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1.
C12A7-Mg催化剂水蒸汽重整生物油、石脑油和CH4制氢   总被引:5,自引:0,他引:5       下载免费PDF全文
利用自制的C12A7-Mg催化剂,研究了催化水蒸汽重整生物油、石脑油和CH4制备氧气的性能,以及催化剂寿命,并用X射线光电子能谱对催化剂进行了表征.温度测试范围为250-850℃.对于催化水蒸汽重整生物油反应,在750℃时,氢气产率最大达到80%,碳的转化率接近95%.在相同的反应温度下,催化水蒸汽重整石脑油和CH4的氢气产率和碳的转化率要低于重整生物油反应.催化剂的失活主要是由于重整过程中的积碳.  相似文献
2.
3.
以[Ca24Al28O64]4+·4O-(C12A7-O-)为催化剂,在流动反应器中研究了苯羟基化合成苯酚的转化率以及苯酚的选择性.苯的转化率随反应温度增加而增加,苯酚的选择性与温度及反应物的组成有关.此外还通过XRD、EPR和FT-IR对催化剂的结构,表面及内部物种进行了考察.结果表明,C12A7-O-的电正性骨架结构在反应前后几乎没有任何差别,样品内部有部分O-和O2-在反应后转化为OH-.中性物种及负离子中间体分别由Q-MS和TOF-MS所检测.活性的O-和OH-被认为在苯酚形成过程中起了重要作用.  相似文献
4.
主要讨论在不同反应温度和不同水蒸汽浓度下,新型的NOx储存-还原催化剂12CaO·7Al2O3/10%K(简称C12A7/K)中水的存在对NO还原性能的影响.研究结果表明,当存在1.2%水蒸汽,并低于500℃时,NO转化率和N2的选择性均降低,水蒸汽的存在对催化剂低温区的活性起到较明显的抑制作用;而温度高于500℃时,此抑制作用则基本消失,说明此时C12A7/K催化剂的水热稳定性较好.FT-IR结果证明储存NOx后的C12A7/K样品小形成了NO3/NO2的反应中间物种,用H2还原则可消除中间物种,以N2等形式放出。  相似文献
5.
在较低的温度下,通过将放热的部分氧化反应和吸热的水蒸汽重整反应耦合起来的自热方式实现了高效的制氢过程. 在氧碳比(O/C)为0.34,水碳比(S/C)为3,温度为600 oC时生物油接近完全转化,得到最高氢产率为64.3%. 自热水蒸汽重整反应条件温度、O/C、S/C、质量空速等可以用来控制反应氢产率和气体产物分布. 对自热过程和普通水蒸汽重整过程做了比较,并对反应机理进行了探讨.  相似文献
6.
研究了用一系列不同类型的分子筛催化剂催化转化制取低碳烯烃的过程,测试的催化剂包括HZSM-5、MCM-41、SAPO- 34和Y型分子筛.按照低碳烯烃的绝对收率和选择性,催化剂的活性排序为:HZSM-5>SAPO-34>MCM-41>Y型分子筛.研究表明,使用HZSM-5分子筛催化剂,获得的生物油最大低碳烯烃收率约为0.22 kg/(kg生物油),低碳烯烃的选择性约为50%,且生物油几乎实现完全转化.同时还研究了反应条件对生物油制低碳烯烃的影响.为了弄清催化剂结构与和低碳烯烃形成之间的关系,对相关催化剂进行了详细表征,对生物油热裂解和催化裂解过程进行了详细比较.  相似文献
7.
针对全息波导显示系统中输入光栅、转折光栅和输出光栅的光栅参量不一致,导致系统设计和光栅制作难度增大的问题.对比正常配置和锥形配置下的光栅方程,可得全息波导显示系统中全息光栅具有相同周期需要满足转向光栅60°锥形配置.由此提出波导侧面装有反射镜的三光栅单波导板显示构型,其中三个光栅周期完全相同,输入光栅和转向光栅条纹走向一致.使用光学设计软件CODE V对该构型进行仿真,验证了该构型的可行性.与传统全息波导显示构型相比,侧面反射镜的光路折叠作用使得该构型系统无效显示面积和耦合效率损失减小;三个光栅周期相同且输入光栅和转向光栅条纹走向一致,可以降低系统设计和全息光栅制作难度.该构型可以用于虚拟现实显示或者头戴式显示.  相似文献
8.
Nitrogen plasma passivation (NPP) on (111) germanium (Ge) was studied in terms of the interface trap density, roughness, and interfacial layer thickness using plasma-enhanced chemical vapor deposition (PECVD). The results show that NPP not only reduces the interface states, but also improves the surface roughness of Ge, which is beneficial for suppressing the channel scattering at both low and high field regions of Ge MOSFETs. However, the interracial layer thickness is also increased by the NPP treatment, which will impact the equivalent oxide thickness (EOT) scaling and thus degrade the device performance gain from the improvement of the surface morphology and the interface passivation. To obtain better device performance of Ge MOSFETs, suppressing the interfacial layer regrowth as well as a trade-off with reducing the interface states and roughness should be considered carefully when using the NPP process.  相似文献
9.
In this paper, oxidation of Ge surface by N2O plasma is presented and experimentally demonstrated. Results show that 1.0-nm GeO2 is achieved after 120-s N20 plasma oxidation at 300 ℃. The GeO2/Ge interface is atomically smooth. The interface state density of Ge surface after N20 plasma passivation is about - 3 × 1011 cm-2.eV-1. With GeO2 passivation, the hysteresis of metal-oxide-semiconductor (MOS) capacitor with A1203 serving as gate dielectric is reduced to - 50 mV, compared with - 130 mV of the untreated one. The Fermi-level at GeO2/Ge interface is unpinned, and the surface potential is effectively modulated by the gate voltage.  相似文献
10.
An extensive and complete experimental investigation with a full layout design of the channel direction was carried out for the first time to clarify the orientation dependence of germanium p-channel metal-oxide-semiconductor field-effect transistors (PMOSFETs). By comparison of gate trans-conductance, drive current, and hole mobility, we found that the performance trend with the substrate orientation for Ge PMOSFET is (110)〉(111) ~ (100), and the best channel direction is (110)/[110]. Moreover, the (110) device performance was found to be easily degraded as the channel direction got off from the [ 110] orientation, while (100) and (111) devices exhibited less channel orientation dependence. This experimental result shows good matching with the simulation reports to give a credible and significant guidance for Ge PMOSFET design.  相似文献
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