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951.
高军  黄行康  杨勇 《电化学》2007,13(3):279-283
应用乙炔黑直接还原高锰酸钾制备MnO2/C复合材料.样品结构及性能由XRD和SEM表征.研究了MnO2/C电极(正极)在不同电解液中的法拉第"准电容行为",及其循环伏安、交流阻抗与恒电流充放电等性能.实验表明,MnO2/C复合材料具有良好的电化学电容特性.在1 mol/L的KOH电解液中和电流密度为5 mA/cm2下,MnO2/C复合材料的比电容量可达258 F/g,并表现出良好的循环性能.  相似文献   
952.
采用射频等离子增强化学气相沉积(RF-PECVD)法制备了掺硼氢化微晶硅(μc-Si:H)薄膜,研究了硼掺杂对薄膜的结晶状况、沉积速率、暗电导率和光学带隙的影响.拉曼光谱、扫描电子显微镜、分光光度计和电导率测试结果表明:当掺硼比(B2H6/SiH4)由0.1;增加到0.75;时,硅膜的晶化率逐渐降低,并由微晶向非晶过渡;沉积速率随掺硼比的增加线性增大;暗电导率先升高后下降,当掺硼比为0.5;时,暗电导率最大;光学带隙随掺硼比的增加逐渐减小.  相似文献   
953.
以K2O为助熔剂,在较大的温度梯度(90~100℃/cm)条件下进行引种和晶体生长,应用坩埚下降法成功地生长出了初始CO2+掺杂浓度为0.5mol;的近化学计量比的铌酸锂晶体.测定了该晶体的红外光谱与吸收光谱,与同成份的LiNbO3晶体相比,其紫外吸收边向短波方向移动,OH-红外吸收峰的位置发生变化.观测到520,549,612nm三个分裂的尖吸收峰以及1400nm左右为发光中心的吸收带.从吸收特性可以判断,Co离子在铌酸锂晶体中呈现+2价.比较上部与下部晶体的吸收强度,可以推测出沿着晶体生长方向Co2+离子浓度逐渐降低,Co2+离子在晶体中有效的分凝系数大于1.  相似文献   
954.
利用助熔剂籽晶提拉法,在同成份LiTaO3熔体中掺入一定剂量的K2O,生长出了近化学计量比LiTaO3晶体.对晶体进行畴结构、居里温度以及光谱分析,结果表明与同成份比LiTaO3晶体相比较,畴结构为规则的六边形,紫外吸收边出现明显蓝移,晶体居里温度也随之提高,晶体头部居里温度为681.2℃,尾部为684.8℃.  相似文献   
955.
带准备时间的两台同类机半在线排序的近似算法   总被引:1,自引:0,他引:1       下载免费PDF全文
研究带准备时间的两台同类机已知工件最大加工时间的半在线排序问题,分别讨论了极小化最大机器完工时间和极小化最大工件完工时间这两个目标函数,对这两个目标函数给出了竞争比为3/2的近似算法,并证明了不存在竞争比小于√2的近似算法  相似文献   
956.
依据Förster的能量传递理论,研究了核黄素和蒽酮衍生物之间的能量转移。研究结果表明:核黄素与蒽酮衍生物之间存在着显著的能量转移,而且二者的能量转移效率受加热温度、加热时间和质量配比的影响;核黄素与蒽酮衍生物最佳质量比为1∶3;随着加热温度和加热时间的增大,能量转移效率减小。  相似文献   
957.
The predissociation dynamics of CS2 at the g vibrational level of the 1B2(1Σu+) state has been studied, by measuring the predissociation lifetimes from the photofragment CS excitation (PHOFEX) spectrum and the ro vibrational populations of CS fragment from the laser induced fluorescence(LIF) spectrum. It is found that the angular momentum quantum number K of the g level accelerates the dissociation speed of CS2 at the 1B2(1Σu+) state, and increases the branching ratio of S(1D2)/S(3PJ) for the two dissociation channels, CS(X 1Σ+)+S(1D2) and CS(X 1Σ+)+S(3PJ). The dissociation mechanism was discussed based upon the observations.  相似文献   
958.
锂离子电池具有比能量高、质量轻、体积小、电压高、安全性好和无记忆效应等特点,而正极材料是其研究的重点.采用溶胶-凝胶法合成了锂离子电池的正极材料,结果表明,其初始容量高,循环性能理想,并且整个合成过程也较为简单,合成的温度相对较低,样品的颗粒比较均匀.  相似文献   
959.
直流磁控溅射工艺对ZnO薄膜结构影响的研究   总被引:6,自引:0,他引:6  
ZnO是一种新型的Ⅱ-Ⅵ族直接带隙化合物材料,是一种很有潜力的短波长光电器件材料.当ZnO薄膜具有良好的c轴取向和晶格结构时,可得到优良的光电性能比如紫外光受激发射.本实验用XRD和SEM研究了工艺条件如基片温度、氩氧比及退火工艺对ZnO薄膜结构特性的影响.结果表明在基片温度250℃、氩氧比为1∶4的条件下,可得到结晶质量良好的ZnO薄膜;通过退火可以使薄膜应力得到驰豫,降低缺陷浓度,改善薄膜的结构特性.本实验采用直流磁控溅射的方法,最终在(100)硅衬底基片上制备出了高c轴取向、晶粒尺寸约70nm的ZnO薄膜.  相似文献   
960.
研究了烷基硫酸钠同系物(ROSO3Na)与聚乙二醇(PEG)及聚乙烯吡咯烷酮(PVP)的γ-lgc曲线的双拐点特征,根据拟双平台现象求得烷基硫酸钠同系物对大分子的饱和簇集量Γ(mmol/L)和比饱和簇集量[Γ].由Γ-cP回归方程的斜率得到ROSO3Na-PEG及ROSO3Na-PVP体系的[Γ]reg分别为0.394和0.415m/n.[Γ]随表面活性剂疏水基链长、大分子分子量及浓度的变化均很小,t检验结果表明回归值[Γ]reg与实验值[Γ]exp之间无明显差异,因此超分子相互作用参数[Γ]可以被视为不变量.烷基硫酸钠同系物的类胶束与大分子形成软物质团簇的作用方式为静电超分子自组装.  相似文献   
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