N2（A）及N（2D）对IF（X）的传能研究

在微波放电系统中,对NH_3-F-F_2-CF_3I体系进行研究,结果表明,向IF(X)传能的诸多媒介中,N_2(A)及N(~2D)起着主要作用,并且这一结论在经微波激发后的N_2与CF_3I的直接反应中得到了进一步证实。     

低密度氢气的分子间平均相互作用势理论和计算

本文提出了分子单中心模型,并通过对构型的平均,两个定理的提出与证明,色散能修正的证明,从数学上论证了这个模型的合理性。由此模型可以直接求出两个氢分子间的平均相互作用势,从而改变了长期以来,总是先算有限几种构型然后再作平均的传统作法。通过数字计算,得到了迄今为止最好的全程平均相互作用势曲线。势阱深度及平衡分子间距分别为-2.91meV和3.44(实验值:-2.85～-3.00meV,3.43～3.49)。     

CsBr高压X光研究

 采用同步辐射X光源和能散法，对CsBr粉末样品进行高压原位X光衍射实验。由金刚石对顶压砧高压装置（DAC）产生高压，用已知状态方程的Pt粉末作内标，由Pt的衍射数据确定样品压力，最高压力达64.4 GPa。实验结果表明：室温常压下原始CsBr样品是具有简单立方结构的晶体，其晶格常数α＝0.428 5 nm。高压下CsBr的结构有所变化，在51.3~58.4 GPa的压力范围内，(110)线和(211)线发生劈裂，从而形成了四方相。     

由爱因斯坦的假想实验导出相对论动量

本文依据爱因斯坦首次质能关系推导中所使用的假想实验，直接简明地导出相对论动量公式。     

应变层超晶格InAs/InP界面的平均键能行为与价带边不连续性

采用LMTO能带方法,对两种不同应变状态下(自由形变和以InP为衬底),应变层超晶格(InAs)₁(InP)₁(001)和与应变层超晶格的分子层相对应的应变体材料,以及无应变的体材料进行了第一原理计算,并采用冻结势方法求出了两种超晶格各分子层的平均键能。结果表明,能存在应变的情况下,异质界面两边的平均键能非常一致,且这种一致性受应变状态的影响很小,因而可以把它用来作为确定应变层超晶格价带边不连续值(△E_v)的普遍适用的参考能级。研究了应变对 关键词：     

表面气相扩渗稀土法处理铝青铜的耐蚀性能研究

采川X射线光电子能谱、离子探针剥蚀分析和扫描电镜等方沙研究了化学气相扩渗稀土对铝青铜合金耐蚀性能的影响。结果表明,在该合金表面有微量铈渗入,电位-时间曲线、交流阻抗和失重试验等还证明,渗铈能提高铝青铜表面耐蚀性能。     

韧性金属裂纹尖端损伤区内应变场测量——数字散斑相关法应用

本文用数字散斑相关方法测量了五种不同幂硬化指数韧性金属材料(铝和铜),双边裂纹尖端细观区域内应变场.对所得结果用韧性损伤模型进行了分析.在此法中以金属自然表面结构为散斑场,不同加载状态的散斑场进行比较,得到相对变形与应变.图象之间相关性 C 是变形参数或是位移及其导数的泛函.使其相关性 C 取最大值的试凑变形即为其真实变形场.这一方法在细观测量中应用得到满意的结果.     

位移二项式态与位移负二项式态的性质及其与二能级原子的相互作用

提出并研究两种新的量子光场态：位移二项式态和位移负二项式态．讨论了两种量子态的光子数分布、亚泊松分布特性．结果表明：位移二项式态是介于相干态与位移粒子数态之间的一种量子中间态，在不同参数下可表现亚泊松分布和超泊松分布；位移负二项式态是介于相干态与位移Susking Glogower位相态之间的量子中间态，它只表现超泊松分布．研究了它们与二能级原子在强度耦合情况下相互作用原子反转的动力学演化. 关键词：