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1.
With the rapid development of terahertz technology, terahertz detectors are expected to play a key role in diverse areas such as homeland security and imaging, materials diagnostics, biology, medical sciences, and communication. Whereas self-powered, rapid response, and room temperature terahertz photodetectors are confronted with huge challenges. Here, we report a novel rapid response and self-powered terahertz photothermoelectronic (PTE) photodetector based on a low-dimensional material: palladium selenide (PdSe2). An order of magnitude performance enhancement was observed in photodetection based on PdSe2/graphene heterojunction that resulted from the integration of graphene and enhanced the Seebeck effect. Under 0.1-THz and 0.3-THz irradiations, the device displays a stable and repeatable photoresponse at room temperature without bias. Furthermore, rapid rise (5.0 μs) and decay (5.4 μs) times are recorded under 0.1-THz irradiation. Our results demonstrate the promising prospect of the detector based on PdSe2 in terms of air-stable, suitable sensitivity and speed, which may have great application in terahertz detection. 相似文献
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3.
在光催化过程中,光催化剂被太阳能激发产生光生电子和空穴,来实现环境净化或能量转换,是应对全球变暖和能源短缺的有效途径之一.然而,光催化技术面临的主要瓶颈问题是光生载流子的低分离效率和高反应能垒.而催化剂本身的特性对这一点起到了决定性的作用.因此,催化剂的合理设计和改性是提高光催化效率的关键.金属有机框架(MOFs)是一类由金属节点和有机配体组成的新型结晶多孔材料.基于结构多样性、超高比表面积、形状和尺寸可调的纳米孔或纳米通道等优异的特性,MOFs基材料在光催化领域引起了广泛关注.然而,MOFs的主要问题之一是低导电性和稳定性,这限制了其更广泛应用.正是由于MOFs的不稳定性,其可以作为牺牲模板制备纳米材料.由MOFs衍生的纳米材料继承了MOFs的优异特性,同时避免了MOFs较差的导电性和稳定性的问题.并且可以通过选择特定的金属节点和有机配体对MOFs衍生的纳米材料进行调控,从而实现光催化剂的多功能性.因此,MOFs衍生物在光催化领域展现出更广阔的应用前景.而且MOFs衍生物不仅可以作为半导体光催化剂,还可以作为光催化析氢、CO2还原、污染物降解等反应的助催化剂.本文重点介绍MOFs衍生物在光催化领域的多功能应用.从MOFs衍生物的制备、修饰和应用等方面对近年来的研究进行了分析和总结.最后,对MOFs衍生物应用于光催化领域的挑战进行了分析,并对未来发展和机遇进行了展望,以期为该领域的进一步研究提供更多参考,并带来新的启示. 相似文献
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5.
制备一种壳核结构的Fe3O4@Ag磁性纳米粒子,将该纳米粒子通过壳聚糖(CS)修饰在玻碳电极(GCE)表面,制备了对杀螟硫磷有灵敏电化学传感的Fe3O4@Ag/CS/GCE。应用透射电镜(TEM)和紫外可见光谱(UV-VIS),对Fe3O4@Ag纳米粒子进行表征。运用电化学交流阻抗(EIS)、循环伏安法(CV)和时间电流法(I-T)来研究杀螟硫磷电化学特性。研究发现,在1.74×10-7~3.27×10–4 mol/L浓度范围内,该传感器可以实现对杀螟硫磷的快速检测,检测限为5.7×10-8 mol/L(S/N=3) 相似文献
6.
应用深能级瞬态谱(DLTS)技术研究分子束外延(MBE)生长的AlGaAs/GaAs graded index separate confinement heterostructure single well(GRIN-SCH SQW)激光器的高温陷阱。样品的DLTS表明,在激光器的n-AlGaAs层里存在着高温(空穴、电子)陷阱,它直接影响着激光器的性能。高温空穴陷阱可能分布在xAl =0.2→0.43和xAl=0.43的n-AlGaAs层界面附近,而高温电子陷阱则可能分布在xAl=0.43的n-AlGaAs层里xAl值不连续的界面附近。高温电子陷阱的产生可能与AlGaAs层里的O有关。
关键词: 相似文献
7.
本文在20°—300°K研究了室温载流子浓度2×1012—1×1020cm-3含硼或磷(砷)Si的电学性质。对一些p-Si样品用弱场横向磁阻法及杂质激活能法进行了补偿度的测定,并进行了比较。从霍尔系数与温度关系的分析指出,对于较纯样品,硼受主能级的电离能为0.045eV,磷施主能级为0.045eV,在载流子浓度为1018—1019cm-3时发现了费米简并,对载流子浓度为2×1017—1×1018cm-3的p-Si及5×1017—4×1018cm-3的n-Si观察到了杂质电导行为。从霍尔系数与电导率计算了非本征的霍尔迁移率。在100°—300°K间,晶格散射迁移率μ满足关系式AT-a,其中A=2.1×109,α=2.7(对空穴);或A=1.2×108,α=2.0(对电子)。另外,根据我们的材料(载流子浓度在5×1011—5×1020cm-3间),分别建立了一条电阻率与载流子浓度及电阻率与迁移率的关系曲线,以提供制备材料时参考之用。 相似文献
8.
应用深能级瞬态谱(DLTS)技术详细研究分子束外延生长的Pseudomorphic—high electron mobility transistor(P-HEMT)结构中深能级行为。样品的DLTS表明,在P-HEMT结构的n-AlGaAs层里存在着较大浓度(1015-1017cm-3和俘获截面(10-16cm2)的高温电子陷阱。它们直接影响着器件性能。高温电子陷阱的产生可能与AlGaAs层里的氧 相似文献
9.
Solving the Jaynes-Cummings Model with Shift Operators Constructed by Means of the Matrix-Diagonalizing Technique 下载免费PDF全文
The Jaynes-Cummings model is solved with the raising and lowering(shift) operators using the matrix-diagonalizing technique. Bell nonlocality is also found to be present ubiquitously in the excitation states of the model. 相似文献
10.