双核钴配合物(ROCH2C≡CCH2OR)Co2(CO)6的合成

Co_2(CO)_3中两个桥连的羰基很容易被一个炔键取代,生成羰基配合物(ROCH_2C)_2Co_2(CO)_6。此类配合物既可以催化炔烃三聚成苯,也可以作为炔烃的保护基团,还可以用它进行其它的合成。为此,我们用下述反应合成了这类配合物:     

ArCCo~3(CO)~9~-~nL~n的化学ETC合成及其电化学研究

利用由化学还原剂BPK引发的电子迁移催化反应(ETC)合成了两个系列八种新的三核钴簇合物p-RC_6H_4CCo_3(CO)_(9-n)L_n(L=PPh_3,n=1;L=P(OEt)_3,n=2)。用m.p.、元素分析、IR及~1H NMR对簇合物进行了表征。对簇合物在Pt电极上的循环伏安(CV)研究表明,p-RC_6H_4CCo_3(CO)_9及PPh_3单取代物在室温下均经历一个可逆的单电子过程。p-RC_6H_4CCo_3(CO)_9的E_(1/2)与R的σ_m的线性关系表明R通过诱导效应影响簇合物的氧化还原性。取代簇合物的还原电势相对于母体簇合物的负移表明P的配位增大了CCo_3上的电荷密度,导致簇合物难被还原。     

双核钴配合物(RC_2R′)CO_2(CO)_6_n[P(OEt)_3]_n的合成与结构

PR_3可取代(RC_2R′)Co_2(CO)_6中的CO生成相应的取代配合物(RC_2R′)CO_2(CO)_(6-n)(PR_3)n: (RC_2R′)Co_2(CO)_6 +nPR_3→ (RC_2R′)Co_2(CO)_(6-n)(PR_3)n已经利用此反应合成了一系列PR_3取代配合物,但P(OEt)_3的取代配合物则未见报     

混合簇合物(C5H5FeC5H4C2Ph)Co2(CO)6的结构研究

本文用电化学方法和X射线单晶结构分析, 研究了混合簇合物(C5H5FeC5H4C2Ph)Co2(CO)6的结构, 由循环伏安结果, 分别讨论了簇合物中(C5H5FeC5H4和C2O2中心的成键性质, X射线单晶结构分析表明: 晶体属单斜晶系, 空间群为P21, 晶胞参数a=11.845(6), b=8.155(6), c=24.031(6)A, β=90.88°,晶胞中分子数Z=4, 密度Do=1.637g.cm^-^2, 分析了(C5H5FeC5H4C2Ph)Co2(CO)6的结构特点, 并从成键角度讨论了(RC2R^1)Co(CO)6类簇合物的结构随RC2R^1不同而变化的规律。     

溶液中(RC2R')Co(CO)(PR″3)2的配体PR″3之间的交换作用——三跳动力学模型

本文成功地运用了三跳动力学模型,通过相关函数和超精细分裂常数的关系, 推出了电子自旋共振波谱的线宽与基本线宽T_(2,0)~(-1)、溶液中各种异构体的超精细分裂常数、配体的交换寿命等之间的关系。求出了在290 K温度下(Ph_2C_2)Co(CO)[P(OEt)_3]_2的THF溶渡中P(OEt)_3配体的交换寿命是5.6×10~(-11)秒。     

膜流动电位测试中Ag-AgCl电极的制备及稳定性研究

膜的动电特性研究中,往往采用流动电位方法。该方法中,Ag-Ag Cl测试电极的质量是影响测试准确性的关键要素。本文采用正交试验设计和方差分析,着重考察电解法制备Ag-Ag Cl电极过程中,电流强度(I)、氯化时间(t)、电解质溶液浓度(CHCl)、电极来源(n)、烘烤温度(T)、活化电极溶液浓度(CKCl)等因素对Ag-Ag Cl电极稳定性的影响。得到Ag-Ag Cl电极的最优制备参数为:电流密度3.0m A/cm2,氯化时间50min,盐酸浓度0.1mol·L-1,烘烤温度120℃,活化电极溶液(KCl)浓度0.001mol·L-1;最显著影响因素为电极来源,显著影响因素为氯化时间和烘烤温度。对最优条件组合下制备的AgAg Cl电极,进行了稳定性实验,结果表明:制备的电极具有较好的稳定性,24h内电极电位漂移量小于0.10mv,7天内电极电位漂移量小于0.2mv;在聚偏氟乙烯中空纤维超滤膜流动电位测试中,流动电位与流动压差具有良好的线性和可重复性,回归曲线R20.99,变化规律符合Helmholtz-Smoluehowski公式,可以较好满足膜的流动电位测试要求。     

准静力学双面接触支承问题及其粘弹性材料的非局部摩擦

建立了描述变形体和基础间接触问题的数学模型.接触是双面的,并采用非局部摩擦定理建模,支承列入计算.粘结场(bonding field)的变化用一个一阶的常微分方程来表示,材料特性用一个非线性粘弹性本构关系建模.导出了该力学问题的变分公式,当摩擦因数充分小时,证明了其弱解的存在性和唯一性.依赖于时间的变分不等式、微分方程和Banach不动点理论,是该证明依据的基础.     

13.5—14.6MeV能区中子引起的50Cr(n,2n)49Cr和52Cr(n,2n)51Cr核反应截面的测量

报告了在13.5-14.6MeV中子能区，用活化法(以93Nb(n，2n)92mNb反应截面为中子注量标准)测得的50Cr(n, 2n)49Cr和52Cr(n, 2n)51Cr的反应截面. 由能量为13.5±0.3 ,14.1±0.2,14.4±0.3 和14.6±0.3MeV的中子引起的50Cr(n, 2n)49Cr反应截面值分别为3.4±0.2,6.8±0.3,21.5±1.0 和25.0±1.2mb，52Cr(n, 2n)51Cr的反应截面值分别为185±10,193±9,258±13 和332±16mb. 单能中子用T(d,n)4He反应获得，其能量用铌锆截面比法测定. 另外，为避免热中子引发的50Cr(n, 2g)51Cr对52Cr(n, 2n)51Cr反应截面的影响，在样品被辐照过程中对样品进行了包镉处理，并将实验结果与尽可能收集到的其它实验数据进行了比较.     

基于NIR结合化学计量法牛肉糜掺假检测

采用近红外(Near Infrared, NIR)技术(12500～5400cm-1)快速无损检测牛肉糜的掺假。判别分析(Discriminant Analysis, DA)、主成分回归(Principle Component Regression, PCR)等功能强大的化学计量学技术被用于掺假检测和掺假水平预测模型。通过选择适当的光谱波长和使用不同的光谱预处理方法,优化了DA和PCR模型。选择特定波长和使用(无预处理方法)的DA模型分类率达到了100%。基于全波长和使用(无预处理方法的)PCR的最佳预测模型的相关系数Rp为92.21%,样本的预测均方根误差(Root Mean Square Error Of Prediction, RMSEP)为9.80。研究结果说明NIR技术对牛肉糜的掺假体系适用。