广义梯度映射的广义度的若干结果

本文在[1]的基础上给出了A-proper广义梯度映射的广义度的一些进一步的结果。本文中所用的记号同[1].     

从微观化学结构分析全息图的环境稳定性

本文根据实验结果,比较分析分别用两种不同重铬酸盐全息材料(重铬酸盐明胶和无明胶重铬酸盐全息软片)制作的全息图的内部光化学反应产物(螯合物)的微观化学结构,对二者在抗潮能力和环境稳定性方面表现出的显著差异作了比较合理的理论解释。首次提出全息图具有优良的抗潮能力和环境稳定性的根本原因在于螯合物(?)部化学结构的完全对称的观点。     

关于Green定理的推广及其应用

本文减弱古典的Green 定理,证明其结论依然成立,并利用此结果,讨论了复变函数中的Cauchy积分定理和解析函数的若干问题.     

ICP-AES法直接测定钢中微量砷、锡、锑

采用ICP-AES法直接测定钢中微量砷、锑、锡的含量。优选了试样溶解方式，最佳分析谱线及仪器工作参数，检出限为砷0.0004%、锑0.0005%、锡0.0003%，方法准确、简便。     

高纯度硅的制备

(一)绪言硅作为半导体材料对现代科学技术已具有极大的实际重要性,在許多半导体材料中,目前锗和硅被公认为是最优越的,此二材料中,锗被作为半导体材料的研究对象要早些,而硅的优越性最近才被注意。由于它“禁带”能级为1.10电子伏較锗0.70电子伏为高,引导到两个重要的结果,首先作为材料它較锗能耐更高的温度(>200℃),所以它能在锗半导体已失效的温度下照常工作(Ge耐温度～75℃),其次較大的能級,使它的p-N结的逆电流较锗更低,这些性质对很多无綫电线路来说是很重要的。     

小麦秸秆堆肥水溶性有机物的结构和组成演变

堆肥是小麦秸秆资源化利用重要的途径之一,然而目前关于秸秆单一物料堆肥的研究较少。水溶性有机物（DOM）被普遍认为是堆肥中最活跃的有机组分,因此探讨DOM的演变特征可有效评价秸秆的腐熟过程。以小麦秸秆好氧堆肥过程中的DOM为研究对象,利用总有机碳、紫外-可见光光谱（UV-Vis）、三维荧光光谱（EEM）结合平行因子（PARAFAC）分析方法,阐明小麦秸秆堆肥过程中DOM的含量、结构和组成的演变特征。结果表明：堆肥过程中DOM的有机碳含量降低了23%,说明DOM是堆肥中活跃的有机质组分。值得注意的是,堆肥前期DOM微生物降解最为剧烈。UV-Vis谱图显示DOM光谱随堆肥进行不断降低,表明堆肥过程芳香族物质不断降解。EEM光谱显示出显著的荧光峰演变趋势,由堆肥前期较强的类蛋白荧光峰（D,E）演变为堆肥后期较强的类腐殖质荧光峰（H）,表明堆肥过程DOM的物质组成发生改变。通过光谱参数SUVA₂₅₄和HIX的观测,发现随着堆肥进行,DOM的芳香度和腐殖化程度呈现动态变化,整体呈增强趋势。由此可推测堆肥过程DOM降解的成分主要为非腐殖质,而腐殖质类物质的相对含量则不断提升、整体芳构化和腐殖化程度增加。EEM-PARAFAC进一步定量分析了DOM组分的演变特征。随着堆肥的进行,DOM中的类蛋白物质（C3）相对含量显著降低（~46%）,而类富里酸（C1）和类腐殖酸（C2）物质相对含量分别提高了45%和80%。DOM中的组成由堆肥初期的C1∶C2∶C3=41∶17∶42演变成堆肥后期的53∶27∶20。结果揭示出堆肥过程中类蛋白物质发生显著的降解,而类腐殖质则由于分子聚合生成作用和微生物降解速率较慢等因素逐渐演变成堆肥DOM的主要组分。相关性分析结果显示HIX与C1和C2均呈现极显著正相关（r=0.806~0.853）,表明腐殖化指数(HIX)可有效指示DOM的腐殖质物质组成。本研究结果可为进一步优化小麦秸秆堆肥条件,改善秸秆有机肥质量提供科学依据。     

多循环PDE利用壁温蒸发煤油的试验研究

燃用煤油是脉冲爆震发动机工程化应用研究中亟待解决的一项关键技术.由于煤油的蒸发性差,常温下在空气中很难起爆,为了突破煤油在脉冲爆震发动机中的应用限制,利用爆震室壁面高温蒸发煤油,提高煤油在PDE中的起爆性能.本文利用PDE工作时的壁温和少量来流空气,在PDE管外设计了蒸发器,对供入PDE的煤油实行预蒸发,以提高燃用煤油...     

场板抑制GaN高电子迁移率晶体管电流崩塌的机理研究

通过实验和数值器件仿真研究了钝化GaN高电子迁移率晶体管(HEMTs)、栅场板GaN HEMTs和栅源双层场板GaN HEMTs电流崩塌现象的物理机理,建立了电流崩塌强度与帽层中载流子浓度、陷阱电离率和电场的内在联系.研究结果表明,场板可以有效调制帽层中横向和纵向电场的强度分布,并可有效调制纵向电场的方向,减弱栅极附近电场强度,增加场板下方电场强度,这会减弱栅极附近自由电子的横向运动,增强场板下方自由电子的纵向运动,进而可以有效调制帽层中自由电子浓度的分布,提高陷阱的电离率,减小器件的电流崩塌. 关键词： 电流崩塌 钝化器件 场板器件 陷阱电离率     

p型金属氧化物半导体场效应晶体管界面态的积累对单粒子电荷共享收集的影响

由于负偏置温度不稳定性和热载流子注入,p型金属氧化物半导体场效应晶体管(pMOSFET)将在工作中不断退化,而其SiO₂/Si界面处界面态的积累是导致其退化的主要原因之一. 采用三维器件数值模拟方法,基于130 nm体硅工艺,研究了界面态的积累对相邻pMOSFET之间单粒子电荷共享收集的影响. 研究发现,随着pMOSFET SiO₂/Si界面处界面态的积累,相邻pMOSFET漏端的单粒子电荷共享收集量均减少. 还研究了界面态的积累对相邻反相器中单粒子电荷共享收集 关键词： 负偏置温度不稳定性 电荷共享收集 双极放大效应 单粒子多瞬态     

ZnS掺Ag与Zn空位缺陷的电子结构和光学性质

本文基于第一性原理平面波赝势(PWP)和广义梯度近似(GGA)方法,对ZnS闪锌矿结构本体、掺入p型杂质Ag和Zn空位超晶胞进行结构优化处理. 计算了三种体系下ZnS材料的电子结构和光学性质,并从理论上给出了p型ZnS难以形成的原因. 详细分析了其平衡晶格常数、能带结构、电子态密度分布和光学性质.结果表明:在Ag掺杂与Zn空位ZnS体系中,由于缺陷能级的引入,禁带宽度有所减小,在可见光区电子跃迁明显增强. 关键词： 硫化锌 缺陷 电子结构 光学性质