小区间中的整数的最大素因子

设ε>0,证明了:区间(X,X十X^1/2十ε]中存在这样一个整数,它有一个素因子P≥x^11/12-ε.     

快求五倍原数积

求五倍积的方法，有的用九九口诀和变式乘，也有的用进个律，虽进律简单，但个律较烦。如超2进1、超6进3等等，每个不同，按九九口诀联想，并不理想。若用进位积变个位积，似觉方便。     

SOI无间距定向耦合光开关模型分析及设计

提出了一种简便可行的ＳＯＩ无间距定向耦合光开关（ＢＯＡ型－Ｂｉｆｕｒｃａｔｉｏｎ Ｏｐｔｉｑｕｅ Ａｃｔｉｖｅ）模型分析方法，采用等离子体色散效应这种光开关的电学调制机理；而用ｐｎ结大注入效应分析开拳电学性质；并根据大截面单模ＳＯＩ脊形波导理论和上棕分析，设计了利用双模干淑机制工作的这种器件的结构参数和电学参数。     

D形截面环流器中的磁面及LHCD的研究

本文利用环形系统的Ｇｒａｄ－Ｓｈａｆｒａｎｏｖ方程得到了Ｄ形截面的托卡马克磁面位形，并利用射线追踪技术研究了Ｄ形磁面位形下低杂波的运动形态。定性地研究了Ｄ形磁面位形下利用低杂波驱动电流的可行性，优化地给出了驱动电流的最佳方式。     

搅拌下吸附富集时不可逆过程峰电流方程式

线性变势吸附伏安法是一种简便的痕量分析方法。本文讨论了此方法中不可逆过程的峰电流方程式,并对其作了验证。仪器与试剂 83-2.5型多阶自动新极谱仪(各档灵敏度已校正),LZ_3-100型函数记录仪,Metrohm E410型悬汞电极,所用试剂同文献[1]。实验方法在含0.1mol/dm~3NH_3/NH_4Cl,1×10~(-4)mol/dm~3丁二肟,pH=9.2的Co(Ⅱ)溶液中用氮气除氧并搅拌。由于配合物的稳定常数很大(β=10~(17)),可以认为Co(Ⅱ)A_2的浓度等于Co(Ⅱ)的浓度。由于电势负于-1.20V时Co(Ⅱ)A_2在电极上不吸附,因此先将电极置于-1.5V,一当从悬汞电极中旋出新的汞滴,立即将电势恒定于-0.8V,富集一定时间,然后关闭搅拌器,30秒后,电势以100mV/s的速度向负方向扫描至-1.3V,同时     

国产金属箔式应变片在低温和强磁场下工作特性的研究

HT- 7U超导模型线圈实验中 ,研究了国产金属箔式应变片在低温和强磁场下的工作特性 ;测量了应变片从室温液氮温度液氦温度的输出示应变曲线 ,以及磁场强度从 0 T- 4T时应变片的输出示应变曲线。实验测得 ,对所选用的应变片 ,从室温降至液氮温度 (77.4K)的热输出为 - 3 6 4 7με,降至液氦温度 (4.2 K)的热输出为 - 3 999με,磁场从 0 T升至 4T的输出示应变为2 3 5με。     

HL-2A电子回旋波加热传输系统设计

电子回旋共振加热（ECRH）被公认为是一种最有效的、在技术上最具有吸引力的聚变等离子体二级加热方法之一。ECRH有多种用途：用于加热，通过定点加热控制电流截面；ECRH还可以用预电离，产生初始等离子体。ECRH与其他辅助加热相比，具有十分突出的优点：加热的局域性能好。有较高的耦合效率，天线结构简单。     

HL-2A等离子体的控制和边界识别

在托卡马克装置中，等离子体控制是一项重要的基础性工作，是托卡马克装置等离子体能够平衡、正常放电运行重要而基本的条件。这项工作包括等离子体电流、位置、形状、密度、电流分布、q值的控制和等离子体破裂控制等。其中电流、位置和密度的控制是圆截面等离子体的基础性工作；对于非圆截面装置，除了电流、位置和密度的控制之外，形状的识别和控制又是必不可少的基础性工作。这其中等离子体形状的识别和位置控制又是最复杂和最困难的。本论文给出了HL-2A装置等离子体电流和水平位移控制的理论模型和MATLAB仿真结果，并具体介绍了目前HL-2A装置等离子体控制系统的软、硬件组成。     

A More Efficient Synthetic Route to Perylene-porphyrin Arrays

We present an efficient synthetic route towards two kinds of perylene-porphyrin arrays. Starting from 5, 10, 15, 20-meso-tetraphenylporphyrin, two novel 9a and 9b were designed and synthesized with 40.3% and 35.1% yield, respectively.