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91.
锥形脊结构半导体光放大器的有限元分析   总被引:1,自引:0,他引:1  
王涛  王正选  黄德修 《光学学报》2003,23(3):41-347
为提高半导体光放大器与单模光纤耦合效率,建立了半导体放大器的锥形脊结构模型。在该模型下利用有限元数值模拟方法分析,计算了波导区折射率、锥尖宽度、条形波导尺寸、渐变折射率波导层对锥形脊结构模式扩展的影响。通过完善锥形脊结构参量的设计,获得了锥形脊结构半导体光放大器与单模光纤95%的耦合效率。  相似文献   
92.
应力和掺杂对Mg:GaN薄膜光致发光光谱影响的研究   总被引:3,自引:0,他引:3       下载免费PDF全文
对化学气相沉积(MOCVD)法在宝石衬底上生长的Mg掺杂GaN薄膜的表面及其GaN缓冲层的光致发光(PL)光谱进行了测量,用Raman光谱和x射线衍射(XRD)对GaN薄膜中的应力进行确定,通过PL光谱中的中性束缚激子跃迁能量的变化确定薄膜中应力的影响,从而研究Mg掺杂对p型GaN的DAP跃迁影响规律. 关键词: 光致发光 应力 Raman光谱  相似文献   
93.
刘波  张行愚  王青圃  李述涛  苏富芳  贾鹏 《光子学报》2007,36(10):1777-1780
报道了LD抽运的自喇曼c切Nd∶YVO4调Q腔内倍频黄光激光器.Nd∶YVO4晶体同时作为激光介质和喇曼晶体,通过声光调Q技术,产生了1 178.7 nm的喇曼激光,经过KTP腔内倍频,输出589.4 nm黄光.测量了平均输出功率随抽运功率和脉冲重复率的变化.典型的1 066.7 nm基频光、1 178.7 nm喇曼光和589.4 nm倍频光的脉冲宽度分别为24.9 ns、11.2 ns和6.8 ns.在脉冲重复率为15 kHz,抽运功率为7.56W时,产生了平均功率为151 mW的589.4 nm光的输出.  相似文献   
94.
牛顿环干涉实验的改进   总被引:2,自引:1,他引:1  
研究光的干涉现象可以进一步加深对光的波动性的认识,产生光的干涉的仪器很多,牛顿环仪是一种常见的观察光的干涉的光学器件、用牛顿环仪可以观察到光的等厚干涉,对其干涉条纹有关量进行测量,便可以很精确地测得产生牛顿环干涉条纹的光学元器件的一些特性参数、用牛顿环仪可以测单色光的波长、组成牛顿环仪的平凸透镜的曲率半径,检验物体表面的光洁度和平面度.用牛顿环干涉实验测平凸透镜的曲率半径是大学物理实验中的基本实验.笔者根据多年的教学实践,认为该实验中存在一些问题,而且在数据处理方法上没有一个规范和统一的方法,本文就此进行探讨与研究.  相似文献   
95.
报道了激光二极管端面抽运Nd∶YVO4 半导体材料GaAs被动调Q激光器运转。测量了不同透过率输出镜条件下 ,输出调Q脉冲的宽度、能量及脉冲重复率。在抽运功率为 4W时 ,得到了脉宽为 30ns、能量为 8μJ、重复率为6 0kHz的稳定的调Q脉冲。还就GaAs调Q机理进行了理论研究并对实验中的一些现象进行了分析讨论  相似文献   
96.
定向排列纳米碳管   总被引:2,自引:0,他引:2  
本文提出在层流场中定向排列纳米碳管的技术,并理论计算了在层流场中、电场中、强磁场中重新定向排列的机理,用机械拉伸法将CNT均匀分散并定向排列在PMMA中,得到各向异性且力学性能和电学性能都很好的CNTs/PMMA复合材料.此实验结果证明机械拉伸法与层流场中定向排列纳米碳管的理论机理相符.  相似文献   
97.
梁颖斌  王青 《中国物理 C》2000,24(4):290-299
研究中性K介子系统的唯象理论,传统上采用的是建立在Wigner–Weisskopf近似基础上的有效哈密顿量理论.为了对此系统进行更精确地描述,采用了不作Wigner–Weisskopf近似的态演化矩阵,得到了描述此系统CP和CPT破坏的4个复参数(有效哈密顿量理论用2个复参数描述),并估计出实验精确到10-14时,必须采用这种严格地描述,而不能再近似用有效哈密顿量理论.  相似文献   
98.
采用优化的静电纺丝方法结合控制热解法制备出一维Co3O4/C纳米纤维,前驱纳米纤维均匀光滑,其纤维直径大约为200 nm左右,经退火处理后Co3O4颗粒镶嵌于碳纤维中.通过X射线衍射(XRD)表征,发现该Co3 O4结晶完整且无杂质.室温下用蓝电电池测试系统(CT2001A)测试其倍率性能和循环性能,首次放电比容量高达1314.5 mAh·g-1.分别以0.1 C、0.5 C、1 C、2 C、5 C、10 C、15 C和0.1 C的倍率进行充放电测试,其对应比容量分别为633 mAh·g-1、535 mAh·g-1、398 mAh·g-1、252 mAh·g-1、157 mAh·g-1、86 mAh·g-1、49 mAh·g-1和643 mAh·g-1,表现出良好的倍率性能.在倍率为0.5 C下测试其循环性能,50次循环后充电比容量为494 mAh·g-1,容量保持率为88.2;;200次循环后比容量仍能达到300 mAh·g-1,显示出优异的循环性能.这一优异的电化学性能归因于一维CNF网状结构的抗应力缓冲作用.  相似文献   
99.
温度是科学技术中最基本的物理量之一,也是工农业生产及工程技术中最普遍的最重要的参数之一,温标的概念及温度的测量与控制十分重要。本文从宏观、微观、经典统计和量子统计等各个角度描述了温度的物理意义及标定方法,给出了利用气体等压膨胀实验标定热力学温度的方法和实验验证结果。本文所采用的等压膨胀外推法标定具有操作简便,耗时短,精度高的优点,实验结果表明,热力学温度0K的测量结果为-272.0℃,与公认值-273.15℃相比,其相对误差小于0.42%。  相似文献   
100.
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