Ce4+和Eu3+共掺杂的Ca2SnO4发光材料的合成与光谱特性

利用高温固相反应法合成了Ce4 和Eu3 共掺杂的Ca2-xEuxSn1-yCeyO4样品,并对其结构和发光特性进行了研究。X射线衍射结果显示,在Ca2SnO4中同时掺入Ce4 和Eu3 离子没有改变其晶体结构。Ca2-xEuxSn1-yCeyO4样品的发射光谱随Eu3 掺杂浓度产生很大变化,当Eu3 掺杂浓度低时,样品中同时存在着Ce4 -O2-的蓝光发射和Eu3 的红光发射;当Eu3 掺杂浓度较高时,样品呈现出Eu3 离子的红光发射。Ce4 -O2-蓝色发光的寿命约为81μs,其能量来源于O2-和Ce4 离子间的电荷迁移吸收;而Eu3 红色发光的寿命约为830μs,其能量来源于O2-和Eu3 离子间的电荷迁移吸收。Eu3 -O2-键比Ce4 -O2-键更容易吸收紫外光,两者之间没有能量传递现象。     

非晶SiOxNy薄膜的红外吸收光谱研究

通过改变O和N含量研究SiOxNy薄膜中从600到1600cm^-1范围内的红外吸收光谱特征。结果表明,起源于单－Si-O、Si-N键的吸收峰在1105和865cm^-1处;而随着薄膜中O或N含量的升高,位于单一键吸收峰的两侧出现因O-Si-O、N-Si-N的对称和反对键吸收的左右肩;对O－Si-N,其特征吸收峰位于1036和856cm^-1处。     

非晶硅薄膜的低温快速晶化及其结构分析

在镀铝的廉价玻璃衬底上高速沉积的非晶硅薄膜在不同的温度下退火10min.退火温度为500℃时,薄膜表面形成了硅铝的混合相,非晶硅薄膜开始呈现了晶化现象 退火温度为550℃时,大部分(约80%)的非晶硅晶化为多晶硅,平均晶粒尺寸为500nm 退火温度为600℃时,几乎所有的非晶硅都转化为多晶硅,其平均晶粒尺寸约为15μm.     

混合纤芯光子晶体光纤超平坦色散的研究

利用平面波展开法，系统地研究了一种具有混合纤芯结构的光子晶体光纤的色散特性. 数值计算结果表明，通过优化结构参量，这种新型结构的光子晶体光纤在通信窗口1.55 μm 附近可以获得带宽超过800 nm的超平坦色散区域（色散曲线的变化范围不超过 ±0.6 ps·km－1·nm－1）.     

较低能区质子与核弹性散射相对论性的研究

在能量低于300MeV的能区中讨论了含有罗仑兹不变性的相对论性光学势.并用严格的分波方法求解含有标量势和矢量势的Dirac方程.对质子在300—65MeV能区中与⁴⁰Ca核作计算并与弹性散射微分截面dσ/dΩ,分析本领A_y(θ)和自旋转动函数Q(θ)的实验结果比较.看到改进了的相对论性光学势与这些实验值符合甚好.     

基片光学特性对薄膜光强透过谱的影响

在考虑基片与空气界面反射率以及基片吸收不能忽略的情况下，对常见的基片上薄膜的光强透过率公式进行了修正，导出了该情况下的透过率公式．以非晶硅薄膜为研究对象，采用模拟计算说明基片光学特性对薄膜光强透过谱的影响．     

用SiCl4-H2低温沉积多晶硅薄膜微结构的Raman分析

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关于β稳定线公式的一个评注

指出β稳定线公式应在理论框架下通过自洽的计算决定.这与传统的β稳定线公式略有区别.本文还对在Hartree-Fock近似下的β稳定线公式给出了一个评注.     

低能反质子的核散射与Glauber理论

运用Glauber多次散射理论,分析低能量反质子与⁴He核的弹性散射微分截面的实验结果.看到反质子能量低到19.6MeV时,多次碰撞的特征仍然是主要的.用光学模型的计算和比较,也得到相同的结论.