度大约为6.2eV;而其对应的吸收谱在6.2eV处存在一个明显的台阶,此台阶被认为是AIN薄膜中的带边自由激子吸收所产生,忽略激子的结合能(与禁带宽度相比),则该值就对应为AIN的禁带宽度.而其对应的不同温度下(10 k~293 k)的吸收谱的谱线的形状和位置无明显的变化表明:温度对AIN薄膜的禁带宽度亦无明显的影响,这主要是由于在AIN薄膜中存在着应力所致. 相似文献
6.
We study the oscillator strengths of the optical transitions of the vertically stacked self-assembled InAs quantum discs.The oscillator strengths change evidently when the two quantum discs are far apart from each other.A vertically applied electric field affects the oscillator strengths severely.while the oscillator strengths change slowly as the radius of one disc increases.We also studied the excitonic energy of the system.including the Coulomb interaction.The excitonic energy increases with the increasing radius of one disc.but decreases as a vertically applied electric field increases. 相似文献
7.
8.
9.
本文引进双激子压缩态,在单激子“非玻色近似”和玻色近似两种情形下,讨论了量子关联和空间关联的双激子的压缩特性、二阶相关特性及其复合辐射光的压缩特性,说明两种情形下双激子玻色近似分别相当于SU(2)群和SU(1,1)群到谐振子群的收缩,并给出这种收缩所带来的结果。
关键词: 相似文献
10.
聚合物电致发光材料研究进展 总被引:5,自引:0,他引:5
本文较详细地综述了聚合物电致发光材料的研究进展,重点介绍了聚对苯撑乙烯(PPV),并提出了有关聚合物电致发光材料及器件构造研究的一些观点。 相似文献