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991.
RF磁控溅射条件对ZnO薄膜结构的影响 总被引:1,自引:0,他引:1
采用RF磁控溅射法在Si(001)衬底上制备ZnO薄膜。研究发现了工作中溅射频率、氧气和氩气流量比对样品结构的影响。样品的XRD图谱显示了强的(002)ZnO衍射峰,表明ZnO薄膜为c轴高取向生长。比较不同条件下制备的ZnO薄膜,研究发现当氧气和氩气的流量比相同时,随着溅射功率的增加,样品的(002)衍射峰增强,半高全宽变小。而当溅射功率相同时,随着氧气和氩气的流量比增加,样品的(002)衍射峰也增强,半高全宽同样变小。此外,本文还分析了溅射工艺和薄膜晶体质量之间关系,发现在相同的功率条件下,溅射率低时晶粒尺寸更大且薄膜的结晶性更好。 相似文献
992.
在原子法激光同位素分离工程中,电子枪加热金属铀产生的原子蒸气的密度、速度以及温度等宏观量分布特性是非常重要的参数.为了分析电子枪功率和束宽对原子蒸气密度、速度、温度、质量通量和速度分布等物理特性的影响,采用直接MonteCarlo方法用柱坐标模拟了铀原子平面蒸发动力学过程.在电子枪加热方式下,蒸发源温度场不均匀,而且温度场随电子枪功率和束宽变化.着重研究这种变化对蒸气各种物理特性的影响.模拟结果表明,电子枪功率越高,蒸气径向宏观漂移速度越大,蒸发量越大;电子束束宽越窄,蒸发量越大.
关键词:
金属蒸发
原子法激光同位素分离
直接MonteCarlo
电子枪 相似文献
993.
Electronic Structural Properties and Superconductivity of Diborides in the MgB2 Structure 总被引:1,自引:0,他引:1 下载免费PDF全文
We calculate the critical temperature Tc of a wide range of diborides which have the same crystal structure as MgB2.Their electronic structure is also calculated in the framework of the local density approximation method of density functional theory be using the pseudopotential plane wave approach.The Hopfield factors η of these materials are calculated by the frozen phonon method.Our results show that most of these diborides have low η,and hence low or no Tc;this is consistent with experimental observations.The most important result of our calculation is that AgB2 and AuB2 have higher Tc than MgB2.The high Tc of these two materials comes from the combination of the high density of states and high deformation potential of the σ bands. 相似文献
994.
双模腔场中具有不同耦合常数的两原子多光子辐射谱 总被引:1,自引:0,他引:1
研究了与双模腔场具有不同耦合常数的两个二能级原子的多光子辐射谱,给出了双模多光子辐射谱的一般表达式.结果表明,当双模腔场分别处于不同数态时,虽然两原子与双模腔场之间具有不同的耦合常数,但对于任意的N1和N2(Ni(i=1,2,)为模i腔场被每个原子吸收或发射的光子数),辐射谱总是关于共振频率ω0对称分布;并且,当N1=N2时,对于任意的数态光子数n1和n2交换,辐射谱不变.上述特点用解析方法给予了解释.计算了非简并双光子情况下的辐射谱,并得到了一些新结果.双模腔场中单原子及具有相同耦合常数的两原子辐射谱可从本文结果分别做为特例而得到. 相似文献
995.
大破裂发生时,不仅会在第一壁和偏滤器靶板上产生大的热负载沉积。并会由于晕电流而产生强烈电磁力。这种电磁力能够对偏滤器室及真空室内的部件造成损害。因此,如何避免大破裂放电是托卡马克运行中一个重要课题。为了减轻和控制大破裂,必须清楚地认识其产生机制和发生特性。 相似文献
996.
997.
998.
采用MOCVD方法在GaAs衬底上生长ZnO(002)和ZnO(100)薄膜 总被引:2,自引:0,他引:2
采用金属有机化学汽相沉积生长法(MOCVD),在不同的衬底表面处理条件和生长温度下,在GaAs衬底上生长出了ZnO薄膜。随着化学腐蚀条件的不同,可生长出优先定位不同的ZnO(100)和ZnO(002)薄膜。该薄膜的晶体结构特性是由X光衍射谱仪(XRD)所获得的,而其光学特性是由光荧光谱仪(PL)来测的。与ZnO(002)相比,ZnO(100)薄膜具有更优越的晶体结构特性,并且在同样的生长温度下都具有相似的光学特性。对于腐蚀条件不同的GaAs衬底所进行的XPS分析结果表明,ZnO薄膜优先定位变化的主要原因在于腐蚀过程中形成的富As层。 相似文献
999.
水体中邻苯二甲酸酯类污染物在HLB柱净化条件优化的研究 总被引:3,自引:1,他引:2
采用全因子设计试验对水样中11种邻苯二甲酸酯类污染物在亲水-亲脂平衡介质固相萃取柱上的富集净化效果进行研究, 以邻苯二甲酸酯平均回收率为响应指标, 通过析因分析, 获得主因子及交叉因子效应, 并建立了由显著性因子及交叉因子表达的平均回收率方程. 通过对邻苯二甲酸酯平均回收率的响应曲面分析, 获得最优净化条件. 1.0 μg·L-1添加水平回收率为92% ~102%,50 μg·L-1添加水平回收率为93% ~101%;11种邻苯二甲酸酯的检出限为0.01 ~0.29 mg·L-1;线性范围在0.1 ~100 mg·L-1之间,相关性系数高于0.999 5,方法具有较高的回收率及测定精度. 相似文献
1000.