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1.
大尺寸低缺陷碳化硅(SiC)单晶体是功率器件和射频(RF)器件的重要基础材料,物理气相传输(physical vapor transport, PVT)法是目前生长大尺寸SiC单晶体的主要方法。获得大尺寸高品质晶体的核心是通过调节组分、温度、压力实现气相组分在晶体生长界面均匀定向结晶,同时尽可能减小晶体的热应力。本文对电阻加热式8英寸(1英寸=2.54 cm)碳化硅大尺寸晶体生长系统展开热场设计研究。首先建立描述碳化硅原料受热分解热质输运及其多孔结构演变、系统热输运的物理和数学模型,进而使用数值模拟方法研究加热器位置、加热器功率和辐射孔径对温度分布的影响及其规律,并优化热场结构。数值模拟结果显示,通过优化散热孔形状、保温棉的结构等设计参数,电阻加热式大尺寸晶体生长系统在晶锭厚度变化、多孔介质原料消耗的情况下均能达到较低的晶体横向温度梯度和较高的纵向温度梯度。 相似文献
2.
3.
简述国际千克原器的历史和重新定义千克的必要性,介绍阿伏伽德罗常数的意义和新近测定的进展情况,并讨论了通过阿伏伽德罗常量重新定义千克的可能性,结论是:经基本物理常量建立质量的自然基准已为时不远了,但还有一段很艰难的路要走。 相似文献
4.
理想气体在热力学中的作用 总被引:1,自引:1,他引:0
指出热力学理论是普遍的,不依赖于理想气体.理想气体为热力学理论提供了一个简单的实例,为测量热力学温度提供了一种简单的温度计. 相似文献
5.
6.
从(3+1)维非线性薛定谔方程出发,理论上分析了超短脉冲频谱展宽与自聚焦的影响因素。分析得出:通过改变泵浦光的功率和光束口径,可以实现光谱的极大展宽并避免自聚焦成丝。数值模拟了小口径强泵浦光束在BK7玻璃中的传输过程并进行了实验验证。模拟结果显示在超连续谱产生的同时小尺度调制被完全抑制。实验结果表明:降低泵浦光功率,使光束不会因为全光束自聚焦而发生塌陷,同时还能控制除自聚焦外的其它非线性效应,进而改善近场光束质量。由于自相位调制是超短超强脉冲产生超连续谱的重要机制之一,需要维持传输过程中的泵浦光功率,由此最佳的入射光功率应选在全光束自聚焦功率阈值附近。 相似文献
7.
晶体中原子围绕其平衡位置作微小振动,是晶体原子的一种最基本的运动方式.晶格动力学主要研究晶体结构、晶格原子振动谱以及晶格振动对于固体力学、光学、电学与热学性质的影响.牛津大学出版社1954年出版的马克斯·玻恩(M.Born)和黄昆合著的<晶格动力学理论>[1],是一本在量子力学基础上论述晶格动力学的经典著作. 相似文献
8.
通过重离子核反应与在束γ谱的实验技术, 对A=130缺中子核区的双奇核136La的高自旋态进行了研究, 所用核反应为130Te(11B,5n). 实验结果扩展了136La的能级纲图, 包括3个集体转动带, 最高自旋态达20h. 对于\uppi h_{11/2}\otimes \upnu h_{11/2}$~带, 观测到了旋称反转与集体回弯现象. 通过系统学比较, 对旋称反转特性进行了讨论. 由推转壳模型的计算指出, 此集体回弯是由一对中子的角动量顺排引起的. 另外两个集体带为具有~$\gamma\approx -60^\circ$~的扁椭形变带, 其可能的组态为: $\uppi h_{11/2}\otimes \upnu g_{7/2}h_{11/2}^2$~与~$\uppi g_{7/2}\otimes\upnu g_{7/2}^2 d_{5/2} h_{11/2}^2$. 相似文献
10.