氮化铝薄膜的光学性能

分别使用X衍射仪和紫外（190 nm～800 nm）分光光度仪,测量了用分子束外延法生长在SiC（001）基底面上的AIN薄膜的X衍射、透射谱和不同温度下的吸收谱.X衍射表明:实验所用的AIN薄膜在c-轴存在应变和应力，该应变和应力主要是由于AIN的晶格常量与基底SiC的晶格常量不匹配所致.透射谱表明:AIN薄膜的禁带宽度大约为6.2eV；而其对应的吸收谱在6.2eV处存在一个明显的台阶,此台阶被认为是AIN薄膜中的带边自由激子吸收所产生,忽略激子的结合能(与禁带宽度相比),则该值就对应为AIN的禁带宽度.而其对应的不同温度下（10 k～293 k）的吸收谱的谱线的形状和位置无明显的变化表明:温度对AIN薄膜的禁带宽度亦无明显的影响，这主要是由于在AIN薄膜中存在着应力所致.     

双折射吸收非线性介质薄膜中倍频的产生

从二次谐波电场满足的波动方程出发，考虑到介质对二次谐波的吸收以及把完全边界条件应用于基频波和二次谐波在介质的入射面和出射面之间的反射效应，推导出了单光轴非线性薄膜介质中的二次谐波输出功率的计算式.结果表明：当采用复折射率的概念时，可以把非线性无吸收介质的二次谐波输出功率计算式应用到非线性吸收介质二次谐波输出功率计算式中去.     

纳米六方相氮化铝的合成和光学性能研究

报道了以AlCl₃和Mg₃N₂为反应物, 在500 ℃条件下, 用简易的设备, 合成六方相AlN纳米材料. 样品的XRD和XPS图谱表明, 实验得到的AlN样品是纯的六方相AlN, 其中的杂质相含量均小于仪器的探测灵敏度. TEM图表明, AlN样品呈多孔网络状结构, 网络的骨架大小在10～20 nm之间. 对AlN样品的光学性能的研究表明, AlN样品的禁带宽度值约为6.12 eV; 红外吸收谱以680 cm^－1为中心形成一个很宽的红外吸收带; 其拉曼散射峰较AlN薄膜和AlN单晶向低波数方向移动.     

Synthesis of hexagonal monocrystal AlN microtubes and nanowires at low temperature

This paper reports that pure hexagonal aluminium nitride microtubes and nanowires growing along the [0001] direction have been successfully synthesized by directly reacting AlClh-AlN, microtubes, nanowires,h-AlN, microtubes, nanowiresProject supported by the National Natural Science Foundation of China (Grant No 10474078) and the Science Foundation of the Education Office of Shanxi Province, China.2006-11-23This paper reports that pure hexagonal aluminium nitride microtubes and nanowires growing along the [0001] direction have been successfully synthesized by directly reacting AlCl3 with NaN3 at low temperature （450℃） under condition of non-solvent system. The grey-white powder of reacting product was characterized by high-resolution transmission electron microscope （HRTEM）, which shows that the powder is long straight-wire morphology with outer diameter from 40nm to 300 nm and length up to several micrometres. The results of both electron diffraction （ED） and x-ray diffraction （XRD） indicate that the AlN microtubes have a pure hexagonal monocrystal tubular structure with the combination of the curled AlN nanobelts. Room-temperature photoluminescence spectrum of the synthesized sample showed an emission peak, which is closely related to the small size of the microtubes.     

六方氮化铝纳米线本征缺陷和氧杂质的光致发光谱研究

利用AlCl3和NaN3直接反应合成出六方结构氮化铝纳米线.变温光致发光谱显示,在可见光范围内有两个半高宽大约为5 nm的尖锐辐射峰,中心波长分别位于413 nm和422 nm处.同时,在近紫外区还有一个较宽的辐射带,随着温度升高,该辐射峰发生了明显的红移现象,其中心波长随温度线性变化.理论和实验分析表明,413 nm辐射与AlN本身性质无关,而422 nm辐射峰是与A1有关的两种本征缺陷所致.     

Time-Resolved Photoluminescence Studies of Indium-Rich InGaN Alloys

Time-resolved photoluminescence (PL) spectroscopy has be used to investigate indium-rich InGaN Mloys grown on sapphire substrates by metal organic chemical vapor deposition. Photoluminescence measurement indicates two dominant emission lines originating from phase-separated high- and low-indium-content regions. Temperature and excitation intensity dependence of the two main emission lines in these InGaN alloys have been measured.Temperature and energy dependence of PL decay lifetime show clearly different decay behaviour for the two main lines. Our results show that photo-excited carriers are deeply localized in the high indium regions while photo-excited carriers can be transferred within the low-indium-content regions as well as to high-content regions.     

氮化铝薄膜中的二次谐波产生

利用X射线衍射技术对用直流反应磁控溅射技术沉积在蓝宝石基底(100)晶面上的氮化铝(AIN)薄膜进行了晶体结构分析,对X射线衍射图样的分析结果表明：用该法沉积在蓝宝石基底(100)晶面上的AIN薄膜为单晶膜;利用脉宽为10ns、重复频率10Hz、最大平均功率为20W、单脉冲的最大能量为2J的Nd：YAG脉冲激光器对其进行了二次谐波产生的实验研究,对实验结果进行分析表明：沉积在蓝宝石基底(100)晶面上的AIN薄膜能在一个很宽的入射角度范围存在有效二次谐波的输出;且输出的二次谐波功率相对于AIN薄膜的表面法线成对称分布,这表明该AIN薄膜的表面法线方向即为AIN的光轴方向。     

低温条件下单晶氮化铝纳米线生长机理的研究

在25mL的不锈钢反应釜中，利用无水三氯化铝与叠氮化钠在无溶剂的条件下直接反应，成功地合成出了单晶氮化铝纳米线，反应温度为450℃，有效反应时间为24h.高分辨率透射电子显微镜测试结果显示，纳米线多为长直线状外貌特征，直径在40—60nm范围内，最大长度可达几个微米.高分辨率电子衍射和X射线衍射结果都表明，多数纳米线为六方结构，也有少量呈现面心立方结构.同时，提出了长直线状六方和面心立方单晶氮化铝纳米线的生长机理的假设，并对六方单晶氮化铝纳米线生长方向的人工控制也进行了讨论. 关键词： 六方单晶氮化铝 纳米线 X射线衍射 透射电子显微镜     

Improved liquid－solid－gas interface deposition of nanoparticle thin films

A liquid－solid－gas interface deposition method to prepare nanoparticle thin films is presented in this paper. The nanoparticles in the part of suspension located close to the solid－liquid－gas interface grow on the substrate under the influence of interface force when the partially immersed substrate moves relatively to the suspension. By using statistical theory of the Brownian motion, growth equations for mono-component and multi-component nanoparticle thin films are obtained and some parameters for deposition process are discussed.     

六方单晶氮化铝薄膜的合成与紫光发光机理

利用无水三氯化铝与叠氮化钠在无溶剂的条件下直接反应,成功地合成出六方单晶氮化铝(h-AlN)薄膜.反应温度为450℃,有效反应时间为20 h.高分辨率透射电镜发现为薄膜形态；电子衍射和X射线衍射结果都表明,氮化铝薄膜为六方结构.光致发光实验显示,在可见光范围内有一较强的辐射峰,中心位于413 nm处,半高宽约为5 nm.同时,本文对六方单晶氮化铝薄膜的生长机理和光致发光机理也进行了讨论.