Mg-N阴阳离子共掺杂SnO2的第一性原理研究

基于密度泛函理论,利用第一性原理计算Mg-N阴阳离子双受主共掺杂SnO₂的电子结构、电荷密度分布和缺陷形成能.Mg、N分别取代SnO₂晶体中的Sn和O,掺杂浓度分别为4.17at;、2.08at;,Mg-N键之间的共价性明显高于Sn-O键,富氧条件下,Mg-N共掺杂的缺陷形成能为2.67 eV,有利于进行有效的受主替代掺杂.Mg单受主掺杂SnO₂时,增加了带隙宽度,费米能级进入价带,Mg-N共掺杂SnO₂时,带隙窄化,表现出明显的p型导电类型.     

[PtdienNO_3]Cl与细胞色素c修饰体系研究

本实验首次以稳定修饰试剂[PtdienNO_3]Cl标记细胞色素c,反应产物经CM-52阳离子交换色谱分离纯化得细胞色素c单修饰、双修饰及三修饰衍生物。用微分脉冲伏安测定各修饰产物的还原电位,并以~1H NMR波谱证实[PtdienNO_3]Cl在细胞色素c上的修饰位点为His-33和Trp-59,其中Trp-59是其它过渡金属配合物所未能标记的、与血红素以氢键相连的保守氨基酸。细胞色素c Trp-59标记衍生物的获得,为研究芳香族氨基酸在细胞色素c电子转移过程中的作用提供了有价值的实验材料。