Quantum Logic Network for Probabilistic Teleportation of Two-Particle State in a General Form

A simplification scheme of probabilistic teleportation of two-particle state in a general form is given.By means of the primitive operations consisting of single-qubit gates,two-qubit controlled-not gates,Von Neumann measure-ment and classically controlled operations,we construct and efficient quantum logical network for implementing the new scheme of probabilistic teleportation of a two-particle state in a general form.     

可调谐液晶法-珀滤光片的研究

提出了一种可用于密集波分复用系统中的新型可调谐滤光片的设计方法,该设计利用了液晶的双折射现象,以及液晶盒内法-珀效应,从理论上分析了器件的光谱特性,计算了液晶分子的折射率调制和其分子转动角度的关系.并对器件进行了性能测试.实验结果与理论吻合较好.     

F-H实验仪与光栅光谱仪连用观测253.7nm谱线

通过F-H实验仪和光栅光谱仪的连用，可实时观测汞原子从6s6s1So态激发到6s6sSP1态，退激时，辐射出能量为4．9eV的光量子，其波长为253．7nm．     

COIL中稀释气体对单态氧产率影响的实验研究

 利用自发Raman散射光谱对射流式氧发生器的单态氧产率进行了测试，研究了稀释气体对于发生器产率的影响，并分析了造成影响的原因     

关于态射的Drazin逆

给出了态射的Drazin逆存在的条件及显式表达式，改进并推广了[1]、[2]与[3]中的一些主要定理。     

正系数多项式倒数逼近的点态和整体估计

利用Ditzian-Totik光滑模对于[0,1]上定义的非角连续函数f(x)，且f(x)≠0，文中证明存在正系数多项式Pn(x)及常数C，使得|f9x)-1/Pn(x)|≤Cωψ^λ（f,n^-1/2(ψ(x) 1/√n)^1-λ)。当λ＝1时，上述结果导出已有的整体估计，而当0≤λ＜1时，得到倒数逼近一个新的点态局部估计。     

第I种非对称三态叠加多模叠加态光场的高次和压缩——第一正交分量的N次方H压缩效应

构造了第孙中禹种强度不等的非对称三态叠加多模叠加态光场|ψ₁^(ABC)〉_q.利用多模压缩态理论研究了态|ψ₁^(ABC)〉_q第一正交分量高次和压缩.结果发现:①当构成态|ψ₁^(ABC)〉_q的三个多模相干态光场的强度不相等时,在一定条件下,态|ψ₁^(ABC)〉_q的第一正交分量可出现任意幂次的高次和压缩.②当上述的三个多模相干态光场强度相等时,态|ψ₁^(ABC)〉_q的第一正交分量的高次和压缩现象消失.在这种情况下,态|ψ₁^(ABC)〉_q的第一正交分量恒处于NH最小测不准态.     

激光水下偏振特性用于目标图像探测

利用激光水下偏振特性获得偏振差分图像(PDI),并运用PDI技术,从理论和实验上对水下目标探测进行了研究.介绍了PDI基本概念和实验系统原理,然后比较分析了不同条件下普通图像与PDI在辨别目标距离及其纹理上的差别和PDI中背景偏振光的影响,得出利用目标和背景偏振光的差异区分二者,从而提高探测距离的结论,并取得了较好的效果.在此基础上提出了通过处理有关PDI偏振参量来进一步辨别目标与背景的设想.     

Radiative lifetimes of Rydberg states of BeⅠ and BeⅢ

By using the multichannel quantum defect theory(MQDT),we have evaluated the energy levels and lifetimes of 2sns ^3 S1,2snd ^3D(n=3-25)of BeI and 1 sns ^3s1,1snd ^3D(n=3-25)of BeⅢ,These energies and lifetimes that we have calculated not only agree with the recent measurements and theoretical calculation of Ref.4 and Ref.3, but also predict the lifetimes of 66 other highly excited states.     

二代树状碳硅烷液晶研究Ⅰ.端基含36个丁氧基偶氮苯介晶基元

用发散法合成周边含36个丁氧基偶氮苯介晶基元(M5)端基新的二代树状碳硅烷液晶(D2),并用元素分析,氢谱,激光质谱,红外,紫外,偏光显微镜,DSC和WAXD法表征.D2为向列相,与M5相同,二代树状物相态由介晶基元相态决定.D2液晶态相行为是K85N107I103N69K,其熔点比M5降低27～41℃,清亮点比M5降低17～18℃,液晶态温区比M5加宽10～23℃.二代碳硅烷(D2)与一代碳硅烷(D1)相比熔点增加2～3℃,清亮点降低26～29℃,液晶态温区减少29～31℃.在二代树状物中观察到S=+3/2的高强向错.