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51.
在不同晶格温度和不同激发光强度下,测量了四元系GaInAsSb/GaAlAsSb单量子阱中自由激子的荧光光谱,导出了稳态光谱测量条件下自由激子荧光强度与激发光强度和晶格温度的一般性公式.计算结果表明,激子相对占有数引起的温度和密度效应会影响激子发光的强度关系.根据本文的简单模型,线性比例系数I/I0实际上综合地反映了量子阱中自由激子的荧光效率,而从激子荧光强度的Arrhenius图的最佳拟合中不仅可以得到激子的束缚能和激活能,而且还能估计出量子阱材料的本底浓度和散射时间常数.
关键词: 相似文献
52.
Cu2O半导体超微粒子的光学性质 总被引:3,自引:0,他引:3
本文研究了表面修饰的Cu2O半导体超微粒子的光学性质.在Cu2O超微粒子中未观察到显著的量子尺寸效应,但测量到很强的宽带光致发光,且随着激发波长变短,其发光带的峰位蓝移,发光带宽度增加.最后,分析了Cu2O超微粒子的宽带发光机制,并讨论了热处理对超微粒子的发光强度的影响. 相似文献
53.
近年来,半导体量子阱中激子的玻色一爱因斯坦凝聚研究取得了很大进展.实验上利用耦合量子阱间接激子中电子和空穴在空间上的分离,显著提高了激子的冷却速度和寿命,成功地把激子冷却到1K以下,观察到了激子的准凝聚状态,并且在强激光照射下,发现了随光照强度增强而增大的激子发光环和环上形成的有规则斑点图案,引起了广泛的兴趣和重视.理论研究表明,发光环的出现是电子和空穴在量子阱中的反常输运行为造成的,但环上形成规则斑点的物理机理目前尚不清楚.文章介绍了这方面的实验背景和形成激子环的物理图像,指出了理论研究中存在的问题,并对解决问题的方案进行了讨论. 相似文献
54.
纳米混合分子聚集体材料中弗兰克尔激子迁移的相位弛豫 总被引:1,自引:0,他引:1
在有机染料PIC-1中引入其衍生物azaPIC-I形成能量势垒,改变在混合分子聚集体中PIC-I的J-聚集体的实体长度。用双调制外差检测的累积光子回波技术研究了相干弗兰克尔激子失相过程。观测到激子失相时间T2随azaPIC-1克分子数的增大从60ps变为224ps。 相似文献
55.
56.
Diamine的光、电性质及其在有机薄膜电致发光器件中的应用 总被引:5,自引:1,他引:4
合成了芳香族二胺类衍生物(diamine),测定了它的光、电性质.制备了diamine作为空穴传输层的二层结构有机薄膜电致发光器件,使器件的发光亮度相对单层器件有了很大的提高.并用不同区域掺杂的方法,探讨了电致发光机理.分析、讨论了激子的形成和复合区域,较好地解释了单、双层器件的不同的电流电压关系和不同的亮度电压关系.从激子的扩散方程出发,对双层掺杂器件的发光强度比数据进行了拟合,确证了激子的扩散模式. 相似文献
57.
纳米材料二氧化锡的制备和激子态光学特性研究 总被引:4,自引:1,他引:3
报道纳米材料二氧化锡的制备和室温下激子态光学特征,应用弱量子限域下激子响应模型对结果进行了解释。 相似文献
58.
59.
用低压金属有机化学气相沉积(LP-MOCVD)的方法在GaAs(100)衬底上生长了(ZnCdTe,ZnSeTe)/ZnTe复合量子阱结构。测量了生长样品的光致发光(PL)谱,得到两个发光峰(记为Il,I2),分析认为高能侧的峰为Zn0.9Cd0.1Te浅阱峰,而低能侧的峰为ZnSe0.2Te0.8深阱层的发射。对样品进行了变激发强度的PL谱测量,当激发强度增加时,PL谱中两个发光峰的比值(I2/I1)开始时迅速增加,然后缓慢减小。这是由于浅阱中的电子和空穴隧穿入深阱中导致空间电荷的分离,从而在复合量子阱结构中产生了一个内建电场所引起的。 相似文献
60.
电子自旋共振(ESR)实验间接表明,γ射线辐照能在室温下在BaF2微晶中产生Frenkel激子这样的元激发,此元激发受热在150℃以下消失。γ射线辐照使BaF2微晶中F-离子上的2P电子跃迁到外层轨道,并与2P轨道的空穴形成紧束缚的电子-空穴对——Frenkel激子。激子中的电子受热脱离F原子,这种晶格上的F0是ESR可探测的顺磁色心点缺陷——Vk心。受γ射线辐照的BaF2微晶中含有Frenkel激子,受热时Frenkel激子湮灭。Vk心增多的现象,表现为随温度增高Vk心的ESR信号增强的反常现象。 相似文献