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991.
自旋转移矩辅助电压调控磁各向异性磁隧道结(STT辅助VCMA-MTJ)作为非易失性全加器(NV-FA)中的核心部件,具有切换速度快、功耗低,稳定性好等优点,将在物联网、人工智能等领域具有良好的发展前景.然而随着磁隧道结(MTJ)尺寸的不断缩小以及芯片集成度的不断提高,工艺偏差对MTJ及NV-FA电路性能的影响将变得越来越显著.本文基于STT辅助VCMA-MTJ磁化动力学,在充分考虑薄膜生长工艺偏差以及刻蚀工艺偏差影响的情况下,建立了更为精确的STT辅助VCMA-MTJ电学模型,研究了上述两种工艺偏差对MTJ及NV-FA电路性能的影响.结果表明,当自由层厚度偏差γtf≥6%或氧化层厚度偏差γtox≥0.7%时,MTJ将无法实现状态切换;当隧穿磁阻率偏差β增大到30%时,读取裕度SM将下降高达17.6%.对于NV-FA电路,通过增大电压Vb1以及写‘0’时增大电压Vb2或写‘1’时减小Vb2,可有效降低非易失性加数写入错误率;通过增大逻辑运算驱动电压Vdd,可...  相似文献   
992.
993.
994.
We use transient terahertz photoconductivity measurements to demonstrate that upon optical excitation of CH_3NH_3PbI_3 perovskite, the hole transfer from CH_3NH_3PbI_3 into the organic hole-transporting material(HTM)Spiro-OMe TAD occurs on a sub-picosecond timescale. Second-order recombination is the dominant decay pathway at higher photo-excitation fluences as observed in neat CH_3NH_3PbI_3 films. In contrast, under similar experimental conditions, second-order recombination weakly contributes the relatively slow recombination between the electrons in the perovskite and the injected holes in HTM, as a loss mechanism at the CH_3NH_3PbI_3/Spiro-OMe TAD interface. Our results offer insights into the intrinsic photophysics of CH_3NH_3PbI_3-based perovskites with direct implications for photovoltaic devices and optoelectronic applications.  相似文献   
995.
In this paper, we use a nonlinear decohering quantum model to study the initial step of photosynthesis which is an ultrafast transfer process of absorption the sunlight by light-harvesting complexes and electronic excitation transfer to the reaction center(RC). In this decohering model, the Hamiltonian of the system commutes with the systemenvironment interaction. We take B850 ring of light-harvesting complex II(LH-II) in purple bacteria as an example to calculate the efficiency of the energy transfer as a function of time. We find that the environmental noise can make the LH-II have stable energy transfer efficiency over a long time. This is to say that the environmental noise which is the decohering source has advantage of the energy transfer in the process of photosynthesis.  相似文献   
996.
质子交换膜水电解(PEMWE)制氢技术以其独特的优势被视为未来全球能源与环境协调发展的优先选择.析氧电催化剂是PEMWE制氢技术发展的关键瓶颈之一,主要原因在于其表面的析氧反应(OER)可逆性差、反应动力学过程缓慢.为了提高析氧过程反应动力学,需要研制高效的电催化剂.本文从材料组分与结构的角度出发,采用具有质子传导特性的复合载体,探索微结构可控复合载体材料的合成技术,开发出一系列的高效氧电极复合载体材料以及载体催化剂.实现载体材料高质子、电子导电性及微结构的可控优化,对于PEMWE的理论研究和应用都具有重要意义.  相似文献   
997.
在测量各种双口网络电路的频率特性时,需要对它们的输入与输出信号之间的相位差进行准确测量,针对采用示波器测量相位差误差较大的问题,提出一种能对信号相位差进行高精度测量的设计方案;系统采用过零鉴相和填充计数的测量原理,利用可编程逻辑器件的高速运算能力对高速脉冲计数,由单片机对工作电路进行协调控制和数据处理显示;同时设计高精度相位差可调的直接数字频率合成信号源对系统进行测试,实际测试结果显示,系统对相位差的测量精度高,最小测量精度可达0.1o,并实现宽频率范围的相位差测量。系统在实际应用中测量结果准确、稳定、可靠。  相似文献   
998.
The effects of Mg-induced net acceptor doping concentration and carrier lifetime on the performance of a p-i-n InGaN solar cell are investigated. It is found that the electric field induced by spontaneous and piezoelectric polariza- tion in the i-region could be totally shielded when the Mg-induced net acceptor doping concentration is sufficiently high. The polarization-induced potential barriers are reduced and the short circuit current density is remarkably increased from 0.21 mA/cm2 to 0.95 mA/cm2 by elevating the Mg doping concentration. The carrier lifetime determined by defect density of i-InGaN also plays an important role in determining the photovoltaic properties of solar cell. The short circuit current density severely degrades, and the performance of InGaN solar cell becomes more sensitive to the polarization when carrier lifetime is lower than the transit time. This study demonstrates that the crystal quality of InGaN absorption layer is one of the most important challenges in realizing high efficiency InGaN solar cells.  相似文献   
999.
立柱桩对基坑工程的稳定性有重要影响. 基于快速拉格朗日法(fast Lagrangian analysis of continua-3D, FLAC3D),考虑桩土之间的相对滑移作用,深入分析了砂土地基中开挖条件下不同布桩方式对立柱桩桩身拉力、最大拉力位置及桩顶回弹量等的影响. 结果表明:开挖对立柱桩的影响有明显的空间效应,开挖对中心桩的影响最大,角桩最小;开挖使立柱桩桩身内产生了拉力,群桩基础内的中心桩最大拉力值大于 单桩的最大拉力值,且最大拉力值位置随桩数的增加而上移,并最终稳定在0.5倍的有效桩长;中心桩桩顶回弹量先随着桩数的增加而增大,然后当桩数增加到一定的数量后减小.  相似文献   
1000.
针对爆炸场瞬态高温测量需求,从辐射测温原理出发,建立红外比色测温系统。通过黑体炉实验标定出Si/Ge双通道比色测温仪的波长、带宽、光电转换系数等工作参数和测温范围,并将比色测温仪高温测温量程扩展至3 500℃。利用大能量电火花放电产生的爆炸场标定了测温仪的响应时间,结果显示测温仪响应时间不超过10μs。确定了标准测温仪和超限测温仪的温度计算公式,并将比色测温仪应用于TNT柱状炸药和云爆剂(FAE)爆炸场温度测试,可以为爆炸反应过程诊断和爆炸温度毁伤效应评估提供依据。  相似文献   
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