| 负载型复合半导体V2O5-TiO2/SiO2表面V2O5和TiO2的相互修饰作用 |
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| 引用本文： | 胡蓉蓉,钟顺和.负载型复合半导体V2O5-TiO2/SiO2表面V2O5和TiO2的相互修饰作用[J].催化学报,2005,26(1):32-36. |
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| 作者姓名： | 胡蓉蓉 钟顺和 |
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| 作者单位： | 天津大学化工学院,天津,300072;天津大学化工学院,天津,300072 |
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| 基金项目： | 国家重点基础研究发展计划(973计划) |
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| 摘 要： | 采用表面改性法制备了负载型复合半导体材料V2O5-TiO2/SiO2,并用X射线衍射、比表面积测定、拉曼光谱、程序升温还原和紫外-可见漫反射光谱等技术对固体材料的结构和光响应性能进行了表征. 结果表明,V2O5和TiO2在负载型复合半导体V2O5-TiO2/SiO2表面有相互修饰的作用. 一方面,V2O5能扩展TiO2的光响应范围,使TiO2的吸光区域由紫外光区拓宽至可见光区,从而提高了复合半导体对光能的利用率; 另一方面,TiO2则有助于提高V2O5在载体表面的分散程度,抑制VOx的聚合,减小V2O5的微晶尺寸,提高固体材料的能隙值和氧化还原能力.
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| 关 键 词： | 表面改性法 复合半导体 五氧化二钒 二氧化钛 负载型催化剂 光催化 吸光性 分散度 能隙值 |
| 文章编号： | 0253-9837(2005)01-0032-05 |
| 收稿时间： | 2005-01-25 |
Mutual Modification of V2O5 and TiO2 on the Surface of Supported Coupled-Semiconductor V2O5-TiO2/SiO2 |
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| HU Rongrong,ZHONG Shunhe.Mutual Modification of V2O5 and TiO2 on the Surface of Supported Coupled-Semiconductor V2O5-TiO2/SiO2[J].Chinese Journal of Catalysis,2005,26(1):32-36. |
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| Authors: | HU Rongrong ZHONG Shunhe |
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| Institution: | HU Rongrong,ZHONG Shunhe * |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | chemical modification method coupled semiconductor vanadic oxide titania supported catalyst photocatalysis photon absorbing ability dispersion edge energy |
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