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961.
The structure and magnetic phase transitions of the Gd2Fe17 compound are investigated by using a differential thermal/thermogravimetric analyzer, x-ray diffraction, and magnetization measurements. The result shows that there are two phase structures for the Gd2Fe17 compound: the hexagonal Th2Nilr-type structure at high temperatures (above 1243℃), and the rhombohedral Th2Zn17-type structure, respectively. A method to measure the magnetic moments of the Gd-sublattice and the Fe-sublattice in the Gd2Fe17 compound is presented. The moments of the Gd-sublattice and the Fe-sublattice in the Gd2Fe17 compound from 77 to 500 K are measured in this way with a vibrating sample magnetometer. A detailed discussion is presented. 相似文献
962.
Improvement in Dielectric Tunability of Ba0.6Sr0.4TiO4-Mg2TiO4 Composite Ceramics via Heterogeneous Nucleation Processing 下载免费PDF全文
Dielectric tunable composite ceramics Ba0.6Sr0.4 TiO4-Mg2 TiO4 (BST-MT) are prepared with a heterogeneous nucleation sol-gel approach. The Mg2 TiO4 powders are synthesized by the conventionM solid-state reaction method. The micro-sized MT powders with dispersant Ciba-4010 are introduced into Ba-Sr-Ti sol to obtain uniform and homogeneous mixture compounds with nano-sized BST particles synthesized via heterogeneous nucleation (HN) in the sol-gel process. Thus, the mierostructural and dielectric properties can be tailored. The dielectric constants of BST-MT composite ceramics can be adjusted in a larg'e range from 294 to 1790, and the dielectric tunability can be adjusted from 29.4% to 37.0% with different MT contents from 60wt% to 20wt%. Compared to the samples prepared by the conventional solid-state (SS) process, the BST-MT composite ceramics by the heterogeneous nucleation sol-gel process exhibit a more uniform microstructure, and improve dielectric properties. 相似文献
963.
The rapid dendritic growth of primary Ni3Sn phase in undercooled Ni-30.9%Sn-5%Ge alloy is investigated by using the glass fluxing technique. The dendritic growth velocity of Ni3Sn compound is measured as a function of undercooling, and a velocity of 2.47m/s is achieved at the maximum undercooling of 251 K (0.17TL). The addition of the Ge element reduces its growth velocity as compared with the binary Ni75Sn25 alloy. During rapid solidification, the Ni3Sn compound behaves like a normal solid solution and it displays a morphological transition of "coarse dendrite-equiaxed grain-vermicular structure" with the increase of undereooling. Significant solute trapping of Ge atoms occurs in the whole undercooling range. 相似文献
964.
The formulae of photon angular distribution and polarization degree for radiative recombination are presented to include the contribution of multipoles and their correlations. A fully relativistic code is then developed to calculate the photon angular distribution and polarization. The calculated polarization degree and differential cross-sections agree well with that of Scofild's results within 10%. The effects of multipoles on polarization and angular distribution are investigated. The polarization and the angular distribution become asymmetric when the multipoles are accounted as the electron energy increases. 相似文献
965.
966.
用直接分散聚合法制备了羧基丁苯-纳米氧化硅杂化胶乳,经喷雾干燥得到的羧基丁苯-纳米氧化硅复合粉末通过本体-悬浮聚合和熔融共混法制备了高抗冲聚苯乙烯.结果表明,本体/悬浮聚合法中预聚转化率的控制与复合粉末的加入量有关,当加入的复合粉末的质量分数为0.05时,冲击强度可提高5倍,也高于熔融共混法所制备的改性聚苯乙烯.本体/悬浮聚合法制备的改性聚苯乙烯的热分解温度(Td)高于熔融共混法改性的,且Td随复合粉末加入量的增加而提高,但改性聚苯乙烯的刚性有一定程度的降低,而对材料的玻璃化转变温度影响不大. 相似文献
967.
968.
有机场致发光中能带模型与分子理论的讨论 总被引:3,自引:3,他引:0
在有机场致发光中,能带模型及分子理论从20世纪就存在尖锐的矛盾。在分层优化方案中,经SiO2加速后的电子能量可以到达10eV,这足以激发发光材料发光,将分层优化方案应用到有机场致发光材料中。发现了固态阴极射线发光(SSCL),经过对它的交叉证明、普适性的验证,肯定了固态阴极射线的发光确实是在发光二极管,无机及有机场致发光之外的一种完全新型的电场诱导的发光。SSCL的特征是在它的光谱中出现短波发光峰,实验证明长波发光峰的减弱是由于电场离化效应。研究了这种效应出现的电压阈值并和SSCL的短波峰出现的电压相比,发现短波峰的出现是在激子的电场离化之后,从而找出了电子处于局域态与扩展态的分水岭,解释了在有机场致发光中能带模型和分子理论并不矛盾,只是适用的条件不同。激子的离化是随电场强度而渐进的变化,因此会有一个两种过程并存的范围。 相似文献
969.
采用表面改性法制备了负载型复合半导体材料V2O5-TiO2/SiO2,并用X射线衍射、比表面积测定、拉曼光谱、程序升温还原和紫外-可见漫反射光谱等技术对固体材料的结构和光响应性能进行了表征. 结果表明,V2O5和TiO2在负载型复合半导体V2O5-TiO2/SiO2表面有相互修饰的作用. 一方面,V2O5能扩展TiO2的光响应范围,使TiO2的吸光区域由紫外光区拓宽至可见光区,从而提高了复合半导体对光能的利用率; 另一方面,TiO2则有助于提高V2O5在载体表面的分散程度,抑制VOx的聚合,减小V2O5的微晶尺寸,提高固体材料的能隙值和氧化还原能力. 相似文献
970.