低速流动的预处理多重网格求解

本文采用预处理的时间推进方法,求解可压形式的Euler/Navier-Stokes方程,数值模拟低马赫数范围内的无粘、粘性流动.为了进一步加速收敛,并使用了多重网格技术.计算表明预处理能够保持可压缩求解方法在高速时的收敛特征,对于低速流动计算可以加速收敛并提高精度.     

100MeV回旋加速器主磁铁设计与工艺技术研究

中国原子能科学研究院目前正在建造一台100MeV强流回旋加速器, 它加速负氢离子, 通过剥离引出质子束, 能量75MeV—100MeV, 流强200μA. 该回旋加速器的主磁铁为紧凑型整体结构, 采用4扇直边叶片, 渐变气隙. 将报告该磁铁的设计特点, 数值模拟结果; 磁性材料及成分偏析、缩孔等内部缺陷;机械结构设计、公差、变形;还将描述磁铁的工作进展.     

区间Bézier曲线和曲面的升阶

把Bézier曲线、曲面的升阶公式推广到区间Bézier曲线、曲面,证明了在不断升阶的过程中,区间控制顶点的并集收敛到原区间Bézier曲线、曲面.这里的升阶公式可用于将低次的区间Bézier曲线、曲面转换成高次形式,并且升阶可以增加控制顶点的数目,便于更加灵活地对这些区间曲线、曲面作形状控制.由升阶公式和升阶的收敛性可得到一种简洁有效的区间Bézier曲线、曲面的几何作图方法.     

一类多重调和方程的正整解的存在性及其性质

该文以Schauder-Tychonoff不动点定理为工具,建立了一类R^n上带奇异性的非线性多重调和方程正整解的存在性定理,并给出了解的有关性质,所得的结果丰富和发展了已有的理论和应用。     

由六个顶点的箭图诱导的项链李子代数

无限维项链李代数是新的一类无限维李代数,本文重点讨论了由六个顶点的箭图诱导的项链李子代数,研究了这类李子代数的子代数,同构和同态,这类李代数是Virasoro-like李代数的推广,并讨论了它的其他一些性质.     

求解流动与传热问题的一种高效稳定的分离式算法-IDEAL

本文提出了一种求解流动与传热问题的高效稳定的分离式算法-IDEAL(Inner Doubly-iterative EfficientAlgorithm for Linked-equations).在IDEAL算法中每个迭代层次上对压力方程进行两次内迭代计算,第一次内迭代过程用于克服SIMPLE算法的第一个假设,第二次内迭代过程用于克服SIMPLE算法的第二个假设.这样在每个迭代层次上充分满足了速度和压力之间的耦合,从而大大提高了计算的收敛速度和计算过程的稳定性.本文通过2个三维不可压缩流动和传热的算例对IDEAL算法与其它三个被广泛使用的算法(SIMPLER、SIMPLEC和PISO)进行了比较.通过分析比较得出IDEAL算法在收敛性和健壮性上均优于SIMPLER、SIMPLEC和PISO算法.在这2个算例中IDEAL算法几乎可以在任意的松弛因子下获得收敛的解,并且IDEAL算法所需最短计算时间较SIMPLER算法减少12.9%～52.6%;较SIMPLEC算法减少48.3%～79.1%;较PISO算法减少10.7%～46.5%.     

Adomian Decomposition Method and Pade Approximants for Nonlinear Differential-Difference Equations

Combining Adomian decomposition method （ADM） with Pade approximants, we solve two differentiaidifference equations （DDEs）： the relativistic Toda lattice equation and the modified Volterra lattice equation. With the help of symbolic computation Maple, the results obtained by ADM-Pade technique are compared with those obtained by using ADM alone. The numerical results demonstrate that ADM-Pade technique give the approximate solution with faster convergence rate and higher accuracy and relative in larger domain of convergence than using ADM.     

Electrical Characteristics of Co/n-Si Schottky Barrier Diodes Using I-V and C-V Measurements

Electrical characteristics of Co/n-Si Schottky barrier diodes are analysed by current- voltage （I- V） and capacitancevoltage （C- V） techniques at room temperature. The electronic parameters such as ideality factor, barrier height and average series resistance are determined. The barrier height 0. 76 eV obtained from the C - V measurements is higher than that of the value 0. 70 eV obtained from the I - V measurements. The series resistance Rs and the ideality factor n are determined from the d ln（ I） /dV plot and are found to be 193.62 Ω and 1.34, respectively. The barrier height and the Rs value are calculated from the H（I） - I plot and are found to be 0.71 eV and 205.95Ω. Furthermore, the energy distribution of the interface state density is determined from the forward bias I - V characteristics by taking into account the bias dependence of the effective barrier height. The interface state density Nss ranges from 6.484×10^11 cm^-2eV^-1 in （Ec - 0.446） eV to 2.801×10^10 cm^-2eV^-1 in （Ec - 0.631） eV, of the Co/n-Si Schottky barrier diode. The results show the presence of a thin interracial layer between the metal and the semiconductor.     

关于任意随机变量序列泛函的一类强偏差定理

通过概率空间上的任意随机变量的分布与独立分布的比较.研究任意随机变量序列泛函的强偏差定理,即小偏差定理.将已有的某些连续型及离散随机变量序列的强偏差定理加以推广.     

三个数列的收敛速度

利用不等式形式对e-〔1+1/n〕~n,〔1+1/n〕~(n+1)-e,e-sum from k=0 to n 1/k!进行了估计,给出了数列〔〔1+1/n〕~n〕,〔〔1+1/n〕~(n+1)〕,sum from k=0 to n 1/k!收敛于e的速度.