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综述了磷酸银复合材料在化学及相关领域的研究,主要集中在光催化降解污染物、环境药物、杀菌消毒和光解水等方面。光催化在降解污染物方面,尤其是在降解有机染料方面表现突出,如罗丹明B溶液、亚甲基蓝溶液等;光催化降解环境药物方面,磷酸银复合材料对阿拉特津、甲磺酸吉米沙星等药物的降解率可达到90%以上;抗菌性能方面,磷酸银对大肠杆菌有较强的抑制作用,对金黄色葡萄球菌也有一定的抑制作用。简单说明了磷酸银光催化的原理,磷酸银带隙较窄,价电子激发后产生光生电子-空穴对,光生空穴具有强氧化性,光生电子则具有强还原性,迁移到磷酸银的表面后,参与物质的氧化还原反应。最后对磷酸银的改进方法和发展前景进行了总结。 相似文献
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在ITO玻璃表面构建了三维有序多孔结构的金掺杂纳米Ti O2薄膜(3DOM GTD/ITO),同时制备了一种细胞色素c(Cyt c)酶生物传感器(Cyt c/3DOM GTD/ITO)。通过透射电镜(TEM)、扫描电镜(SEM)对修饰电极进行表征。紫外-可见光谱实验表明吸附在GTD上的Cyt c能够保持其生物活性,二级结构未被破坏。同时研究了Cyt c在3DOM GTD/ITO修饰电极表面的直接电化学及对H2O2的电催化行为。结果显示,Cyt c在3DOM GTD/ITO修饰电极上有显著的直接电化学响应,峰电流与扫描速度呈线性关系,说明该电极过程是表面电化学控制过程。Cyt c/3DOM GTD/ITO修饰电极对H2O2具有良好的催化性能,线性范围为3.0×10-7~1.70×10-5mol/L,检出限为3.6×10-8mol/L(S/N=3),响应时间为5 s,且该修饰电极具有较好的重现性和稳定性。 相似文献
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用可调谐的染料激光(4600~5000(?)),共振(3+2)和(4+1)多光子电离探测了I(5p~2P_(3/2)~0)和1~#(5p~2P_(1/2)~0).碘原子是由碘分子(I_2)经激光解离而产生的.在上述激光波段中共观察到12个原子跃迁,其中,(4+1)多光子电离跃迁是首次观察到的. 相似文献
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钾芒硝是一种成因复杂的复盐[1~ 3 ] ,并且由于钾芒硝K3 Na(SO4 ) 2 与硫酸钾石 [K3 Na(SO4 ) 2 或Na2 SO4 ·3K2 SO4 ]的化学组成相同 ,未能确定二者是否属于同一种复盐[4 ,5] 。我们合成了复盐K3 Na(SO4 )2[3 ] ,用溶解量热法测定了K3 Na(SO4 )2 和反应物 [Na2 SO4 (s) +K2 SO4 (s) ]的溶解焓 ,通过设计热化学循环计算出复盐的标准生成焓 ,为我们了解钾芒硝和硫酸钾石是否为同一复盐 ,并为进一步研究其成因和组成提供参考。1 实验部分1 1 试剂与仪器K2 SO4 (s)和Na2 SO4 (s)为A .R .… 相似文献
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焙烧对HZSM—5分子筛结构的影响 总被引:2,自引:0,他引:2
运用魔角自转固态核磁共振谱(MAS-NMR),研究了焙烧对HZSM-5分子筛结构的影响,结果表明,高温焙烧将引起HZSM-5分子筛骨架的脱铝,当焙烧温度从500℃增加到700℃时,HZSM-5的骨架Si/Al比由16.7增加至22.7;而当焙烧温度由700℃到800℃时,骨架Si/Al比则由22.7增加到48.5,Al-MASNMR结果表明,从骨架上脱下来铝,部分地形成了NMR不可见的无定形态,随 相似文献
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研究了考马斯亮蓝与蛋白质的结合反应。在十二烷基磺酸钠的存在下,于pH1.6的酸性介质中,蛋白质与考马斯亮蓝可形成复合物,使最大波长351 nm的共振光散射光谱得到加强,据此,用于蛋白质的定量测定。十二烷基磺酸钠的加入,可使灵敏度提高3.2倍。本法测定牛血清白蛋白、人血清白蛋白、卵蛋白、γ-球蛋白的线性范围分别为:0.04~0.8、0.03~0.5、0.04~1.00、.06~1.2 mg/L,检出限分别为:6.3、4.7、7.9、9.2μg/L。已用于人血清、牛奶、豆浆、尿液中蛋白质的测定,所得结果与经典的考马斯亮蓝法一致。 相似文献
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运用电化学包埋法成功将血红蛋白(Hb)固定于纳米孔阳极氧化铝膜(AAO)修饰的玻碳电极(GC)表面, 制得Hb/PPy/AAO/GC修饰电极, 并对Hb/PPy/AAO/GC修饰电极的制备条件进行了优化. 研究了Hb/PPy/AAO/GC修饰电极在磷酸缓冲液(pH=6.8)中的电化学行为, 探讨了血红蛋白在AAO修饰电极表面的直接电子转移机理. 结果表明阳极氧化铝膜不仅保持了血红蛋白的生物活性, 而且通过它的纳米尺寸效应, 实现了Hb与电极之间的直接电子转移. 其研究内容对生命科学和临床医学有着重要意义. 相似文献
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Zhi-Peng Yin 《中国物理 B》2022,31(11):117302-117302
We investigate the effect of ozone (O3) oxidation of silicon carbide (SiC) on the flat-band voltage (Vfb) stability of SiC metal-oxide-semiconductor (MOS) capacitors. The SiC MOS capacitors are produced by O3 oxidation, and their Vfb stability under frequency variation, temperature variation, and bias temperature stress are evaluated. Secondary ion mass spectroscopy (SIMS), atomic force microscopy (AFM), and x-ray photoelectron spectroscopy (XPS) indicate that O3 oxidation can adjust the element distribution near SiC/SiO2 interface, improve SiC/SiO2 interface morphology, and inhibit the formation of near-interface defects, respectively. In addition, we elaborate the underlying mechanism through which O3 oxidation improves the Vfb stability of SiC MOS capacitors by using the measurement results and O3 oxidation kinetics. 相似文献