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91.
以AZO陶瓷为基体,采用传统的固相烧结技术制备了ZrO2掺杂AZO防静电陶瓷,研究了不同烧结温度、ZrO2掺杂量对AZO陶瓷的表面电阻率、相对密度、维氏硬度的影响.通过XRD测定陶瓷的物相结构,SEM观察陶瓷的断面形貌,表面电阻测试仪测量陶瓷的表面电阻,维氏显微硬度仪测量陶瓷的维氏硬度,阿基米德排水法测量陶瓷密度等方法对ZrO2掺杂AZO陶瓷进行了分析表征.结果表明:当烧结温度为1450℃,ZrO2的掺杂量为1wt;时,其综合性能最佳.此时陶瓷表面电阻率为105Ω· cm,相对密度达97.61;,维氏硬度为357.5 HV0.3,已达到防静电陶瓷性能要求. 相似文献
92.
采用改进高温热分解法合成了Cd2+掺杂NaLuF4∶Yb,Er纳米晶体,研究了Cd2+对晶相形成和发光强度的影响,采用CASTEP计算不同掺杂浓度下β-NaLuF4∶Yb,Er的形成能.在掺杂浓度为6mol;时合成的纳米晶荧光强度最强,其相较于未掺杂时增加了2.6倍,此时平均尺寸为23 nm左右.随后通过控制添加合适比例和含量的分散剂,解决了晶体易团聚的问题,得到了平均尺寸为18 nm的结晶度高、分散性好的上转换纳米晶.通过二氧化硅壳层的包覆,降低了Cd2泄露引起的毒性反应,表明在浓度较低时呈现出低毒性,满足了上转换纳米晶在医用材料领域应用的要求. 相似文献
93.
94.
利用温度梯度法,在6.5 GPa、1 300~1 350℃的高温高压极端物理条件下,通过在FeNiCo-C合成体系中添加硫脲(CH4N2S)成功合成了金刚石,所合成的晶体呈现出黄色且具有六-八面体形貌.利用扫描电镜(SEM)对所合成金刚石的表面形貌进行了表征,测试结果表明,随着合成体系中CH4N2S添加量的逐渐增加,所合成金刚石的表面变得逐渐粗糙.借助傅里叶红外(FT-IR)光谱对金刚石样品内部的氮、氢缺陷以及化学键结构进行了测试分析,结果表明,金刚石中的氢元素以-CH3,-CH2-,C-H形式存在,而其内部的氮杂质以C心、A心形式存在.此外,在3 300~3 600 cm-1观察到NH的吸收带. 相似文献
95.
基于密度泛函理论,利用第一性原理计算Mg-N阴阳离子双受主共掺杂SnO2的电子结构、电荷密度分布和缺陷形成能.Mg、N分别取代SnO2晶体中的Sn和O,掺杂浓度分别为4.17at;、2.08at;,Mg-N键之间的共价性明显高于Sn-O键,富氧条件下,Mg-N共掺杂的缺陷形成能为2.67 eV,有利于进行有效的受主替代掺杂.Mg单受主掺杂SnO2时,增加了带隙宽度,费米能级进入价带,Mg-N共掺杂SnO2时,带隙窄化,表现出明显的p型导电类型. 相似文献
96.
采用高温固相法制备了Li+、Bi3掺杂Lu2O3∶Ho3,Yb3粉体.用X射线衍射仪分析了合成粉体的微结构,用场发射扫描电子显微镜观测了样品的形貌及尺寸,用紫外可见近红外荧光光谱仪分析了合成粉体的上转换发射光谱以及能级寿命.结果 表明:Li+、Bi3掺杂的Lu2O3∶Ho3,Yb3粉体,仍然保持Lu2O3立方相结构.Li+或Bi3掺杂后,合成粉体的分散性更好,颗粒更均匀,且更加接近球形,LI+掺杂后粉体颗粒尺寸明显增加.用980 nm激发,4;Li+或1.5; Bi3+掺杂后,合成粉体中Ho3的绿光光强分别提高了约3.9倍、2.8倍.随着Li+浓度的增加,合成粉体中Ho3的5S2能级寿命先增加后减小;随着Bi3浓度的增加,合成粉体中Ho3的5S2能级寿命逐渐减小. 相似文献
97.
Spin Polarization Properties of Na Doped Meridianal Tris(8-Hydroxyquinoline) Aluminum Studied by First Principles Calculations 下载免费PDF全文
We theoretically investigate the electronic structure and spin polarization properties of Na-doped meridianal tris(S-hydroxyquinoline) aluminum (Alq3) by first principles calculations. It is found that the spin density is distributed mainly in the Alq3 part in the Alq3:Na complex. Electron charge transfer takes place from the Na atom to the Alq3 molecule, which induces asymmetric changing of the molecule bond lengths, thus the spin density distribution becomes asymmetric. Spin polarization of the complex originates from the preferable filling of the spin-split nitrogen and carbon p-orbitals because of the different bond length changes of the Aiq3 molecule upon Na doping. 相似文献
98.
99.
Fabrication of large-scale ripples on fluorine-doped tin oxide films by femtosecond laser irradiation 下载免费PDF全文
The large-scale uniform self-organized ripples are fabricated on fluorine-doped tin oxide (FTO) coated glass by femtosecond laser. They can be smoothly linked in a horizontal line with the moving of XYZ stage by setting its velocity and the repetition rate of the laser. The ripple-to-ripple linking can also be realized through line-by-line scanning on a vertical level. The mechanism analysis shows that the seeding effect plays a key role in the linking of ripples. 相似文献
100.
Frequency and voltage-dependent electrical and dielectric properties of Al/Co-doped PVA/p-Si structures at room temperature 下载免费PDF全文
In order to investigate of cobalt-doped interracial polyvinyl alcohol (PVA) layer and interface trap (Dit) effects, A1/p- Si Schottky barrier diodes (SBDs) are fabricated, and their electrical and dielectric properties are investigated at room temperature. The forward and reverse admittance measurements are carded out in the frequency and voltage ranges of 30 kHz-300 kHz and -5 V-6 V, respectively. C-V or er-V plots exhibit two distinct peaks corresponding to inversion and accumulation regions. The first peak is attributed to the existence of Dit, the other to the series resistance (Rs), and interfacial layer. Both the real and imaginary parts of dielectric constant (er and err) and electric modulus (Mr and Mrr), loss tangent (tan~), and AC electrical conductivity (aac) are investigated, each as a function of frequency and applied bias voltage. Each of the M~ versus V and Mrr versus V plots shows a peak and the magnitude of peak increases with the increasing of frequency. Especially due to the Dit and interfacial PVA layer, both capacitance (C) and conductance (G/w) values are strongly affected, which consequently contributes to deviation from both the electrical and dielectric properties of A1/Co-doped PVA/p-Si (MPS) type SBD. In addition, the voltage-dependent profile of Dit is obtained from the low-high frequency capacitance (CLF-CHF) method. 相似文献