聚缩水甘油硝酸酯的热安定性和相容性研究

采用DSC、TG热分析方法研究了聚缩水甘油硝酸酯(PolyGLYN)的热安定性和与1,3,5-三硝基-1,3,5-三氮杂环己烷(RDX)间的相容性.结果表明,PolyGLYN在100℃以前较为稳定.当加热速率趋于零时PolyGLYN的热分解峰温为196.4℃,由Ozawa法计算的热分解表观活化能为182.0 kJ·mol-1,分别比RDX的低15.1℃和高22.2 kJ·mol-1.PolyGLYN热稳定性与RDX接近,两者之间的相容性较好.     

微流控芯片免疫电泳分析方法研究进展

介绍了微流控芯片的制作材料、常用的检测方法,分别讨论了利用动态修饰与静态修饰来解决免疫分析中蛋白质吸附问题,以及竞争免疫分析与非竞争免疫分析在微流控芯片上的应用,并对其发展作出了展望。     

Pirie-Kieren的动态模型与代数教学实践

根据Pirie-Kieren的学习理论,分析了学生对于数学知识的理解过程,并通过剖析在线性代数教学中的一些实际做法,显示在教学中如何运用这一理论.     

基于4，8-二氢二呋咱[3，}4-b，e]吡嗪高能材料的设计与筛选

为了寻找高能量密度的材料,本文设计了一系列基于4,8-二氢二呋咱[3,4-b,e]吡嗪的含能材料. 利用密度泛函理论研究了它们结构与性质之间的关系. 结果表明,这些设计化合物的性质受到含能基团和杂环取代基的影响. -N₃含能基团是提高设计化合物生成热的最有效取代官能团,而四唑环/-C(NO₂)₃基团对炸药的爆轰性能有较大贡献. 键解离能分析表明,引入-NHNH₂,-NHNO₂,-CH(NO₂)₃和-C(NO₂)₃基团会显著降低键解离能. 由于化合物A8,B8,C8,D8,E8和F8具有良好的爆轰性能和热稳定性,最终被筛选为潜在的高能密度材料. 此外,还计算了这些筛选化合物的电子结构.     

恒定pH系统中不同大麦品种的耐铝性

本文提出以相对生长率衡量耐铝性，基本上排除了系统所造成的误差.以相对生长率P衡量根的耐铝性，在恒定的pH系统(pH4. 75士0. 1)中3ppm铝胁迫下，经大田鉴定的一级耐性品种B和H表现了不同的相对生长率，品种B的相对生长率达28%，而品种H只有1400,中等敏感品种Z为15%，而敏感品种S可达17%.结果说明:品种H的耐铝性可能是通过升高根际pH，降低铝的解离程度而实现的.而品种B的耐铝性机制与品种H不同，其耐铝性与根际pH值调节基本无关.     

利用“两边夹”法则解竞赛题

众所周知,若A≥B与B≥A同时成立,则有A=B.利用此“两边夹”法则,可巧妙地解决一些竞赛题. 例1设f(x)是定义在R上的函数,对任意的x∈R,都有f(x 3)≤f(x) 3和f(x 2)≥f(x) 2.设g(x)=f(x)-x. (1)求证:g(x)是周期函数;     

含能材料HMX-RDX的热行为研究

采用差示扫描量热法研究了含能材料1,3,5,7-四硝基-1,3,5,7-四氮杂环辛烷-环三甲撑三硝胺(HMX-RDX)的热行为。结果表明,当m(HMX)∶m(RDX)=25∶75时HMX和RDX达到了共熔。随着RDX含量的增加,HMX-RDX的晶型转变温度有所升高,晶型转化的热焓逐渐减少,共熔热焓却随之增加,共熔温度基本保持不变。     

N,N-双(α-萘基-苯基)-4,4''''-联苯二胺纳米管的制备及其光谱行为

利用多孔氧化铝作模板采用熔融法成功制备了一种定向有序排列的有机小分子(NPB)纳米管,并用场发射扫描电镜(FESEM)、 X射线能量损失谱(EDX)、透射电子显微镜(TEM)和荧光显微镜对其进行了表征.发现该纳米管具有整齐的形貌和规整的尺寸.进一步的研究表明,多孔氧化铝模板的亲油亲水处理对能否成功地大量获得纳米管起到非常重要的作用.值得注意的是,在对不同尺寸纳米管材荧光光谱的测定中,可明确观察到材料光学性质的尺寸依赖性.     

片段法合成抗骨质疏松多肽药物特立帕肽

将特立帕肽序列中的34个氨基酸分成4个片段:1-11、 12-16、 17-24和25-34;以Wang Resin（王树脂）为固相载体制得25-34肽树脂;以CTC Resin（2-氯三苯甲基氯树脂）为固相载体制得1-11、 12-16和17-24等3个片段的全保护肽,然后将3个片段的全保护肽按照肽序依次缩合到25-34的肽树脂上,经三氟乙酸切割并脱除侧链保护基得特立帕肽粗品,再经液相色谱纯化得特立帕肽,纯度大于99%,总收率达33%,其结构经MS(ESI)确证。     

Growth studies of m-GaN layers on LiAlO2 by MOCVD

This paper reports that the m-plane GaN layer is grown on （200）-plane LiAlO2 substrate by metal-organic chemical wpour deposition （MOCVD） method. Tetragonal-shaped crystallites appear at the smooth surface. Raman measurement illuminates the compressive stress in the layer which is released with increasing the layer＇s thickness. The high transmittance （80%）, sharp band edge and excitonic absorption peak show that the GaN layer has good optical quality. The donor acceptor pair emission peak located at -3.41 eV with full-width at half maximum of 120 meV and no yellow peaks in the photoluminescence spectra partially show that no Li incorporated into GaN layer from the LiAlO2 substrate.