串并联可修系统的可靠性

本文通过密度演化法讨论了部件的寿命和修理时间都服从一般分布的由n个不同子系统串并联组成的可修系统的可靠性,为串并联系统的可靠性研究提供了理论依据.     

整点问题——2004年高考试题的推广

2004年高考(浙江卷)理科第15题：设坐标平面内有一个质点从原点出发，沿z轴跳动，每次向正方向或负方向跳1个单位，经过5次跳动质点落在(3，0)(允许重复过此点)处，则质点不同的运动方法共有——种．如果我们将问题作如下推广：     

In的极大0-E-酉全逆子半群

设In是有限集Xn={1，2，…，n）上的对称逆半群，得到In的0—E-酉全逆子半群为极大的特征．     

氧化锰团簇中锰与氧配位的DFT计算

利用密度泛函方法，研究了过渡金属Ｍｎ与Ｏ的配位性质。对可能的配位方式进行了结构优化；对它们的稳定性、分子轨道组成及能级结构进行了分析．结果表明，Ｍｎ的３ｄ、４ｓ、４ｐ轨道能以不同的组合方式与Ｏ的２ｐ轨道形成良好的空间重叠，因此锰和氧能以灵活的配位方式形成各种饱和或不饱和的稳定结构。其中最稳定的配位方式是八面体六配位、四面体四配位和平面四配位．     

渐近紧随机动力系统及其极限集的性质

通过对随机动力系统极限行为的研究,推广了传统动力系统的相关定义和理论.由于在无界区域上,Sobolevr紧嵌入的缺乏,Crauel,Debussche及Flancloli等人在研究有界区域上的随机演化系统时所引入的渐近紧的概念不再适用.通过对Ladyzlmnskaya,Rosa等人在对确定性系统的研究中所提出的渐近紧概念的推广,引入了随机动力系统渐近紧的概念,并以相应的示例及严格的理论推导证明了此概念的合理性和必要性.最后,作为这一新的概念的应用,证明了渐近紧随机动力系统极限集的性质.     

模糊赋范线性空间上的Kakutani不动点定理

在Fuzzy赋范线性空间上引入多值映射的闭性概念与半连续概念,并建立了此空间上的Kakutani不动点定理.     

Conceptual Analysis and Random Attractor for Dissipative Random Dynamical Systems

The aim of this work is to understand better the long time behaviour of asymptotically compact random dynamical systems （RDS）, which can be generated by solutions of some stochastic partial differential equations on unbounded domains. The conceptual analysis for the long time behavior of RDS will be done through some examples. An application of those analysis will be demonstrated through the proof of the existence of random attractors for asymptotically compact dissipative RDS.     

“直角走廊”问题的探源及拓展

文[1]改变了苏教版高中数学必修4第49页的“探究·拓展”题17可能被闲置的尴尬局面．这种“用活教材、用足教材”的做法很是值得学习和称道．对于“等宽直角走廊”问题，文[1]利用三角函数建立数学模型，然后通过换元将目标函数转化为函数在某一区间上的最值问题，接着借助多种求解策略（如：函数单调性的定义、复合函数的单调规律、函数与方程的思想以及导数）解决了水平通过直角走廊的最长铁棒问题．     

世界最大的珠算博物馆为什么会落座中国南通

一、珠算历史发展的要求 中国是珠算的故乡，有着灿烂辉煌的历史，为世界文化的发展作出了重要的贡献。随着信息技术的迅猛发展，珠算受到了一定的冲击，保护珠算国粹，弘扬民族文化，成为珠算事业的当务之急。建设一座一流珠算博物馆，收藏珠算文物、宣传珠算文化、开展珠算教育，已是珠算历史发展所必须中国南通市从近代起对中国民族文化就极为重视，发展民族文化、传承民族文化、经营民族文化是南通人固有的性格和特点，加之南通人对珠算文化又特别钟爱，所以才有南通人这一华夏文明的伟大之举。     

Comparison of electrical characteristic between AlN/GaN and AlGaN/GaN heterostructure Schottky diodes

Ni/Au Schottky contacts on AlN/GaN and AlGaN/GaN heterostructures are fabricated.Based on the measured current–voltage and capacitance–voltage curves,the electrical characteristics of AlN/GaN Schottky diode,such as Schottky barrier height,turn-on voltage,reverse breakdown voltage,ideal factor,and the current-transport mechanism,are analyzed and then compared with those of an AlGaN/GaN diode by self-consistently solving Schrdinger’s and Poisson’s equations.It is found that the dislocation-governed tunneling is dominant for both AlN/GaN and AlGaN/GaN Schottky diodes.However,more dislocation defects and a thinner barrier layer for AlN/GaN heterostructure results in a larger tunneling probability,and causes a larger leakage current and lower reverse breakdown voltage,even though the Schottky barrier height of AlN/GaN Schottky diode is calculated to be higher that of an AlGaN/GaN diode.