| 直流磁控溅射工艺对ZnO薄膜结构影响的研究 |
| |
| 引用本文： | 吕文中,贾小龙,何笑明.直流磁控溅射工艺对ZnO薄膜结构影响的研究[J].人工晶体学报,2004,33(1):35-39. |
| |
| 作者姓名： | 吕文中 贾小龙 何笑明 |
| |
| 作者单位： | 华中科技大学电子科学与技术系,武汉,430074 |
| |
| 基金项目： | 湖北省杰出青年基金(2002AO002)资助项目 |
| |
| 摘 要： | ZnO是一种新型的Ⅱ-Ⅵ族直接带隙化合物材料,是一种很有潜力的短波长光电器件材料.当ZnO薄膜具有良好的c轴取向和晶格结构时,可得到优良的光电性能比如紫外光受激发射.本实验用XRD和SEM研究了工艺条件如基片温度、氩氧比及退火工艺对ZnO薄膜结构特性的影响.结果表明在基片温度250℃、氩氧比为1∶4的条件下,可得到结晶质量良好的ZnO薄膜;通过退火可以使薄膜应力得到驰豫,降低缺陷浓度,改善薄膜的结构特性.本实验采用直流磁控溅射的方法,最终在(100)硅衬底基片上制备出了高c轴取向、晶粒尺寸约70nm的ZnO薄膜.
|
| 关 键 词： | ZnO薄膜 基片温度 c轴取向 退火 氩氧比 结晶质量 |
| 文章编号： | 1000-985X(2004)01-0035-06 |
Influences of Technical Conditions on the Structure of ZnO Films Deposited by DC Magnetic Control Sputtering |
| |
| LU Wen-zhong,JIA Xiao-long,HE Xiao-ming.Influences of Technical Conditions on the Structure of ZnO Films Deposited by DC Magnetic Control Sputtering[J].Journal of Synthetic Crystals,2004,33(1):35-39. |
| |
| Authors: | LU Wen-zhong JIA Xiao-long HE Xiao-ming |
| |
| Abstract: | |
| |
| Keywords: | ZnO films substrate temperature c-axis orientation thermal annealing Ar to O_2 ratio crystallization quality |
| 本文献已被 CNKI 维普 万方数据 等数据库收录！ |
| 点击此处可从《人工晶体学报》浏览原始摘要信息 |
| 点击此处可从《人工晶体学报》下载免费的PDF全文 |
|
