辅酶Ⅰ在Co／CFUE上的电化学行为及应用

辅酶I(NAD+)在0.005moL/LTris 0.01moL/LNaCl溶液(pH7.0)中,于钴离子注入修饰碳纤维电极上出现一个S形的还原波,半波电位为-1.45V(vs.SCE)。峰电流与NAD+的浓度在2.38×10-5～4.76×10-4mol/L(r=0 9992)和4.76×10-4～1.78×10-3mol/L(r=0.9982)之间成线性关系,检出限为1.19×10-5mol/L,回收率在96.7%～103.4%之间。用线性扫描、循环伏安法研究了钴离子注入修饰碳纤维电极上NAD+的电化学行为。电极反应机理为:NAD++e NAD·;NAD·+e+H+ NADH;2NAD·→NAD2。另外,钴离子注入修饰碳纤维电极对NAD+具有电催化作用。     

丝网印刷普鲁士蓝修饰电极催化还原测定过氧化氢

制备了普鲁士蓝修饰的丝网印刷过氧化氢传感器,研究了过氧化氢在该修饰电极上的电催化还原特性,考察了有关修饰膜制备和试验条件对传感器性能的影响。结果表明,pH4.0的0.2mol·L-1KH2PO4 K2HPO4缓冲溶液(PBS)中,修饰电极对过氧化氢显示出快速的电化学响应,较高的稳定性、重现性和催化活性,测定的线性范围为1.0×10-5～1.0×10-3mol·L-1,相关系数为0.999,检出限为6.0×10-6mol·L-1(3σ)。电极制作方法简便,可用于实际样品的测定。     

微分方法在聚苯骈咪唑修饰电极溶出伏安分析研究中的应用

本文推导了聚苯骈咪唑修饰电极溶出伏安分析中电流对电位的二次方程，并以Ｆｅ（Ｃ２Ｏ４）＾２－３为研究对象，对该方程进行了实验验证，实验结果与理论相吻合。     

铋(Ⅲ)-8-羟基喹哪啶体系极谱行为——表面活性剂增敏机理和分析应用——Ⅱ.铋(Ⅲ)-8-羟基喹哪啶络合物电极反应和十二烷基苯磺酸钠增敏机理

试验表明,铋(Ⅲ)-8-羟基喹哪啶(8-OXQ)络合物(pHll,-0.60V)的峰电流(p)具吸附特性,为准可逆电极反应过程,其电子转移数(n),传递系数(α)及饱和吸附量(Γ_ο)分别为3,0.45,6.5×10~(-12) mol/cm~2。加入十二烷基苯磺酸钠(SDBS)未形成三元络合物,因SDBS的超载强烈吸附,引起诱导吸附,电双层结构激烈变化,而使电流峰形巨变,电流峰高(i_p)增大10余倍。讨论并指出SDBS对Bi(Ⅲ)与8-羟基喹啉(8-OX)及衍生物络合吸附电流增敏或抑制,与试剂组分、结构、解离态及络合物存在状态、电荷数、符号有关。     

微圆盘电极上耦合—级均相反应的稳态电流

在电极袭面反应物浓度均匀的近似假设下,得到了微圆盘电极上暂态可逆反应的一般解.然后利用该一般解得到了微圆盘电极上耦合一级均相反应的可逆电极反应CE、EC、EC′和ECE 的稳态电流计算公式.     

过渡金属酞菁配合物化学修饰电极的研究：Ⅳ对抗坏血酸的电催化氧化

用化学吸附法首次制备了FE(Ⅱ)、Co(Ⅱ)、Ni(Ⅱ)和Cu(Ⅱ)的3,3′,3′′,3′′′-四硝基酞菁配合物化学修饰电极(ML CME),用循环伏安法(CV)研究了它们对抗坏血酸(AH_2)的电催化氧化.与未修饰玻碳电极(GC)相比,AH_2在ML CME(GC基体)上的氧化峰电位(Epa)负移150mV左右,氧比峰电流(Ipa)明显增大.各ML CME对AH_2的电催化氧化活性均有很高的稳定性.AH_2在ML CME上的氧化峰电流和AH_2的浓度之间有着良好的线性关系.     

巯基化合物的电位分析法研究

本文对用直接电位法测试巯基化合物的可行性进行了研究。发现由硫化银，硫化汞等金属难溶盐制成的膜电极对６－巯基嘌呤，高胱氨酸，１，４－二巯基苏糖经合物可产生响应，其斜率为３０－１１０ｍＶ／ｐＣ，电极响应时间，则为十几秒至十几分钏，测试结果具有较好的重现性。因此，该方法可望得到应用。文中还对有关响应机理进行了探讨。     

液结的复合层半导体材料光电化学行为

本世纪５０年代开始，Ｂｒａｔａｉｎ和Ｇｅｒｉｓｈｅｒ等人以半导体物理中Ｓｃｈｏｔｋｙ势垒为基础建立了半导体／电解质溶液界面模型，即在半导体与溶液中均认为可用费米能级的概念来表示电子填充的水平，也就是体系的电化学势，它在能级图上位置的高低代表了给出电子...     

汞电极表面电荷的快速估算

本文报导了用交流示波极谱快速估算电极表面电荷的方法。该方法使用仪器简单,测量快速,操作简便,在吸附研究中很有用处。